【乐山无线电公司， LTD 。通用晶体管NPN硅湿度敏感度等级： 1ESD额定值 - 人体模型： &g】,IC型号LBC848BLT1,LBC848BLT1 PDF资料,LBC848BLT1经销商,ic,电子元器件-51电子网

乐山无线电公司， LTD 。

通用晶体管

NPN硅

湿度敏感度等级： 1

ESD额定值 - 人体模型： >4000 V

ESD额定值

- 机器型号： >400 V

无铅包可用

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

LBC846

LBC847 ， LBC850

LBC848 ， LBC849

集电极 - 基极电压

LBC846

LBC847 ， LBC850

LBC848 ， LBC849

发射极 - 基极电压

LBC846

LBC847 ， LBC850

LBC848 ， LBC849

连续集电极电流 -

IC

VEBO

6.0

5.0

100

MADC

VCBO

80

50

30

VDC

2

EMIT牛逼ER

1

LBC846ALT1

系列

3

符号

VCEO

价值

65

45

30

单位

VDC

2

SOT–23

VDC

3

收集或

1

B酶

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注1 ）

TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境（注1 ）

器件总功耗

氧化铝基板（注2 ）

TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境（注2 ）

结存储

温度范围

符号

PD

最大

225

单位

mW

标记图

3

xx

1.8

R

qJA

PD

556

300

毫瓦/°C的

° C / W

mW

XX =器件标识

（见下表）

2.4

R

qJA

TJ ， TSTG

417

-55

+150

毫瓦/°C的

° C / W

°C

在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062

2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

LBC846ALT1S-1/6

乐山无线电公司， LTD 。

LBC846ALT1系列

设备标记和订购信息

设备

LBC846ALT1

LBC846ALT1G

LBC846BLT1

LBC846BLT1G

LBC847ALT1

LBC847ALT1G

LBC847BLT1

LBC847BLT1G

LBC847CLT1

LBC847CLT1G

LBC848ALT1

LBC848ALT1G

LBC848BLT1

LBC848BLT1G

LBC848CLT1

LBC848CLT1G

LBC849BLT1

LBC849BLT1G

LBC849CLT1

LBC849CLT1G

LBC850BLT1

LBC850BLT1G

LBC850CLT1

LBC850CLT1G

记号

1A

（无铅）

1B

（无铅）

1E

（无铅）

1F

（无铅）

1G

（无铅）

1J

（无铅）

1K

（无铅）

1L

（无铅）

2B

（无铅）

2C

（无铅）

2F

（无铅）

2G

（无铅）

包

SOT-23

航运

3000/Tape&Reel

LBC846ALT1S-2/6

乐山无线电公司， LTD 。

LBC846ALT1系列

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

LBC846A,B

（ IC = 10 mA）的

LBC847A ， B，C ， LBC850B ，C

LBC848A ， B，C ， LBC849B ，C

集电极 - 发射极击穿电压

LBC846A,B

（ IC = 10

A,

VEB = 0）的

LBC847A ， B，C ， LBC850B ，C

LBC848A ， B，C ， LBC849B ，C

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = 10

毫安）

发射极 - 基极击穿电压

（ IE = 1.0

毫安）

集电极截止电流（ VCB = 30 V）

（ VCB = 30 V ， TA = 150 ° C）

LBC846A,B

LBC847A ， B，C ， LBC850B ，C

LBC848A ， B，C ， LBC849B ，C

LBC846A,B

LBC847A ， B，C ， LBC850B ，C

LBC848A ， B，C ， LBC849B ，C

V（ BR ） CEO

65

45

30

80

50

30

80

50

30

6.0

5.0

–

15

5.0

V

V（ BR ） CES

V

V（ BR ） CBO

V

V（ BR ） EBO

V

ICBO

nA

A

基本特征

直流电流增益

（ IC = 10

A,

VCE = 5.0 V）

LBC846A ， LBC847A ， LBC848A

LBC846B ， LBC847B ， LBC848B

LBC847C ， LBC848C

LBC846A ， LBC847A ， LBC848A

LBC846B ， LBC847B ， LBC848B ，

LBC849B ， LBC850B

LBC847C ， LBC848C ， LBC849C ， LBC850C

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

VBE （ON）的

的hFE

–

110

200

420

