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L9903
汽车桥控制器
1
■
特点
工作电源电压为8V至20V ，
过电压MAX 。 40V
工作电源电压6V带
IMPLEMENTED STEPUP转换器
在待机模式下静态电流
LESS THAN 50μA
ISO 9141兼容接口
电荷泵驱动功率
MOS反向电池保护
PWM工作频率UP TO
30KHZ
可编程交叉传导
保护时间
过压，欠压，短路
保护和热保护
实时诊断
图1.包装
■
■
SO20
■
■
表1.订购代码
产品型号
L9903
L9903TR
包
SO20
磁带&卷轴
■
■
■
■
2
描述
在自动功率MOS桥驱动控制电路
动力应用ISO 9141bus接口。
图2.框图
VS
10
CP
ST
1
-
+
参考
BIAS
=
V
某事
VCC
收费
泵
11
13
CP
CB1
GH1
的F st
12
VCC
过压
欠压
热关断
RDG
14
S1
DG
2
控制逻辑
V S1TH
=
S1
EN
4
任
19
GL1
GL1
18
GL2
GL2
DIR
5
DIR
VCC
17
PWM
S2
PWM
3
V S2TH
=
S2
PR
6
定时器
15
16
GH2
CB2
ISO接口
RX
7
RX
VCC
TX
我KH
=
0.5
V
VS
9
K
TX
8
20
GND
2005年10月
第4版
1/17
L9903
表2.引脚功能
N°
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
针
ST
DG
PWM
EN
DIR
PR
RX
TX
K
VS
CP
GH1
CB1
S1
GH2
CB2
S2
GL2
GL1
GND
打开放水开关的升压转换器
开漏输出诊断
PWM输入H桥控制
使能输入
方向选择输入H桥控制
可编程交叉传导保护时间
ISO 9141接口，接收器输出
ISO 9141接口，变送器输入
ISO 9141接口，双向通信的K线
电源电压
电荷泵用于驱动功率MOS的反向电池保护
栅极驱动器在半桥1功率MOS开关海赛德
外部自举电容
半桥1的源极/漏极
栅极驱动器用于半桥2功率MOS开关海赛德
外部自举电容
半桥2的源极/漏极
栅极驱动器用于半桥2功率MOS低边开关
栅极驱动器在半桥1功率MOS低边开关
地
描述
图3.引脚连接（顶视图）
ST
DG
PWM
EN
DIR
PR
RX
TX
K
VS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
SO20
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
GND
GL1
GL2
S2
CB2
GH2
S1
CB1
GH1
CP
2/17
L9903
表3.绝对最大额定值
符号
V
CB1
, V
CB2
自举电压
I
CB1
, I
CB2
V
CP
I
CP
自举电流
电荷泵电压
电荷泵电流
参数
价值
-0.3 40
-100
-0.3 40
-1
-0.3 7
±1
-0.3 7
-1
-0.3到V
SX
+ 10
-1
-0.3至10
-10
-20到V
S
-0.3 7
-1
-2到V
VS
+ 2
-10
-0.3 40
-1
-0.3至27
40
-100
单位
V
mA
V
mA
V
mA
V
mA
V
mA
V
mA
V
V
mA
V
mA
V
mA
V
V
mA
V
DIR
,V
EN
逻辑输入电压
,V
PWM
,V
TX
I
DIR
,I
EN
,I
PWM
,I
TX
V
DG
,V
RX
I
DG
,I
RX
I
GH1
, I
GH2
I
GL1
, I
GL2
V
K
V
PR
I
PR
V
S1
, V
S2
I
S1
, I
S2
V
ST
I
ST
V
VSDC
V
VSP
I
VS
逻辑输入电流
逻辑输出电压
逻辑输出电流
栅极驱动电流
栅极驱动电流
K线的电压
编程输入电压
编程输入电流
源极/漏极电压
源极/漏极电流
输出电压
加强输出电流
直流电源电压
脉冲电源电压（T < 500毫秒）
直流电源电流
V
GH1
, V
GH2
栅极驱动电压
V
GL1
, V
GL2
栅极驱动电压
对于外部施加的电压或电流超过可能出现的设备的这些限制的损害！
IC的所有引脚均提供ESD保护。该验证是根据MIL883C进行的，人体
模型，其中R = 1.5kΩ的，C = 100pF电容和放电电压± 2kV的，相应于一个最大放电能量
0.2mJ.
