【polyfet射频器件LB401概述硅VDMOS和LDMOS晶体管专宽带RF应用。适合Militry】,IC型号LB401,LB401 PDF资料,LB401经销商,ic,电子元器件-51电子网

polyfet射频器件

LB401

概述

硅VDMOS和LDMOS

晶体管专

宽带RF应用。

适合Militry收音机，

移动和寻呼放大器基地

站，广播FM / AM ， MRI ，

激光驱动器等。

"Polyfet"工艺特点

较低的反馈和输出电容

导致高F音

晶体管高

输入阻抗和高效率。

硅栅增强型

RF功率LDMOS晶体管

130.0瓦推 - 拉

包装样式LB

高效率，线性

高增益，低噪声

绝对最大额定值（T = 25℃ ）

总

设备

耗散

230瓦

结到

热病例

阻力

0.75 C / W

最大

连接点

温度

200 C

存储

温度

-65 ℃150℃

直流漏

当前

漏

门

电压

70 V

漏

来源

电压

70 V

大门

来源

电压

20 V

13.5 A

射频特性（ 130.0瓦的输出）

符号

全球定位系统

参数

共源功率增益

漏EF网络效率

负载不匹配公差

民

20:1

典型值

最大

单位

测试条件

IDQ = 0.40 ， VDS =

28.0

V，F =

IDQ = 0.40 ， VDS =

28.0

V，F =

500

兆赫

500

兆赫

VSWR

相对IDQ = 0.40 ， VDS =

28.0

V，F =

500

兆赫

电气特性（每边）

符号

BVDSS

IDSS

IGSS

VGS

RDSON

Idsat

西塞

CRSS

科斯

参数

漏极耐压

零偏置漏电流

栅极漏电流

栅极偏置的漏电流

正向跨导

饱和电阻

饱和电流

共源输入电容

共源反馈电容

共源输出电容

2.7

0.28

17.00

80.0

4.0

50.0

民

1.0

典型值

最大

单位

姆欧

欧姆

AMP

测试条件

IDS =

0.25毫安， VGS = 0V

VDS = 28.0 V， VGS = 0V

VDS = 0V VGS = 30V

IDS = 0.30 A， VGS = Vds的

VDS = 10V ， VGS = 5V

VGS = 20V ， IDS = 8.00

VGS = 20V ， VDS = 10V

VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫

polyfet射频器件

修订二零零一年十一月十四日

1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话：（ 805 ） 484-4210传真：（ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com

LB401

POUT VS PIN GRAPH

LB401频率= 500MHz的， VDS = 28V直流， IDQ = .8A

160

140

120

100

1000

电容VS电压

L4 1DIE电容

噘

100

西塞

科斯

收益

效率@ 100W = 55 ％

PIN （瓦）

CRSS

以伏VDS

IV曲线

L4 1 DIE四

ID为安培

以伏VDS

Vg=6v

vg=8v

0.1

100

ID & GM VS VGS

L4 1 DIE

ID ，通用VS VG

vg=2v

Vg=4v

vg=10v

vg=12v

VGS的电压

寻ZOUT

IN吋包装尺寸

公差.XX +/- 0.01

.XXX +/- 。 005英寸

polyfet射频器件

修订二零零一年十一月十四日

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