订购数量： ENN * 6624
CMOS IC
LC35W1000BM ， BTS - 70U / 10U
异步硅栅
1M （ 131,072字
×
8比特）的SRAM
初步
概观
该LC35W1000BM和LC35W1000BTS - 70U / 10U的
异步硅栅CMOS静态RAM器件
一个131,072字×8位结构。他们提供了两个芯片
使能引脚（ CE1和CE2 ）的设备选择/取消
控制及一个输出使能引脚（OE ），用于输出控制。
它们的特点是高速，低功耗和宽工作
温度range.This使他们最适合使用
需要高速的系统，低功耗，和电池
备份。它们还支持简单的存储卡扩展。
包装尺寸
单位：mm
3205A-SOP32
[LC35W1000BM-70U/10U]
32
17
0.8
11.2
3.1max
0.15
0.2
(2.7)
20.5
特点
低电压操作： 2.7 3.6 V
宽工作温度范围： -40 + 85°C
访问时间：
70毫微秒（最大） ：
LC35W1000BM和LC35W1000BTS - 70U 。
为100 ns （最大值） ：
LC35W1000BM和LC35W1000BTS - 10U 。
低电流消耗
待机模式： 0.1 μA （典型值* ）在Ta = + 25°C
10.0 μA （最大值）在Ta = -40 + 70°C
20.0 μA （最大值）在Ta = -40+ 85°C
数据保持电压： 2.0 3.6 V
无时钟要求（全静态电路）
输入/输出复用功能引脚，三态输出引脚
包
32引脚SOP （ 525万）塑料包装：
LC35W1000BM
32针TSOP （ 8
×
14毫米）塑料封装（正常） ：
LC35W1000BTS
1
(0.73)
1.27
0.4
16
三洋： SOP32
单位：mm
3228A-TSOP32DA
[LC35W1000BTS-70U/10U]
32
17
0.5
8.0
12.4
(0.25)
0.08
(1.0)
0.5
1.2max
1
16
0.2
0.125
三洋： TSOP32DA
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
41902RM （ OT ）第6624-1 / 9
14.0
14.0
LC35W1000BM ， BTS - 70U / 10U
引脚分配
A13488
A13487
第6624-2 / 9
LC35W1000BM ， BTS - 70U / 10U
框图
地址缓冲器
原料解码器
存储单元阵列
产量
卜FF器
数据控制电路
输入
数据
卜FF器
引脚功能
A0到A16
WE
地址输入
就绪/写控制输入
输出使能输入
芯片使能输入
数据I / O
电源，接地
控制
电路
OE
CE， CE2
I / O1到I / O8
V
CC
， GND
功能表
模式
准备周期
写周期
输出禁用
未选中
CE1
L
L
L
H
X
CE2
H
H
H
X
L
OE
L
X
H
X
X
WE
H
L
H
X
X
I / O
数据输出
数据输入
高阻抗
高阻抗
高阻抗
电源电流
I
CCA
I
CCA
I
CCA
I
CCS
I
CCS
注： X表示H或L.
