【乐山无线电公司， LTD 。功率MOSFET200毫安， 50伏N沟道SC- 70典型的应用是DC-】,IC型号LBSS138WT1G,LBSS138WT1G PDF资料,LBSS138WT1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

乐山无线电公司， LTD 。

功率MOSFET

200毫安， 50伏

N沟道SC- 70

典型的应用是DC-DC转换器，电源管理

便携式及电池供电的产品，如计算机，打印机，

PCMCIA卡，蜂窝式电话和无绳电话。

低阈值电压（V

GS （ TH）

： 0.5V ... 1.5V ），使其非常适用于低

电压应用

LBSS138WT1G

小型SC- 70表面贴装封装可节省电路板空间

无铅封装可用。在G-后缀是指一个

无铅无铅封装

CASE 419-02 ，花柱3

SOT - 323 / SC - 70

漏

最大额定值（T

= 25

C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

漏电流

- 连续@ TA = 25°C

- 漏电流脉冲（TP

≤

总功率耗散@ TA = 25℃

工作和存储温度

范围

热电阻 - 结到环境

最大无铅焊接温度的

的目的，对10秒

符号

DSS

英镑

θJA

价值

200

800

150

- 55

150

556

260

°C

° C / W

°C

单位

VDC

门

来源

订购信息

设备

LBSS138WT1G

LBSS138WT3G

记号

航运

3000磁带&卷轴

10000带&卷轴

1/5

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LBSS138WT1G

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

= 0伏，我

= 250

μAdc ）

零栅极电压漏极电流

= 25伏，V

= 0伏）

= 50伏，V

= 0伏）

门源漏电流（V

20伏直流电，V

= 0伏）

基本特征

（注1 ）

门源阈值电压

= V

, I

= 1.0 MADC ）

静态漏 - 源极导通电阻

= 2.75伏，我

< 200 MADC ，T

= -40 ° C至+ 85°C ）

= 5.0伏，我

= 200 MADC ）

正向跨导

= 25伏直流，我

= 200 MADC ， F = 1.0千赫）

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

= 25伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

= 25伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

= 25伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

国际空间站

OSS

RSS

–

3.5

5.0

GS （ TH）

DS （ ON）

–

100

5.6

–

3.5

–

毫姆欧

0.5

–

1.5

VDC

欧

（ BR ） DSS

DSS

–

GSS

–

0.1

0.5

±0.1

μAdc

–

VDC

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

关断延迟时间

= 30伏直流电，我

= 0.2 ADC ，）

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2%.

2.开关特性是独立的工作结温。

D（上）

D（关闭）

–

2/5

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LBSS138WT1G

典型电气特性

0.8

I D ，漏极电流（ AMPS ）

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.9

0.8

I D ，漏极电流（ AMPS ）

VGS = 3.25 V

VGS = 3.0V，

VGS = 2.75 V

VGS = 2.5 V

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

TJ = 25°C

VGS = 3.5 V

VDS = 10V

-55°C

25°C

150°C

VDS ，漏极至源极电压（伏）

VGS ，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

-55

-5

145

0.75

-55

-30

VGS = 4.5 V

ID = 0.5 A

VGS = 10 V

ID = 0.8 A

1.25

图2.传输特性

RDS （ ON），漏极 - 源极电阻

（归一化）

ID = 1.0毫安

VGS （ TH），方差（伏）

1.125

0.875

-5

120

145

TJ ，结温（ ° C）

图3.导通电阻变化与

温度

VGS ，栅极至源极电压（伏）

ID = 200毫安

VDS = 40 V

TJ = 25°C

图4.阈值电压变化

随温度

500

1000

1500

2000

2500

3000

QT间期，总栅极电荷（ PC）

图5.栅极电荷

3/5

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LBSS138WT1G

典型电气特性

RDS （ ON），漏极至源极电阻（欧姆）

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

-55°C

25°C

0.05

0.1

0.15

0.2

25°C

-55°C

0.25

VGS = 2.5 V

150°C

VGS = 2.75 V

150°C

ID ，漏极电流（ AMPS ）

图6.导通电阻与漏电流

RDS （ ON），漏极至源极电阻（欧姆）

5.5

4.5

3.5

2.5

1.5

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

0.45

0.5

-55°C

25°C

4.5

3.5

2.5

1.5

图7.导通电阻与漏电流

VGS = 4.5 V

150°C

VGS = 10 V

150°C

25°C

-55°C

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

0.3

0.35

0.4

0.45

0.5

ID ，漏极电流（ AMPS ）

图8.导通电阻与漏电流

图9.导通电阻与漏电流

I D ，二极管电流（安培）

120

100

0.1

TJ = 150℃

25°C

-55°C

0.01

西塞

科斯

CRSS

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

VSD ，二极管的正向电压（伏）

图10.体二极管正向电压

图11.电容

4/5

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LBSS138WT1G

SC - 70 / SOT- 323

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

暗淡

0.05 (0.002)

英寸毫米

民

马X

民

马X

0.071 0.087

1.80

2.20

0.045 0.053

1.15

1.35

0.032 0.040

0.80

1.00

0.012 0.016

0.30

0.40

0.047 0.055

1.20

1.40

0.000 0.004

0.00

0.10

0.004 0.010

0.10

0.25

0.017 REF

0.425 REF

0.026 BSC

0.650 BSC

0.028 REF

0.700 REF

0.079 0.095

2.00

2.40

0.025

0.65

0.025

0.65

0.075

1.9

0.035

0.9

0.028

0.7

英寸

5/5

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LRC

2019

79600

SOT-323

原装正品钻石品质假一赔十

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5000

SOT23

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98526

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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！

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十年芯路！只有原装！优势MOS场效应管

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一级代理专营，原装现货，价格优势

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原装正品力挺实单

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联系人：李小姐

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只做进口原装正品现货，或订货假一赔十！

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联系人：张女士

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联系人：李小姐

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