LBN150B01
150毫安负载开关具有互补双极晶体管
概述
新产品
LMN150B01是最适合的应用场合的负载
需要进行开启和关闭使用控制电路，如开启
微控制器，比较器等，特别是在一个点的
负载。它具有稳定的离散PNP旁路晶体管
V
CE_SAT
它不依赖于输入电压和
可以支持150 mA（最大值）的连续电流高达
125 ℃下（参见图3）。它还包含一个离散NPN能
被用作对照。该组成装置可以用于
作为电路的一部分，或作为独立的分立器件。
6
5
4
1
2
3
图。 1 ： SOT- 26
CQ1
6
特点
外延平面片建设
非常适合于自动装配程序
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
EQ2
5
CQ2
4
机械数据
案例： SOT- 26
外壳材料：模压塑料。 "Green Molding"
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：完成 - 雾锡比退火铜
引线框架。每MIL-STD -202 ，方法208焊性
标识&类型代码信息：参见第8页
订购信息：参见第8页
重量： 0.016克（近似值）
NPN_MMST3904
Q1
PNP_MMST3906
Q2
1
2
3
EQ1
BQ1
BQ2
图。 2 ：原理图和引脚配置
子组件P / N
MMST3906
MMST3904
参考
Q1
Q2
设备类型
PNP晶体管
NPN晶体管
科幻gure
2
2
最大额定值，器件总
特征
输出电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
OUT
价值
150
单位
mA
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
P
DER
T
j
,T
英镑
R
θJA
价值
300
2.33
-55到+150
417
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
° C / W
特征
功率耗散（注3 ）
上述120电源降额因子
°C
结操作和存储温度范围
热阻，结到环境空气（注3 ）
（相当于PNP晶体管的一个加热的交界处）
注意事项：
1.没有故意添加铅。
2 。二极管公司的"Green"政策，可以在我们的网站上找到在http ： /www.diodes.com/products/lead_free/index.php 。
3.设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;键盘布局上的第9页图所示。
DS30749修订版3 - 2
1 9
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LBN150B01
Diodes公司
最大额定值：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
子组件设备 - 离散PNP晶体管（ Q1 ）
新产品
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出电流 - 连续（注4 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
价值
-40
-40
-6
-200
单位
V
V
V
mA
最大额定值：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
子组件设备 - 离散NPN晶体管（ Q2 ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出电流 - 连续（注4 ）
备注：用于最小化自加热效应4.短持续时间脉冲测试。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
价值
60
40
6
200
单位
V
V
V
mA
DS30749修订版3 - 2
2 9
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LBN150B01
Diodes公司
电气特性：离散PNP晶体管（ Q1 ）
特征
开关特性（注4 ）
集电极 - 基极击穿电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CEX
I
BL
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
民
-40
-40
-6
105
110
直流电流增益
h
FE
120
90
32
10
集电极 - 发射极饱和电压
导通电阻的等效
基射极导通电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE （ SAT ）
R
CE （ SAT ）
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
2
0.1
100
3
250
最大
-50
-50
-50
-50
-50
-0.08
-0.15
-0.5
2.5
-0.92
-0.95
-1.1
4
8
12
10
400
60
4
35
35
225
75
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
单位
V
V
V
nA
nA
nA
nA
nA
V
Ω
V
V
测试条件
I
C
= -10uA ，我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ，我
B
= 0
B
新产品
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
集电极 - 基极截断电流
集电极 - 发射极断路开关电流
发射基截断电流
基本特征（注4 ）
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -30V, V
EB （O FF ）
= -3.0V
V
CE
= -30V, V
EB （O FF ）
= -3.0V
V
CB
= -30V ，我
E
= 0
V
CE
= -30V ，我
B
= 0
B
V
EB
= -5V ，我
C
= 0
V
CE
= -1V ，我
C
= -100
μA
V
CE
= -1V ，我
C
= -1毫安
V
CE
= -1V ，我
C
= -10毫安
V
CE
= -1V ，我
C
= -50毫安
V
CE
= -1V ，我
C
= -100毫安
V
CE
= -1V ，我
C
= -200毫安
I
C
= - 10毫安，我
B
= -1毫安
B
I
C
= -50mA ，我
B
= -5mA
I
C
= -200mA ，我
B
= -20mA
I
C
= -200mA ，我
B
= -20mA
B
V
CE
= -5V ，我
C
= -200mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -1mA
B
I
C
= -50mA ，我
B
= -5mA
B
C
敖包
C
IBO
h
IE
h
RE
h
FE
h
OE
f
T
NF
pF
pF
K
Ω
X 10E - 4
μS
兆赫
dB
ns
ns
ns
ns
V
CB
= -5.0 V，F = 1.0 MHz时，我
E
= 0
V
EB
= -5.0 V，F = 1.0 MHz时，我
C
= 0
V
CE
= 1.0V ， IC = 10毫安， F = 1.0千赫
V
CE
= - 20V ，我
C
= -10mA ， F = 100 MHz的
V
CE
= - 5V ， IC = -100微安，R
s
= 1Ω,
F = 1千赫
V
CC
= -3.0 V，I
C
= -10毫安，
V
BE （OFF）的
= 0.5V ，我
B1
= -1.0毫安
V
CC
= -3.0 V，I
C
= -10毫安，
I
B1
= I
B2
= -1.0毫安
t
d
t
r
t
s
t
f
DS30749修订版3 - 2
3 9
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电气特性：离散NPN晶体管（ Q2 ）
特征
开关特性（注4 ）
集电极 - 基极击穿电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CEX
I
BL
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
民
60
40
6
150
170
直流电流增益
h
FE
160
70
30
12
集电极 - 发射极饱和电压
导通电阻的等效
基射极导通电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
噪声系数
开关特性
延迟时间
上升时间
V
CE （ SAT ）
R
CE （ SAT ）
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
2
0.1
100
3
250
最大
50
50
50
50
50
0.08
0.16
0.36
1.8
0.98
0.95
1.1
4
8
12
10
400
60
4
35
35
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
单位
V
V
V
nA
nA
nA
nA
nA
V
Ω
V
V
测试条件
I
C
=为10uA ，我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
B
新产品
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
集电极 - 基极截断电流
集电极 - 发射极断路开关电流
发射基截断电流
基本特征（注4 ）
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 30V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
CE
= 30V, V
EB （O FF ）
= 3.0V
V
CB
= 30V ，我
E
= 0
V
CE
= 30V ，我
B
= 0
B
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 1V ，我
C
= 100
μA
V
CE
= 1V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 50毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 100毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 200毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
B
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
I
C
=的200mA，我
B
= 20mA下
I
C
=的200mA，我
B
= 20mA下
B
V
CE
= 5V ，我
C
= 200毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
B
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
B
C
敖包
C
IBO
h
IE
h
RE
h
FE
h
OE
f
T
NF
pF
pF
K
Ω
X 10E - 4
μS
兆赫
dB
ns
ns
V
CB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz时，我
E
= 0
V
EB
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz时，我
C
= 0
V
CE
= 1.0V ， IC = 10毫安， F = 1.0千赫
V
CE
= 20V ，我
C
= 0毫安， F = 100 MHz的
V
CE
= 5V ， IC = 100微安，R
s
= 1Ω,
F = 1千赫
V
CC
= -3.0 V，I
C
= 10毫安，
V
BE （OFF）的
= 0.5V ，我
B1
= 1.0毫安
t
d
t
r
典型特征
350
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 3 ，最大功耗与
环境温度
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