乐山无线电公司， LTD 。
双路通用晶体管
NPN / PNP偶（免费）
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -363 / SC- 88，它是
专为低功率表面贴装应用。
我们声明该产品符合与材料
RoHS要求。
器件标识：
LBC846BPDW1T1G = BB
LBC847CPDW1T1G = 3G
LBC848CPDW1T1G = 13L
订购信息
设备
LBC846BPDW1T1G_S
LBC846BPDW1T3G_S
航运
3000个/卷
10000个/卷
LBC846BPDW1T1G
LBC847BPDW1T1G
LBC847CPDW1T1G
LBC848BPDW1T1G
LBC848CPDW1T1G
6
5
4
LBC847BPDW1T1G = 3F
LBC848BPDW1T1G = 13K
1
2
3
SOT-363/SC-88
CASE 419B风格1
3
2
1
最大额定值 - NPN
等级
集热器
-
发射极电压
集热器
-
基极电压
辐射源
-
基极电压
集电极电流 -
连续
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
LBC846 LBC847 LBC848
65
80
6.0
100
45
50
6.0
100
30
30
5.0
100
单位
V
V
V
MADC
Q
1
Q
2
4
5
6
器件标识
最大额定值 - PNP
等级
集热器
-
发射极电压
集热器
-
基极电压
辐射源
-
基极电压
集电极电流 -
连续
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
LBC846 LBC847 LBC848
单位
V
V
V
MADC
请参阅表
-
65
-
80
-
5.0
-
100
-
45
-
50
-
5.0
-
100
-
30
-
30
-
5.0
-
100
热特性
特征
器件总功耗
每个器件
FR
-
第5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结存储
温度范围
1. FR
-
5 = 1.0× 0.75× 0.062的
符号
PD
最大
380
250
单位
mW
3.0
R
θJA
TJ ， TSTG
328
-55到+150
毫瓦/°C的
° C / W
C
1/9
乐山无线电公司， LTD 。
LBC846BPDW1T1G LBC847BPDW1T1G系列， LBC848BPDW1T1G系列
电气特性（ NPN ）
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10 mA）的
V（ BR ） CEO
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
V（ BR ） CES
LBC846系列
LBC847B只有
LBC848系列
V（ BR ） CBO
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
V（ BR ） EBO
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
ICBO
6.0
6.0
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
5.0
nA
A
80
50
30
—
—
—
—
—
—
V
80
50
30
—
—
—
—
—
—
V
65
45
30
—
—
—
—
—
—
V
V
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10
A,
VEB = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
毫安）
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0
毫安）
集电极截止电流（ VCB = 30 V）
（ VCB = 30 V ， TA = 150 ° C）
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10
A,
VCE = 5.0 V）
的hFE
LBC846B ， LBC847B ， LBC848B
LBC847C ， LBC848C
LBC846B ， LBC847B ， LBC848B
LBC847C ， LBC848C
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
—
—
200
420
—
—
—
—
580
—
150
270
290
520
—
—
0.7
0.9
660
—
—
—
475
800
0.25
0.6
—
—
700
770
V
V
mV
—
（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的
基射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
基射极饱和电压
（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的
基射极电压（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
基射极电压
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（ VCB = 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = 0.2 mA时， VCE = 5.0伏， RS = 2.0千欧， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
fT
科博
NF
—
—
10
100
—
—
—
—
4.5
兆赫
pF
dB
2/9
乐山无线电公司， LTD 。
LBC846BPDW1T1G LBC847BPDW1T1G系列， LBC848BPDW1T1G系列
电气特性（ PNP ）
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10毫安）
V（ BR ） CEO
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
V（ BR ） CES
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
V（ BR ） CBO
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
V（ BR ） EBO
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
ICBO
–5.0
–5.0
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–15
–4.0
nA
A
–80
–50
–30
—
—
—
—
—
—
V
–80
–50
–30
—
—
—
—
—
—
V
–65
–45
–30
—
—
—
—
—
—
V
V
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10
A,
VEB = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
毫安）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -1.0
毫安）
集电极截止电流（ VCB = -30 V）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -30 V， TA = 150 ° C）
基本特征
直流电流增益
（ IC = -10
A,
VCE = -5.0 V）
的hFE
LBC846B ， LBC847B ， LBC848B
LBC847C ， LBC848C
LBC846B ， LBC847B ， LBC848B
LBC847C ， LBC848C
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
—
—
VBE （ON）的
–0.6
—
—
—
–0.75
–0.82
–0.7
–0.9
—
—
V
—
—
–0.3
–0.65
V
—
—
200
420
150
270
290
520
—
—
475
800
V
—
（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）
（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）
（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）
基射极电压ON
（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0 V）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = -0.2毫安， VCE = -5.0伏， RS = 2.0 kΩ的，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
fT
COB
NF
100
—
—
—
—
—
—
4.5
10
兆赫
pF
dB
3/9
乐山无线电公司， LTD 。
LBC846BPDW1T1G LBC847BPDW1T1G系列， LBC848BPDW1T1G系列
NPN典型特征 - LBC846
