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订购数量： EN * 5088C
CMOS IC
LC372100PP ， PM ， PT - 10 / 20LV
2 MEG （ 262144字
×
8位）掩膜ROM
内部时钟控制硅栅
初步
概观
该LC372100PP ， LC372100PM和LC372100PT是
262,144-word
×
8位组织（ 2,097,152位）面膜
可编程只读存储器。
该LC372100PP -10， LC372100PM -10和
LC372100PT - 10功能的100 ns的存取时间，操作环境
的40纳秒的存取时间，并且为30 μA，待机电流，并且
在需要高速5 -V系统的最佳使用
访问。
该LC372100PP - 20LV ， LC372100PM - 20LV和
LC372100PT - 20LV功能为200 ns ，一个访问时间
OE的80ns的存取时间，并且为4 μA，待机电流
因此在使用3 - V系统的最佳使用
电池。此外，它们提供在高速访问
3.3 - V系统（ 3.0 3.6 V ）与150 ns访问时间
和60 ns的OE访问时间。
这些ROM采用JEDEC标准引脚分配
这使得他们能够方便地更换EPROM 。为了防止
总线冲突的多总线的微控制器系统，
销24可以是掩模可编程为高有效或
低电平有效。
包装尺寸
单位：mm
3192-DIP32
[LC372100PP]
三洋： DIP32
单位：mm
3205-SOP32
[LC372100PM]
特点
262144字
×
8位组织
电源
LC372100PP ， PM ， PT- 10 ：
5.0 V ± 10%
LC372100PP ， PM ， PT- 20LV ： 2.7 3.6 V
快速存取时间（t
AA
, t
CA
)
LC372100PP ， PM ， PT- 10 ：
100毫微秒（最大）
LC372100PP ， PM ， PT- 20LV ： （最多） 200纳秒
150纳秒
(V
CC
= 3.0 3.6 V ）
工作电流
LC372100PP ， PM ， PT- 10 ：
70毫安（最大）
LC372100PP ，PM， PT- 20LV ： 20毫安（最大）
待机电流
LC372100PP ， PM ， PT- 10 ：
30 μA（最大值）。
LC372100PP ， PM ， PT- 20LV ： （最大） 5 μA
全静态操作（内部时钟型）
完全兼容TTL （ 5 V电源）
3态输出
JEDEC标准的引脚配置
包装类型
LC372100PP - 10 / 20LV ： DIP32 （ 600万）
LC372100PM - 10 / 20LV ： SOP32 （ 525万）
LC372100PT -10 / 20LV ： TSOP32 （ 8毫米
×
20 mm)
三洋： SOP32
单位：mm
3224-TSOP32
[LC372100PT]
三洋： TSOP32 （ I型）
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
53098HA （ OT ） / 51195TH （ OT ） / 41095TH （ OT ）第5088-1 / 5
LC372100PP ， PM ， PT - 10 / 20LV
引脚分配
引脚功能
A0到A17
D0到D7
CE / CE
OE / OE
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能输入
输出使能输入
电源
地
框图
真值表
CE / CE
L / H
H / L
OE / OE
X
L / H
产量
漏电流
高阻抗待机模式
高阻抗操作模式
DOUT
经营模式
H / L
H / L
X： H或L电平应提供。
第5088-2 / 5
LC372100PP ， PM ， PT - 10 / 20LV
特定网络阳离子
绝对最大额定值
*
1
参数
最大电源电压
电源输入电压
电源输出电压
允许功耗
工作温度
储存温度
符号
V
CC
最大
V
IN
V
OUT
钯最大
TOPR
TSTG
TA = 25 ℃;为SANYO DIP封装的参考值
条件
评级
-0.3到+7.0
–0.3
*2
到V
CC
+ 0.3
-0.3到V
CC
+ 0.3
1.0
0至+70
-55到+125
单位
V
V
V
W
°C
°C
注意：如果绝对最大额定值超出可能出现1永久性设备损坏。功能操作应仅限于推荐
操作条件。
2. V
IN
（分钟）= -3.0 V（脉冲宽度
≤
30纳秒）
输入/输出电容*
在Ta = 25 ° C，F = 1.0 MHz的
参数
输入电容
输出电容
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
IN
= 0 V ;为SANYO DIP封装的参考值
V
OUT
=
0 V ;为SANYO DIP封装的参考值
评级
民
典型值
最大
8
10
单位
pF
pF
注意：
*
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
3 V操作
DC推荐工作范围
在Ta = 0 + 70°C
参数
电源电压
输入高电平电压
输入低电平电压
符号
V
CC
最大
V
IH
V
IL
条件
评级
民
2.7
0.8 V
CC
–0.3
典型值
3.0
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
+0.4
单位
V
V
V
DC电气特性
在Ta = 0 + 70 ° C，V
CC
= 2.7 3.6 V
参数
符号
I
CCA1
I
CCA2
I
CCS1
I
CCS2
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
CE = 0.2 V （ CE = V
CC
– 0.2 V), V
I
= V
CC
– 0.2 V/0.2 V
CE = V
IL
（ CE = V
IH
), I
O
= 0 mA时，V
I
= V
IH
/V
IL
， F = 5兆赫
CE = V
CC
- 0.2 V （ CE = 0.2 V）
CE = V
IH
（ CE = V
IL
)
V
IN
= 0至V
CC
CE或OE = V
IH
（ CE或OE = V
IL
), V
OUT
= 0至V
CC
I
OH
= -0.5毫安
I
OL
- 0.5毫安
