订购数量： EN8798
单片数字IC
LB11980H
概观
对于VCR绞盘
三相无刷电机驱动器
LB11980H是一个三相无刷电动机驱动器的最佳驱动录像机主导轴电机。
特点
3相全波电流的线性驱动系统。
转矩波动校正电路内置。 （校正系数可变）
限流器电路内置的。
内置输出级上/下过饱和防止电路。 （无需外部电容）
FG放大器内置的。
热关断电路内置的。
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
最大电源电压
符号
VCC MAX
VS最大
最大输出电流
允许功耗
IO最大
钯最大
安装在指定的电路板*
独立IC
工作温度
储存温度
TOPR
TSTG
条件
评级
7
25
1.3
1.81
0.77
-20至+75
-55到+150
单位
V
V
A
W
W
°C
°C
*安装在指定的电路板： 114毫米× 71.1毫米× 1.6毫米，玻璃环氧树脂板
允许的工作范围
在Ta = 25℃
参数
电源电压
符号
VS
VCC
霍尔输入幅度
GSENSE输入范围
VHALL
VGSENSE
之间的霍尔输入
相对于该控制系统的地面
条件
评级
5至24
4.5 5.5
± 30 ± 80
-0.20至+0.20
单位
V
V
MVO -P
V
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
用这样的描述或包含任何三洋半导体的产品在此之前，最近的你
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
D2706 MS IM B8-5775 No.8798-1 / 11
LB11980H
电气特性
在Ta = 25 ℃， VCC = 5V ， VS = 15V
评级
参数
VCC电源电流
产量
输出饱和电压
VOsat1
VOsat2
输出漏电流
FR
FR引脚的输入阈值电压
FR输入引脚的输入偏置电流
控制
CTL引脚输入的输入偏置电流
CTL引脚输入电机的电流
CTL引脚控制启动电压
CTL引脚控制了Gm
电流限制
LIM引脚输入电流
LIM引脚电机电流
LIM电流限制偏移电压
LIM引脚控制了Gm
霍尔放大器
霍尔放大器的输入偏置电压
霍尔放大器的输入偏置电流
霍尔放大器共模
输入电压
TRC
转矩脉动校正比
TRC
在RF波形时的高低峰
IO = 200毫安
（RF = 0.5Ω ， ADJ -OPEN ）注2
ADJ引脚电压
FG放大器
FG放大器的输入偏置电压
FG放大器的输入偏置电流
FG放大器输出饱和
电压
FG放大器的电压增益
FG放大器的共模输入
电压
施密特放大器
占空比
上侧输出饱和电压
下侧的输出饱和电压
滞后幅度
FGS输出引脚的上拉电阻
饱和
饱和防止电路
较低的电压设置
TSD
TSD工作温度
T- TSD
（设计目标）注1
180
°C
VO坐
（ DET ）
每个OUT和Rf与电压之间
IO = 10毫安中，Rf = 0.5Ω ， VCTL = VLIM = 5V
0.175
0.25
0.325
V
税
Vsatu （ SH ）
Vsatd （ SH ）
VHYS
RFGout
在特定条件下（ RF = 39kΩ ）注3
IO = -20μA
IO = 100μA
32
46
4.7
49.0
4.8
0.2
60
50
51.0
%
V
V
mV
k
VG （ FG ）
VCM （ FG ）
对于开环在f = 10kHz时
41.5
0.5
44.5
47.5
4.0
dB
V
VOFF （ FG ）
IB （ FG ）
VOsat （ FG ）
沉方;随着内部上拉电阻负载
-8
-100
0.5
0.6
+8
mV
nA
V
VADJ
2.37
2.50
2.63
V
13
%
VOFF
（ HALL ）
IB （ HALL ）
VCM （ HALL ）
1.3
1.0
3.0
3.3
A
V
-6
+6
mV
ILIM
Imlim
VOFF （ LIM ）
通用汽车公司（ LIM ）
VLIM = 3V
VLIM = 0V
RF = 0.5Ω ， VCTL = 5V ， IO
≥
10mA
霍尔输入逻辑固定的（ U，V ，W = H ， H，L ）
RF = 0.5Ω ， VCTL = 5V
霍尔输入逻辑固定的（ U，V ，W = H ， H，L ）
0.59
0.71
0.83
A / V
1.0
1.25
1.5
3
5
1.5
A
mA
V
IB （ CTL ）
Imctl
VCTL （ST）的
GM（ CTL ）
VCTL = 5V
VCTL = 0V
RF = 0.5Ω ， VLIM = 5V ， IO
≥
10mA
霍尔输入逻辑固定的（ U，V ，W = H ， H，L ）
RF = 0.5Ω ，
I
O = 200毫安
霍尔输入逻辑固定的（ U，V ，W = H ， H，L ）
0.86
1.06
1.26
A / V
2.25
2.50
1.5
3
5
2.75
A
mA
V
VFSR
IB （ FSR ）
VFR = 3V
1.0
100
1.25
150
2
200
V
A
IOLEAK
IO = 500毫安中，Rf = 0.5Ω ，片源+
VCTL = VLIM = 5V （带防饱和）
IO = 1.0A ， Rf值= 0.5Ω ，片源+
VCTL = VLIM = 5V （带防饱和）
1.0
mA
2.1
2.6
2.6
3.5
V
V
符号
ICC
条件
RL =
∞,
VCTL = 0 ， VLIM = 0V （静态）
民
典型值
12
最大
18
单位
mA
注1.没有测量是在参数与说明（设计目标） 。
No.8798-2/11
LB11980H
注2.转矩脉动补偿率被确定来自RF电压波形如下。
Vp
Vb
I
II
III
IV
V
VI
每个大厅逻辑设定
GND水平
2 * （VP - VB）
Correnction比例=
VP + VB
100* (%)
注3.应用为1kHz的正弦波， 20mVP -P与安装在外部的样本电路的条件下，如图
以上。
包装尺寸
单位：mm （典型值）
3233B
15.2
(6.2)
28
15
(4.9)
10.5
7.9
1
0.8
(0.8)
2.0
0.3
14
0.25
2.7
0.1
(2.25)
2.45max
三洋： HSOP28H （ 375mil ）
2.0
钯最大 - TA
1.81
允许功耗，钯最大 - 含
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0 0.77
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-20
0
20 25
安装在指定的电路板
(114mm×71.1mm×1.6mm
环氧玻璃）
独立IC
1.09
0.46
40
60
75 80
100
ILB01492
环境温度下，钽 -
°C
0.65
散热器
No.8798-3/11
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