订购数量： ENN * 6302
CMOS IC
LC35256FM ， FT- 55U / 70U
256K （ 32768字
×
8比特）的SRAM
控制引脚： OE和CE
初步
概观
该LC35256FM和LC35256FT是异步的
硅栅CMOS SRAM的同一个32K字由8位
结构。这些都是全CMOS器件具有6个晶体管
每个存储单元，并配备了低电压操作，低
工作电流消耗，以及超低的待机电流。
控制输入包括OE快速内存访问和CE
（片选） ，以节省电力和设备选择。这
使这些器件理想适用于要求低的系统
电源或备用电池，并使得内存扩展
容易。超低待机电流使该器件可以
与电容备份使用。
包装尺寸
单位：mm
3187A-SOP28D
[LC35256FM]
28
15
0.15
1
18.0
14
电源电压范围： 4.5 5.5 V
存取时间为5 V工作电压：
LC35256FM ， FT- 55U ： 55毫微秒（最大）
LC35256FM ， FT- 70U ： 70纳秒（最大）
待机电流： 3.0 μA （大
≤
70°C)
5.0 μA （大
≤
85°C)
- 工作温度： -40 + 85°C
数据保持电压： 2.0 5.5 V
所有I / O电平： TTL兼容
输入/输出复用功能引脚，三态输出引脚
无需时钟
包
28引脚SOP （ 450万）塑料封装： LC35256FM
28引脚TSOP （ 8
×
13.4毫米）塑料封装： LC35256FT
0.4
1.27
0.1
2.3
特点
三洋： SOP28D
单位：mm
3221 - TSOP28 （ I型）
[LC35256FT]
21
8
11.8
1.27max
22
28 1
0.55
8.1
7
0.2
0.125
0.08
三洋： TSOP28 （ I型）
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
52600RM （ OT ）第6302-1 / 7
0.5
13.4
1.0
11.8
9.8
8.4
LC35256FM ， FT- 55U / 70U
引脚配置（顶视图）
TSOP28
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
GND
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A14 1
A12 2
A7 3
A6 4
A5 5
A4 6
A3 7
A2 8
A1 9
A0 10
I / O1 11
I / O2 12
I / O 3 13
GND 14
SOP28D
28 VCC
27我们
26 A13
25 A8
24 A9
23 A11
22 OE
21 A10
20 CE
19 I / O8
18 I / O7
17 I / O6
16个I / O5
15 I / O4
LC35256FT
LC35256FM
框图
A6
A7
地址缓冲器
行解码器
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
存储单元阵列
512
×
512
VCC
GND
输入数据缓冲器
I/O8
输入数据
控制电路
I/O1
列I / O
电路
列解码器
产量
数据
卜FF器
地址缓冲器
A0 A1 A2 A3 A4 A5
CE
WE
OE
第6302-2 / 7
LC35256FM ， FT- 55U / 70U
引脚功能
A0到A14
WE
OE
CE
I / O1到I / O8
V
CC
， GND
地址输入
读/写控制输入
输出使能输入
芯片使能输入
数据I / O
电源，接地
功能表
模式
读周期
写周期
输出禁用
未选中
CE
L
L
L
H
OE
L
X
H
X
WE
H
L
H
X
I / O
数据输出
数据输入
高阻抗
高阻抗
电源电流
I
CCA
I
CCA
I
CCA
I
CCS
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
最大电源电压
输入引脚电压
I / O引脚的电压
工作温度
储存温度
符号
V
CC
最大
V
IN
V
I / O
TOPR
TSTG
条件
评级
7.0
-0.3 *到V
CC
+ 0.3
-0.3到V
CC
+ 0.3
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
V
°C
°C
注意：
*
最小值为-3.0 V下30ns的脉冲宽度。
I / O的电容
在Ta = 25 ° C，F = 1兆赫
参数
I / O引脚的电容
输入引脚电容
符号
C
I / O
C
I
V
I / O
= 0 V
V
IN
= 0 V
条件
评级
民
典型值
6
6
最大
10
10
单位
pF
pF
注：所有单位都没有测试;只有样品进行测试。
DC允许的工作范围
在Ta = -40+ 85°C ，V
CC
= 4.5 5.5 V