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = 5 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
10
100
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
TA = 25°C
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
VBE @ VCE = 5.0 V
IC ，集电极电流（毫安）
图1.直流电流增益
图2. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 25°C
1.6
20毫安
1.2
0.8
0.4
0
IC =
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
-1.0
-1.4
-1.8
-2.2
-2.6
-3.0
θ
VB的VBE
-55 ° C至125°C
0.02
0.05
0.1
1.0 2.0
0.2
0.5
IB ，基极电流（毫安）
5.0
10
20
0.2
0.5
1.0
10 20
5.0
IC ，集电极电流（毫安）
2.0
50
100
200
图3.集电极饱和区
图4.基射极温度系数
TA = 25°C
C，电容（pF ）
20
兴业银行
F T ，电流增益 - 带宽积
40
500
200
100
50
20
VCE = 5 V
TA = 25°C
10
6.0
4.0
COB
2.0
0.1
0.2
0.5
5.0
1.0 2.0
10 20
VR ，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
IC ，集电极电流（毫安）
图5.电容
图6.电流增益 - 带宽积
4/9
乐山无线电公司， LTD 。
LBC846BPDW1T1G LBC847BPDW1T1G系列， LBC848BPDW1T1G系列
PNP典型特征 - LB C846
-1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = -5.0 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
-0.1 -0.2
-1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200
IC ，集电极电流（ AMP ）
V，电压（V ）
TJ = 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
-0.2
-0.5
-50 -100 -200
-1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
IC ，集电极电流（毫安）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = -5.0 V
图7.直流电流增益
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
TJ = 25°C
0
-0.02
-0.05 -0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
IB ，基极电流（毫安）
-5.0
-10
-20
IC =
-10毫安
-20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
-1.0
-1.4
-1.8
-2.2
-2.6
-3.0
-0.2
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VB的VBE
-55 ° C至125°C
-0.5 -1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100 -200
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
TJ = 25°C
兴业银行
500
200
100
50
20
VCE = -5.0 V
C，电容（pF ）
20
10
8.0
6.0
4.0
2.0
-0.1 -0.2
COB
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
VR ，反向电压（伏）
-50 -100
-100
-1.0
-10
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
5/9
乐山无线电公司， LTD 。
双路通用晶体管
NPN / PNP偶（免费）
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -363 / SC- 88，它是
专为低功率表面贴装应用。
我们声明该产品符合与材料
RoHS要求。
订购信息
设备
LBC846BPDW1T1G
LBC846BPDW1T3G
LBC847BPDW1T1G
LBC847BPDW1T3G
LBC847CPDW1T1G
LBC847CPDW1T3G
LBC848BPDW1T1G
LBC848BPDW1T3G
LBC848CPDW1T1G
LBC848CPDW1T3G
记号
航运
3000个/卷
10000个/卷
3000个/卷
10000个/卷
3000个/卷
10000个/卷
3000个/卷
10000个/卷
3000个/卷
10000个/卷
3
2
1
1
2
3
6
5
4
LBC846BPDW1T1G
LBC847BPDW1T1G
LBC847CPDW1T1G
LBC848BPDW1T1G
LBC848CPDW1T1G
BB
BB
BF
BF
BG
BG
BK
BK
BL
BL
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
SOT-363/SC-88
CASE 419B风格1
最大额定值 - NPN
等级
集热器
-
发射极电压
集热器
-
基极电压
辐射源
-
基极电压
集电极电流 -
连续
LBC846 LBC847 LBC848
65
80
6.0
100
45
50
6.0
100
30
30
5.0
100
单位
V
V
V
MADC
Q
1
Q
2
4
5
6
器件标识
最大额定值 - PNP
等级
集热器
-
发射极电压
集热器
-
基极电压
辐射源
-
基极电压
集电极电流 -
连续
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
LBC846 LBC847 LBC848
单位
V
V
V
MADC
请参阅表
-
65
-
80
-
5.0
-
100
-
45
-
50
-
5.0
-
100
-
30
-
30
-
5.0
-
100
热特性
特征
器件总功耗
每个器件
FR
-
第5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结存储
温度范围
1. FR
-
5 = 1.0× 0.75× 0.062的
符号
PD
最大
380
250
单位
mW
3.0
R
θJA
TJ ， TSTG
328
-55到+150
毫瓦/°C的
° C / W
C
Rev.O 1/9
乐山无线电公司， LTD 。
LBC846BPDW1T1G LBC847BPDW1T1G系列， LBC848BPDW1T1G系列
电气特性（ NPN ）
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10 mA）的
V（ BR ） CEO
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
V（ BR ） CES
LBC846系列
LBC847B只有
LBC848系列
V（ BR ） CBO
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
V（ BR ） EBO
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
ICBO
6.0
6.0
5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
5.0
nA
A
80
50
30
—
—
—
—
—
—
V
80
50
30
—
—
—
—
—
—
V
65
45
30
—
—
—
—
—
—
V
V
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 10
A,
VEB = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 10
毫安）
发射极 - 基极击穿电压
（ IE = 1.0
毫安）
集电极截止电流（ VCB = 30 V）
（ VCB = 30 V ， TA = 150 ° C）
基本特征
直流电流增益
（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
LBC846B ， LBC847B ， LBC848B
LBC847C ， LBC848C
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的
基射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的
基射极饱和电压
（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的
基射极电压（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）