–

580

–

90

150

270

180

290

520

–

0.7

0.9

660

–

220

450

800

0.25

0.6

–

700

770

V

mV

–

（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）

集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的

基射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的

基射极饱和电压

（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的

基射极电压（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）

基射极电压

（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V）

小信号特性

电流增益 - 带宽积

（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）

输出电容（ VCB = 10 V ， F = 1.0兆赫）

噪声系数（ IC = 0.2 mA时，

（ VCE = 5.0伏， RS = 2.0千欧

F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）

LBC846A ， B， LBC847A ， B，C ， LBC848A ， B，C

LBC849B ，C ， LBC850B ，C

fT

科博

NF

–

10

4.0

100

–

4.5

兆赫

pF

dB

LBC846ALT1S-3/6

乐山无线电公司， LTD 。

LBC846ALT1系列

LBC847 ， LBC848 ， LBC849 ， LBC850

2.0

的hFE ，规范直流电流增益

1.5

1.0

0.8

0.6

0.4

0.3

0.2

VCE = 10 V

TA = 25°C

V，电压（V ）

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.2

0.5

50

1.0

20

2.0

5.0 10

IC ，集电极电流（ MADC ）

100

200

0

0.1

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30

IC ，集电极电流（ MADC ）

50 70 100

TA = 25°C

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

VBE （ ON） @ VCE = 10 V

图1.归DC电流增益

2.0

TA = 25°C

1.6

IC = 200毫安

1.2

0.8

0.4

0

IC = IC = IC = 50毫安

10毫安20毫安

IC = 100毫安

1.0

图2. “饱和度”和“开”电压

VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）

θ

VB ，温度系数（毫伏/

°

C)

-55 ° C至+ 125°C

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

0.02

0.1

1.0

IB ，基极电流（毫安）

10

20

0.2

10

1.0

IC ，集电极电流（毫安）

100

图3.集电极饱和区

10

7.0

C，电容（pF ）

5.0

3.0

COB

2.0

兴业银行

TA = 25°C

F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）

400

300

200

图4.基射极温度系数

100

80

60

40

30

20

0.5 0.7

1.0

VCE = 10 V

TA = 25°C

1.0

0.4 0.6 0.8 1.0

4.0 6.0 8.0 10

2.0

VR ，反向电压（伏）

20

40

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

IC ，集电极电流（ MADC ）

30

50

图5的电容

图6.电流增益 - 带宽积

LBC846ALT1S-4/6

乐山无线电公司， LTD 。

LBC846

1.0

的hFE ， DC电流增益（标准化）

VCE = 5 V

TA = 25°C

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1 0.2

10

100

1.0

IC ，集电极电流（毫安）

V，电压（V ）

TA = 25°C

0.8

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

0.6

0.4

0.2

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0

0.2

0.5

1.0

VBE @ VCE = 5.0 V

LBC846ALT1系列

10 20

2.0

5.0

IC ，集电极电流（毫安）

50

100

200

图7.直流电流增益

2.0

TA = 25°C

1.6

20毫安

1.2

0.8

0.4

0

IC =

10毫安

50毫安

百毫安

200毫安

-1.0

-1.4

-1.8

图8. “开”电压

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

θ

VB ，温度系数（毫伏/

°

C)