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
条件
评级
民
4.5
2.2
–0.3*
典型值
5.0
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
注意：
*
最小值为-3.0 V下30ns的脉冲宽度。
第6302-3 / 7
LC35256FM ， FT- 55U / 70U
DC电气特性
在Ta = -40+ 85°C ，V
CC
= 4.5 5.5 V
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电平电压
输出低电平电压
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
CCA2
工作电流消耗
TTL输入
I
CCA3
V
IN
= 0至V
CC
V
CE
= V
IH
或V
OE
= V
IH
或V
WE
= V
IL
,
V
I / O
= 0至V
CC
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.0毫安
V
CE
= V
IL
, I
I / O
= 0 mA时，V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CE
= V
IL
, V
IN
= V
IH
分钟。 LC35256FM ， FT- 55U
循环LC35256FM ， FT- 70U
或V
IL
, I
I / O
= 0 mA时，
税100 ％
1微秒周期
Ta
≤
25°C
待机模式
漏电流
TTL输入
I
CCS2
V
CC
– 0.2 V/
0.2 V输入
I
CCS1
V
CE
≥
V
CC
– 0.2 V,
V
IN
= 0至V
CC
Ta
≤
60°C
Ta
≤
70°C
Ta
≤
85°C
V
CE
= V
IH
, V
IN
= 0至V
CC
40
35
3.5
0.05
1.5
3.0
5.0
1.0
mA
A
条件
评级
民
–1.0
–1.0
2.4
0.4
5.0
45
40
6.0
mA
典型*
最大
+1.0
+1.0
单位
A
A
V
V
mA
注意：
*
参考值时， V
CC
= 5 V和Ta = 25 ℃。
AC电气特性
在Ta = -40+ 85°C ，V
CC
= 4.5 5.5 V
AC测试条件
输入脉冲电压等级： V
IH
= 2.4 V
,
V
IL
= 0.6 V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出定时的水平： 1.5伏
输出负载： 30 pF的+ 1 TTL门（包括夹具电容）
读周期
LC35256FM ， FT
参数
符号
民
读周期时间
地址访问时间
CE访问时间
OE访问时间
输出保持时间
CE输出使能时间
OE输出使能时间
CE输出禁止时间
OE输出禁止时间
t
RC
t
AA
t
CA
t
OA
t
OH
t
COE
t
OOE
t
鳕鱼
t
OOD
10
5
5
20
20
55
55
55
30
10
10
5
30
25
-55U
最大
民
70
70
70
35
-70U
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
写周期
LC35256FM ， FT
参数
符号
民
写周期时间
地址建立时间
把脉冲宽度
CE建立时间
写恢复时间
CE写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
CE数据保持时间
WE输出使能时间
WE输出禁止时间
t
WC
t
AS
t
WP
t
CW
t
WR
t
WR1
t
DS
t
DH
t
DH1
t
WOE
t
WOD
55
0
40
50
0
0
25
0
0
5
20
-55U
最大
民
70
0
50
60
0
0
30
0
0
5
30
-70U
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
第6302-4 / 7
LC35256FM ， FT- 55U / 70U
时序图
[读周期] *
1
TRC
A0到A14
TAA
TCA
CE
TCOE
TOA
OE
TOOE
*5
DOUT1到DOUT8
tOOD
TCOD
TOH
输出数据有效
[写周期1 ] （WE写） *
6
TWC
A0到A14
TCW
*
4
CE
TAS
TWP
*
3
tWR的
WE
数组twoD
*5
DOUT1到DOUT8
TDS
DIN1到DIN8
*2
数据稳定
TDH
*2
tWOE
*7
[写周期2 ] （ CE写） *
6
TWC
A0到A14
TAS
CE
tWR1
TCW
*
4
TWP
*
3
WE
*5
DOUT1到DOUT8
高阻抗
TDS
DIN1到DIN8
