LC类型
EIA 3类，半导体类
减少钛铁矿盘陶瓷电容器
EIA 3级降低榍盘陶瓷电容
非常适用于晶体管化迂曲用于旁路和
耦合应用。
亮点
电容范围：
电压范围：
公差：
工作温度范围：
绝缘电阻：
击穿电压：
功率因数：
引线长度：
高容量
功率因数低
卓越的射频阻抗
符合RS - 198℃为3类瓷介电容器
径向引线
特定网络阳离子
评级
帽
(F)
.010
.100
0.01至0.10 μF
25 VDC
±20%
-30 ° C至+85°C
1兆欧最小
2.5倍额定（5秒以内。 ）
1.5 ％最大。 @ 1千赫
1.0英寸最低
目录
产品型号
TOL 。
(±)
温度。
COEF 。
25 VDC
D
T
SIZE
S
d
D
（英寸）
SIZE
T
S
d
（毫米）
.025
.025
6.0
12.6
3.5
3.5
6.4
6.4
.6
.6
LC103M
LC104M
20%
20%
Y5R *
Y5R *
.235
.495
.138
.138
.250
.250
*超过额定温度最大容量变化： ± 15 ％
身体特定网络阳离子
最大
最大
案例：
保形涂料
导线材料：
镀锡铜线。 （最低铅含量： 5 ％ ）
磁带和卷轴可根据要求提供
引线形成为0.200 （ 5.0毫米）引线间距
当d小于0.315 （ 8.0毫米）
- 数量/卷= 2500个
磁带和卷轴不适用于大于0.472 “ （12毫米）
涂布于信息：
0.08" (2mm) Max (½ 500V Ratings)
0.118" （3毫米）最大（ 500V等级）
0.16" (4mm) Max (½ 1kV Ratings)
1"分钟
L = （ 25.4毫米）的
S
d
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