θ

VB的VBE

-2.2

-2.6

-3.0

-55 ° C至125°C

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0 2.0

IB ，基极电流（毫安）

5.0

10

20

0.2

0.5

10 20

1.0 2.0

5.0

IC ，集电极电流（毫安）

50

100

200

图9.集电极饱和区

图10.基射极温度系数

TA = 25°C

C，电容（pF ）

20

兴业银行

F T ，电流增益 - 带宽积

40

500

200

100

50

20

VCE = 5 V

TA = 25°C

10

6.0

4.0

COB

2.0

0.1

0.2

1.0 2.0

10 20

0.5

5.0

VR ，反向电压（伏）

50

100

1.0

5.0 10

50 100

IC ，集电极电流（毫安）

图11.电容

图12.电流增益 - 带宽积

LBC846ALT1S-5/6

乐山无线电公司， LTD 。

通用晶体管

NPN硅

湿度敏感度等级： 1

ESD额定值 - 人体模型： >4000 V

ESD额定值

- 机器型号： >400 V

无铅包可用

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

LBC846

LBC847 ， LBC850

LBC848 ， LBC849

集电极 - 基极电压

LBC846

LBC847 ， LBC850

LBC848 ， LBC849

发射极 - 基极电压

LBC846

LBC847 ， LBC850

LBC848 ， LBC849

连续集电极电流 -

IC

VEBO

6.0

5.0

100

MADC

VCBO

80

50

30

VDC

2

EMIT牛逼ER

1

LBC846ALT1

系列

3

符号

VCEO

价值

65

45

30

单位

VDC

2

SOT–23

VDC

3

收集或

1

B酶

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注1 ）

TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境（注1 ）

器件总功耗

氧化铝基板（注2 ）

TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境（注2 ）

结存储

温度范围

符号

PD

最大

225

单位

mW

标记图

3

xx

1.8

R

qJA

PD

556

300

毫瓦/°C的

° C / W

mW

XX =器件标识

（见下表）

2.4

R

qJA

TJ ， TSTG

417

-55

+150

毫瓦/°C的

° C / W

°C

在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062

2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。

LBC846ALT1S-1/6

乐山无线电公司， LTD 。

LBC846ALT1系列

设备标记和订购信息

设备

LBC846ALT1

LBC846ALT1G

LBC846BLT1

LBC846BLT1G

LBC847ALT1

LBC847ALT1G

LBC847BLT1

LBC847BLT1G

LBC847CLT1

LBC847CLT1G

LBC848ALT1

LBC848ALT1G

LBC848BLT1

LBC848BLT1G

LBC848CLT1

LBC848CLT1G

LBC849BLT1

LBC849BLT1G

LBC849CLT1

LBC849CLT1G

LBC850BLT1

LBC850BLT1G

LBC850CLT1

LBC850CLT1G

记号

1A

（无铅）

1B

（无铅）

1E

（无铅）

1F

（无铅）

1G

（无铅）

1J

（无铅）

1K

（无铅）

1L

（无铅）

2B

（无铅）

2C

（无铅）

2F

（无铅）

2G

（无铅）

包

SOT-23

航运

3000/Tape&Reel

LBC846ALT1S-2/6

乐山无线电公司， LTD 。

LBC846ALT1系列

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

LBC846A,B

（ IC = 10 mA）的

LBC847A ， B，C ， LBC850B ，C

LBC848A ， B，C ， LBC849B ，C

集电极 - 发射极击穿电压

LBC846A,B

（ IC = 10

A,

VEB = 0）的

LBC847A ， B，C ， LBC850B ，C

LBC848A ， B，C ， LBC849B ，C

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = 10

毫安）

发射极 - 基极击穿电压

（ IE = 1.0

毫安）

集电极截止电流（ VCB = 30 V）

（ VCB = 30 V ， TA = 150 ° C）

LBC846A,B

LBC847A ， B，C ， LBC850B ，C

LBC848A ， B，C ， LBC849B ，C

LBC846A,B

LBC847A ， B，C ， LBC850B ，C

LBC848A ， B，C ， LBC849B ，C

V（ BR ） CEO

65

45

30

80

50

30

80

50

30

6.0

5.0

–

15

5.0

V

V（ BR ） CES

V

V（ BR ） CBO

V

V（ BR ） EBO

V

ICBO

nA

A

基本特征

直流电流增益

（ IC = 10

A,

VCE = 5.0 V）

LBC846A ， LBC847A ， LBC848A

LBC846B ， LBC847B ， LBC848B

LBC847C ， LBC848C

LBC846A ， LBC847A ， LBC848A

LBC846B ， LBC847B ， LBC848B ，

LBC849B ， LBC850B

LBC847C ， LBC848C ， LBC849C ， LBC850C

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

VBE （ON）的

的hFE

–

110

200

420

–

580

–

90

150