tDH1
数据稳定
第6302-5 / 7
订购数量： ENN * 6302
CMOS IC
LC35256FM ， FT- 55U / 70U
256K （ 32768字
×
8比特）的SRAM
控制引脚： OE和CE
初步
概观
该LC35256FM和LC35256FT是异步的
硅栅CMOS SRAM的同一个32K字由8位
结构。这些都是全CMOS器件具有6个晶体管
每个存储单元，并配备了低电压操作，低
工作电流消耗，以及超低的待机电流。
控制输入包括OE快速内存访问和CE
（片选） ，以节省电力和设备选择。这
使这些器件理想适用于要求低的系统
电源或备用电池，并使得内存扩展
容易。超低待机电流使该器件可以
与电容备份使用。
包装尺寸
单位：mm
3187A-SOP28D
[LC35256FM]
28
15
0.15
1
18.0
14
电源电压范围： 4.5 5.5 V
存取时间为5 V工作电压：
LC35256FM ， FT- 55U ： 55毫微秒（最大）
LC35256FM ， FT- 70U ： 70纳秒（最大）
待机电流： 3.0 μA （大
≤
70°C)
5.0 μA （大
≤
85°C)
- 工作温度： -40 + 85°C
数据保持电压： 2.0 5.5 V
所有I / O电平： TTL兼容
输入/输出复用功能引脚，三态输出引脚
无需时钟
包
28引脚SOP （ 450万）塑料封装： LC35256FM
28引脚TSOP （ 8
×
13.4毫米）塑料封装： LC35256FT
0.4
1.27
0.1
2.3
特点
三洋： SOP28D
单位：mm
3221 - TSOP28 （ I型）
[LC35256FT]
21
8
11.8
1.27max
22
28 1
0.55
8.1
7
0.2
0.125
0.08
三洋： TSOP28 （ I型）
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
52600RM （ OT ）第6302-1 / 7
0.5
13.4
1.0
11.8
9.8
8.4
LC35256FM ， FT- 55U / 70U
引脚配置（顶视图）
TSOP28
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
GND
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A14 1
A12 2
A7 3
A6 4
A5 5
A4 6
A3 7
A2 8
A1 9
A0 10
I / O1 11
I / O2 12
I / O 3 13
GND 14
SOP28D
28 VCC
27我们
26 A13
25 A8
24 A9
23 A11
22 OE
21 A10
20 CE
19 I / O8
18 I / O7
17 I / O6
16个I / O5
15 I / O4
LC35256FT
LC35256FM
框图
A6
A7
地址缓冲器
行解码器
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
存储单元阵列
512
×
512
VCC
GND
输入数据缓冲器
I/O8
输入数据
控制电路
I/O1
列I / O
电路
列解码器
产量
数据
卜FF器
地址缓冲器
A0 A1 A2 A3 A4 A5
CE
WE
OE
第6302-2 / 7
LC35256FM ， FT- 55U / 70U
引脚功能
A0到A14
WE
OE
CE
I / O1到I / O8
V
CC
， GND
地址输入
读/写控制输入
输出使能输入
芯片使能输入
数据I / O
电源，接地
功能表
模式
读周期
写周期
输出禁用
未选中
CE
L
L
L
H
OE
L
X
H
X
WE
H
L
H
X
I / O
数据输出
数据输入
高阻抗
高阻抗
电源电流
I
CCA
I
CCA
I
CCA
I
CCS
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
最大电源电压
输入引脚电压
I / O引脚的电压
工作温度
储存温度
符号
V
CC
最大
V
IN
V
I / O
TOPR
TSTG
条件
评级
7.0
-0.3 *到V
CC
+ 0.3
-0.3到V
CC
+ 0.3
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
V
°C
°C
注意：
*
最小值为-3.0 V下30ns的脉冲宽度。
I / O的电容
在Ta = 25 ° C，F = 1兆赫
参数
I / O引脚的电容
输入引脚电容
符号
C
I / O
C
I
V
I / O
= 0 V
V
IN
= 0 V
条件
评级
民
典型值
6
6
最大
10
10
单位
pF
pF
注：所有单位都没有测试;只有样品进行测试。
DC允许的工作范围