基射极电压
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
的hFE
200
420
—
—
—
—
580
—
290
520
—
—
0.7
0.9
660
—
475
800
0.25
0.6
—
—
700
770
V
V
mV
—
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（ VCB = 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = 0.2 mA时， VCE = 5.0伏， RS = 2.0千欧， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
fT
科博
NF
—
—
10
100
—
—
—
—
4.5
兆赫
pF
dB
Rev.O 2/9
乐山无线电公司， LTD 。
LBC846BPDW1T1G LBC847BPDW1T1G系列， LBC848BPDW1T1G系列
电气特性（ PNP ）
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10毫安）
V（ BR ） CEO
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
V（ BR ） CES
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
V（ BR ） CBO
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
V（ BR ） EBO
LBC846系列
LBC847系列
LBC848系列
ICBO
–5.0
–5.0
–5.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–15
–4.0
nA
A
–80
–50
–30
—
—
—
—
—
—
V
–80
–50
–30
—
—
—
—
—
—
V
–65
–45
–30
—
—
—
—
—
—
V
V
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10
A,
VEB = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
毫安）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -1.0
毫安）
集电极截止电流（ VCB = -30 V）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -30 V， TA = 150 ° C）
基本特征
直流电流增益
（ IC = -10
A,
VCE = -5.0 V）
的hFE
LBC846B ， LBC847B ， LBC848B
LBC847C ， LBC848C
LBC846B ， LBC847B ， LBC848B
LBC847C ， LBC848C
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
—
—
VBE （ON）的
–0.6
—
—
—
–0.75
–0.82
–0.7
–0.9
—
—
V
—
—
–0.3
–0.65
V
—
—
200
420
150
270
290
520
—
—
475
800
V
—
（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）
（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）
基射极饱和电压
（ IC = -10毫安， IB = -0.5毫安）
（ IC = -100毫安， IB = -5.0毫安）
基射极电压ON
（ IC = -2.0毫安， VCE = -5.0 V）
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0 V）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = -10毫安， VCE = -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
（ IC = -0.2毫安， VCE = -5.0伏， RS = 2.0 kΩ的，
F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
fT
COB
NF
100
—
—
—
—
—
—
4.5
10
兆赫
pF
dB
Rev.O 3/9
乐山无线电公司， LTD 。
LBC846BPDW1T1G LBC847BPDW1T1G系列， LBC848BPDW1T1G系列
NPN典型特征 - LBC846
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = 5 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
10
100
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
TA = 25°C
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
VBE @ VCE = 5.0 V
IC ，集电极电流（毫安）
图1.直流电流增益
图2. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
TA = 25°C
1.6
20毫安
1.2
0.8
0.4
0
IC =
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
-1.0
-1.4
-1.8
-2.2
-2.6
-3.0
θ
VB的VBE
-55 ° C至125°C
0.02
0.05
0.1
1.0 2.0
0.2
0.5
IB ，基极电流（毫安）
5.0
10
20
0.2
0.5
1.0
10 20
5.0
IC ，集电极电流（毫安）
2.0
50
100
200
图3.集电极饱和区
图4.基射极温度系数
TA = 25°C
C，电容（pF ）
20
兴业银行
F T ，电流增益 - 带宽积
40
500
200
100
50
20
VCE = 5 V
TA = 25°C
10
6.0
4.0
COB
2.0
0.1
0.2
0.5
5.0
1.0 2.0
10 20
VR ，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
IC ，集电极电流（毫安）
图5.电容
图6.电流增益 - 带宽积
Rev.O 4/9
乐山无线电公司， LTD 。
LBC846BPDW1T1G LBC847BPDW1T1G系列， LBC848BPDW1T1G系列
PNP典型特征 - LB C846
-1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
VCE = -5.0 V
TA = 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
-0.1 -0.2
-1.0 -2.0 -5.0 -10 -20 -50 -100 -200
IC ，集电极电流（ AMP ）
V，电压（V ）
TJ = 25°C
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
-0.2
-0.5
-50 -100 -200
-1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
IC ，集电极电流（毫安）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = -5.0 V
图7.直流电流增益
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
TJ = 25°C
0
-0.02
-0.05 -0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
IB ，基极电流（毫安）
-5.0
-10
-20
IC =
-10毫安
-20毫安
-50毫安
-100毫安-200毫安
-1.0
-1.4
-1.8
-2.2
-2.6
-3.0
-0.2
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
θ
VB的VBE
-55 ° C至125°C
-0.5 -1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100 -200
IC ，集电极电流（毫安）
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
F T ，电流增益 - 带宽积
40
TJ = 25°C
兴业银行
500
200
100
50
20
VCE = -5.0 V
C，电容（pF ）
20
10
8.0
6.0
4.0
2.0
-0.1 -0.2
COB
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
VR ，反向电压（伏）
-50 -100
-100
-1.0
-10
IC ，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
Rev.O 5/9
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