270

180

290

520

–

0.7

0.9

660

–

220

450

800

0.25

0.6

–

700

770

V

mV

–

（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）

集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的

基射极饱和电压（ IC = 10 mA时， IB = 0.5 mA）的

基射极饱和电压

（ IC = 100 mA时， IB = 5.0 mA）的

基射极电压（ IC = 2.0 mA时， VCE = 5.0 V）

基射极电压

（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V）

小信号特性

电流增益 - 带宽积

（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）

输出电容（ VCB = 10 V ， F = 1.0兆赫）

噪声系数（ IC = 0.2 mA时，

（ VCE = 5.0伏， RS = 2.0千欧

F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）

LBC846A ， B， LBC847A ， B，C ， LBC848A ， B，C

LBC849B ，C ， LBC850B ，C

fT

科博

NF

–

10

4.0

100

–

4.5

兆赫

pF

dB

LBC846ALT1S-3/6

乐山无线电公司， LTD 。

LBC846ALT1系列

LBC847 ， LBC848 ， LBC849 ， LBC850

2.0

的hFE ，规范直流电流增益

1.5

1.0

0.8

0.6

0.4

0.3

0.2

VCE = 10 V

TA = 25°C

V，电压（V ）

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.2

0.5

50

1.0

20

2.0

5.0 10

IC ，集电极电流（ MADC ）

100

200

0

0.1

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30

IC ，集电极电流（ MADC ）

50 70 100

TA = 25°C

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

VBE （ ON） @ VCE = 10 V

图1.归DC电流增益

2.0

TA = 25°C

1.6

IC = 200毫安

1.2

0.8

0.4

0

IC = IC = IC = 50毫安

10毫安20毫安

IC = 100毫安

1.0

图2. “饱和度”和“开”电压

VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）

θ

VB ，温度系数（毫伏/

°

C)

-55 ° C至+ 125°C

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

0.02

0.1

1.0

IB ，基极电流（毫安）

10

20

0.2

10

1.0

IC ，集电极电流（毫安）

100

图3.集电极饱和区

10

7.0

C，电容（pF ）

5.0

3.0

COB

2.0

兴业银行

TA = 25°C

F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）

400

300

200

图4.基射极温度系数

100

80

60

40

30

20

0.5 0.7

1.0

VCE = 10 V

TA = 25°C

1.0

0.4 0.6 0.8 1.0

4.0 6.0 8.0 10

2.0

VR ，反向电压（伏）

20

40

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

IC ，集电极电流（ MADC ）

30

50

图5的电容

图6.电流增益 - 带宽积

LBC846ALT1S-4/6

乐山无线电公司， LTD 。

LBC846

1.0

的hFE ， DC电流增益（标准化）

VCE = 5 V

TA = 25°C

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1 0.2

10

100

1.0

IC ，集电极电流（毫安）

V，电压（V ）

TA = 25°C

0.8

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

0.6

0.4

0.2

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0

0.2

0.5

1.0

VBE @ VCE = 5.0 V

LBC846ALT1系列

10 20

2.0

5.0

IC ，集电极电流（毫安）

50

100

200

图7.直流电流增益

2.0

TA = 25°C

1.6

20毫安

1.2

0.8

0.4

0

IC =

10毫安

50毫安

百毫安

200毫安

-1.0

-1.4

-1.8

图8. “开”电压

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

θ

VB ，温度系数（毫伏/

°

C)

θ

VB的VBE

-2.2

-2.6

-3.0

-55 ° C至125°C

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0 2.0

IB ，基极电流（毫安）

5.0

10

20

0.2

0.5

10 20

1.0 2.0

5.0

IC ，集电极电流（毫安）

50

100

200

图9.集电极饱和区

图10.基射极温度系数

TA = 25°C

C，电容（pF ）

20

兴业银行

F T ，电流增益 - 带宽积

40

500

200

100

50

20

VCE = 5 V

TA = 25°C

10

6.0

4.0

COB

2.0

0.1

0.2

1.0 2.0

10 20

0.5

5.0

VR ，反向电压（伏）

50

100

1.0

5.0 10

50 100

IC ，集电极电流（毫安）

图11.电容

图12.电流增益 - 带宽积

LBC846ALT1S-5/6