特定网络阳离子
最大额定值
在Ta = 25℃
参数
最大电源电压
输入引脚电压
I / O引脚的电压
工作温度
符号
V
CC
最大
V
IN
V
I / O
TOPR
条件
评级
4.6
-0.3 *到V
CC
+ 0.3
-0.3到V
CC
+ 0.3
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
V
°C
°C
储存温度
TSTG
*:
对于脉冲宽度小于30 ns的： -2.0 V
注意：如果在超过绝对最大额定值的任何应力施加该芯片可能被破坏。
第6624-3 / 9
LC35W1000BM ， BTS - 70U / 10U
DC允许的工作范围
在Ta = -40+ 85°C
参数
供应volgate
高电平输入电压
低电平输入电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
条件
评级
民
2.7
0.8V
CC
–0.3*
典型值
3.3
最大
3.6
V
CC
+ 0.3
0.2V
CC
单位
V
V
V
注意：
*
最小值为-3.0 V代表在50纳秒的脉冲宽度。
DC电气特性
在Ta = -40+ 85°C ，V
CC
= 2.7 3.6 V
参数
输入漏电流
I / O漏电流
Outpu高电平电压
符号
I
LI
I
LO
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
I
CCA2
I
CCA3
待机模式下电源电流
(V
CC
- 0.2 V / 0.2 V输入）
（ CMOS输入）
I
CCS1
I
CCS2
V
IN
= 0至V
CC
V
CE1
= V
IH
或V
CE2
= V
IL
或V
OE
= V
IH
or
V
WE
= V
IL
, V
I / O
= 0至V
CC
V
OH1
= -2.0毫安
V
OH2
= –100 A
V
OL1
= 2.0毫安
V
OL2
= –100 A
V
CE1
= V
IL
, V
CE2
= V
IH
, I
I / O
= 0 mA时，V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CE1
= V
IL
, V
CE2
= V
IH
,
I
I / O
= 0 mA时，V
IN
= V
IH
或V
IL
,
DUTY100%
V
CE2
≤
0.2 V或
(V
CE1
≥
V
CC
– 0.2 V,
V
CE2
≥
V
CC
– 0.2 V)
V
CE1
= V
IH
或V
CE2
= V
IL
, V
IN
= 0至V
CC
闵周期
1微秒周期
Ta
≤
85°C
Ta
≤
70°C
Ta
≤
25°C
0.1
0.4
mA
70纳秒
100纳秒
2
20
10
A
条件
评级
民
–1.0
–1.0
V
CC
– 0.4
V
CC
– 0.1
0.4
0.1
1.2
25
20
典型值
最大
+1.0
+1.0
单位
A
A
V
V
V
V
mA
mA
Outpu低电平电压
工作电源电流
（ CMOS输入）
注意：
*
参考值时， V
CC
= 3.0 V和Ta = 25 ℃。
I / O的电容
在Ta = 25 ° C，F = 1兆赫
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
条件
评级
民
典型值
6
6
最大
10
10
单位
pF
pF
注意：这些参数未测定的所有设备，但取样值。
第6624-4 / 9
LC35W1000BM ， BTS - 70U / 10U
AC电气特性
在Ta = -40+ 85°C ，V
CC
= 2.7 3.6 V
AC测试条件
输入脉冲电压等级： V
IL
= 0.2 V
CC
, V
IH
= 0.8 V
CC
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出时序莱韦： 1/2 V
CC
输出负载： 30 pF的（包括夹具电容）
读周期
参数
阅读cyle时间
地址访问时间
CE1访问时间
CE2访问时间
OE访问时间
输出保持时间
CE1输出使能时间
CE2输出使能时间
OE输出使能时间
CE1输出禁止时间
CE2输出禁止时间
OE输出禁止时间
符号
t
RC
t
AA
t
CA1
t
CA2
t
OA
t
OH
t
COE1
t
COE2
t
OCE
t
COD1
t
COD2
t
OOD
10
10
10
5
40
40
35
–70U
民
70
70
70
70
50
10
10
10
5
35
35
30
最大
民
100
100
100
100
50
–10U
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
参数
写cyle时间
地址建立时间
把脉冲宽度
CE1建立时间
CE2建立时间
写恢复时间
CE1写恢复时间
CE2写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
CE1数据保持时间
CE2的数据保持时间
WE输出使能时间
WE输出禁止时间
符号
t
WC
t
AS
TWP
t
CW1
t
CW2
t
WR
t
WR1
t
WR2
t
DS
t
DH
t
DH1
t
DH2
t
WOE
t
WOD
–70U
民
70
0
50
60
60
0
0
0
40
0
0
0
5
35
最大
民
100
0
70
90
90
0
0
0
50
0
0
0
5
30
–10U
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
第6624-5 / 9
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