在Ta = -40+ 85°C ，V
CC
= 4.5 5.5 V
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
条件
评级
民
4.5
2.2
–0.3*
典型值
5.0
最大
5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
注意：
*
最小值为-3.0 V下30ns的脉冲宽度。
第6302-3 / 7
LC35256FM ， FT- 55U / 70U
DC电气特性
在Ta = -40+ 85°C ，V
CC
= 4.5 5.5 V
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电平电压
输出低电平电压
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
I
CCA2
工作电流消耗
TTL输入
I
CCA3
V
IN
= 0至V
CC
V
CE
= V
IH
或V
OE
= V
IH
或V
WE
= V
IL
,
V
I / O
= 0至V
CC
I
OH
= -1.0毫安
I
OL
= 2.0毫安
V
CE
= V
IL
, I
I / O
= 0 mA时，V
IN
= V
IH
或V
IL
V
CE
= V
IL
, V
IN
= V
IH
分钟。 LC35256FM ， FT- 55U
循环LC35256FM ， FT- 70U
或V
IL
, I
I / O
= 0 mA时，
税100 ％
1微秒周期
Ta
≤
25°C
待机模式
漏电流
TTL输入
I
CCS2
V
CC
– 0.2 V/
0.2 V输入
I
CCS1
V
CE
≥
V
CC
– 0.2 V,
V
IN
= 0至V
CC
Ta
≤
60°C
Ta
≤
70°C
Ta
≤
85°C
V
CE
= V
IH
, V
IN
= 0至V
CC
40
35
3.5
0.05
1.5
3.0
5.0
1.0
mA
A
条件
评级
民
–1.0
–1.0
2.4
0.4
5.0
45
40
6.0
mA
典型*
最大
+1.0
+1.0
单位
A
A
V
V
mA
注意：
*
参考值时， V
CC
= 5 V和Ta = 25 ℃。
AC电气特性
在Ta = -40+ 85°C ，V
CC
= 4.5 5.5 V
AC测试条件
输入脉冲电压等级： V
IH
= 2.4 V
,
V
IL
= 0.6 V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出定时的水平： 1.5伏
输出负载： 30 pF的+ 1 TTL门（包括夹具电容）
读周期
LC35256FM ， FT
参数
符号
民
读周期时间
地址访问时间
CE访问时间
OE访问时间
输出保持时间
CE输出使能时间
OE输出使能时间
CE输出禁止时间
OE输出禁止时间
t
RC
t
AA
t
CA
t
OA
t
OH
t
COE
t
OOE
t
鳕鱼
t
OOD
10
5
5
20
20
55
55
55
30
10
10
5
30
25
-55U
最大
民
70
70
70
35
-70U
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
写周期
LC35256FM ， FT
参数
符号
民
写周期时间
地址建立时间
把脉冲宽度
CE建立时间
写恢复时间
CE写恢复时间
数据建立时间
数据保持时间
CE数据保持时间
WE输出使能时间
WE输出禁止时间
t
WC
t
AS
t
WP
t
CW
t
WR
t
WR1
t
DS
t
DH
t
DH1
t
WOE
t
WOD
55
0
40
50
0
0
25
0
0
5
20
-55U
最大
民
70
0
50
60
0
0
30
0
0
5
30
-70U
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
第6302-4 / 7
LC35256FM ， FT- 55U / 70U
时序图
[读周期] *
1
TRC
A0到A14
TAA
TCA
CE
TCOE
TOA
OE
TOOE
*5
DOUT1到DOUT8
tOOD
TCOD
TOH
输出数据有效
[写周期1 ] （WE写） *
6
TWC
A0到A14
TCW
*
4
CE
TAS
TWP
*
3
tWR的
WE
数组twoD
*5
DOUT1到DOUT8
TDS
DIN1到DIN8
*2
数据稳定
TDH
*2
tWOE
*7
[写周期2 ] （ CE写） *
6
TWC
A0到A14
TAS
CE
tWR1
TCW
*
4
TWP
*
3
WE
*5
DOUT1到DOUT8
高阻抗
TDS
DIN1到DIN8
tDH1
数据稳定
第6302-5 / 7
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