V
CC
– 0.2
0.2
评级
民
典型值
最大
15
20
5 (0.5*)
50 (10*)
±1.0
±1.0
单位
mA
mA
A
A
A
A
V
V
工作电源电流
待机电源电流
输入漏电流
输出漏电流
输出高电平电压
输出低电平电压
注意：
*
保证在TA = 25℃
AC特性
在Ta = 0 + 70 ° C，V
CC
= 2.7 3.6 V
参数
周期
地址访问时间
CE访问时间
OE访问时间
输出保持时间
输出禁用
时间
*1
符号
t
CYC
t
AA
t
CA
t
OA
t
OH
t
OD
*1
25
50
条件
评级
民
200 (150
*2
)
200 (150
*2
)
200 (150
*2
)
80 (60
*2
)
典型值
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注： 1中。T
OD
从CE （ CE ）或OE （ OE ）的持续高阻抗的早期边缘测量。
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2.保证在V
CC
= 3.0 3.6 V
第5088-3 / 5
LC372100PP ， PM ， PT - 10 / 20LV
5 V工作
DC推荐工作范围
在Ta = 0 + 70°C
参数
电源电压
输入高电平电压
输入低电平电压
符号
V
CC
最大
V
IH
V
IL
条件
评级
民
4.5
2.2
–0.3
典型值
5.0
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.6
单位
V
V
V
DC电气特性
在Ta = 0 + 70 ° C，V
CC
= 5.0 V ±10%
参数
符号
I
CCA1
I
CCA2
I
CCS1
I
CCS2
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
条件
CE = 0.2 V （ CE = V
CC
– 0.2 V), V
I
= V
CC
– 0.2 V/0.2 V
CE = V
IL
（ CE = V
IH
), I
O
= 0 mA时，V
I
= V
IH
/V
IL
， F = 10 MHz的
CE = V
CC
- 0.2 V （ CE = 0.2 V）
CE = V
IH
（ CE = V
IL
)
V
IN
= 0至V
CC
CE或OE = V
IH
（ CE或OE = V
IL
), V
OUT
= 0至V
CC
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.0毫安
2.4
0.4
评级
民
典型值
最大
30
70
30 (1.0*)
1.0 (300*)
±1.0
±1.0
单位
mA
mA
A
MA（ μA ）
A
A
V
V
工作电源电流
待机电源电流
输入漏电流
输出漏电流
输出高电平电压
输出低电平电压
注意：
*
保证在TA = 25℃
AC特性
在Ta = 0 + 70 ° C，V
CC
= 5.0 V ±10%
参数
周期
地址访问时间
CE访问时间
OE访问时间
输出保持时间
输出禁止时间*
符号
t
CYC
t
AA
t
CA
t
OA
t
OH
t
OD
20
30
条件
评级
民
100
100
100
40
典型值
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意：
*
t
OD
从CE （ CE ）或OE （ OE ）的持续高阻抗的早期边缘测量。
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入的上升/下降时间
输入时序水平
输出时序水平
输出负载
0.4 V至0.8 V
CC
（ 3 V测量） ，
0.4 V至2.8 V（ 5 V测量）
5纳秒
1.5 V
1.5 V
70 pF的（ 3 V测量）
见图（ 5 V测量）
输出负载（ 5 V测量）
第5088-4 / 5
LC372100PP ， PM ， PT - 10 / 20LV
时序图
系统设计注意事项
这些LSI采用在该操作是由在检测的变化开始的内部同步技术任
CE输入或地址输入。其结果是，在上电后立即输出数据是无效的。一旦电源已
施加的，有效的数据是应用程序后输出的变化的地址的值无论是CE的输入或至少一个
输入。
由于使用该ATD技术的另一个问题是，这些LSI是对输入噪声非常敏感。应用程序
必须采取预防措施，以提供稳定的输入信号，无论是对CE输入地址输入，以防止不正确
操作。
s
没有描述或此处包含的产品用于在外科植入物，生命支持系统，航空航天
设备，核电控制系统，车辆，灾难/犯罪预防设备之类的，失败
这可能直接或间接导致人身伤害，死亡或财产损失。
s
任何人购买描述或包含了上面提到的使用应的任何产品：
承担全部责任，赔偿和维护SANYO ELECTRIC CO 。 ， LTD。，其分支机构，子公司和
分销商和所有官员和雇员共同及个别对任何和所有索赔和诉讼以及所有
损害赔偿，成本及费用使用等相关：
不施加任何的疏忽或过失，可以在任何此类索赔或诉讼被引用任何责任
SANYO ELECTRIC CO 。 ， LTD。，其分支机构，子公司和分销商或任何他们的官员和雇员的
共同或个别。
s
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不保证
批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但不保证作出或暗示的保证
就其使用或知识产权或其它第三方权利的任何侵犯。
该目录规定的5月， 1998年规范和信息此处如有变更，
恕不另行通知。
PS第5088-5 / 5
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LE28F1101T-55
LC503TBL1-30H-A
LG-110HYS-CT
LP2989AILD-3.3
LXR7-RW30
LT4254CGN
L64016DMC
LB-1608-T4R7MK
LPS1T48R2KRN6AF3Y
LB15CKW01-05-CJ
LM385BYM-1.2/NOPB
LM4050AEX3-4.1+T
LK112SXX25
LY62L25616GL
L640GU53RI
LM2990-5.0MD8
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