表4.热数据
符号
T
J
T
JSD
T
JSDH
R
日J- AMB
参数
工作结温
结温的热关断阈值
结热关断迟滞
热阻结到环境
1)
价值
-40至150
150分钟
典型值15
85
单位
°C
°C
°C
° C / W
1.请参考应用笔记110 SO封装。
.
3/17
L9903
表5.电气特性的影响
（ 8V < V
VS
< 20V ，V
EN
= HIGH ， -40°C
≤
T
J
≤
150℃，除非另有规定。的电压被refered到
GND和电流假定正的，当电流流入销
符号
供应（ VS ）
V
VS OVH
V
VS OVH
V
VS UVH
V
VS UVH
I
VSL
I
VSH
过压禁用高
门槛
过电压阈值迟滞
2)
欠压禁用高
门槛
欠压阈值
迟滞
2)
电源电流
电源电流， PWM模式
V
EN
= 0 ; V
VS
= 13.5V ;牛逼
J
＆ LT ; 85°C
V
VS
= 13.5V; V
EN
=高;
V
DIR
=低; S1 = S2 = GND
f
PWM
= 20kHz的;
CBX
= 0.1F;
C
GLX
= 4.7nF ;
GHX
= 4.7nF ;
R
PR
= 10kΩ的;
PR
= 150pF的
I
VSD
电源电流，直流模式
V
VS
= 13.5V; V
EN
=高;
V
DIR
=低; S1 = S2 = GND
V
PWM
=低;
GHX
= 4.7nF
R
PR
= 10kΩ的;
PR
= 150pF的
使能输入（ EN ）
V
ENL
V
ENH
V
ENH
R
EN
V
DIRl
V
PWML
V
DIRH
V
PWMH
V
DIRH
V
PWMH
R
DIR
R
PWM
V
DG
R
DG
低层
高层
迟滞阈值
2)
输入上拉下拉电阻
输入低电平
输入高电平
输入阈值迟滞
2)
内部上拉电阻
内部VCC
3)
产量下滑
内部上拉电阻
内部VCC
3)
V
DIR
= 0; V
PWM
= 0
16
3.5
1
50
100
V
EN
= 5V
16
3.5
1
50
100
1.5
1.5
V
V
V
k
V
V
V
k
5.8
10
mA
8.1
6
0.66
50
13
20
22
1.6
7
24
V
V
V
V
A
mA
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
H桥控制输入（ DIR ， PWM ）
诊断输出（ DG ）
I
DG
= 1毫安
V
DG
= 0V
10
20
0.6
40
V
k
可编程交叉传导保护
4)
N
PR
I
PR
阈值电压比V
公屋
/
V
PRL
电流能力
R
PR
= 10k
V
PR
= 2V
1.8
-0.5
2
2.2
mA
ISO接口，传输输入端（ TX ）
V
通心络
输入低电平
1.5
V
4/17
L9903
表5.电气特性的影响
（续）
（ 8V < V
VS
< 20V ，V
EN
= HIGH ， -40°C
≤
T
J
≤
150℃，除非另有规定。的电压被refered到
GND和电流假定正的，当电流流入销
符号
V
TXH
V
TXH
R
TX
参数
输入高电平
输入滞后电压2 ）
内部上拉电阻
内部VCC 3 ）
输出电压的高发阶段
内部上拉电阻
内部VCC
3)
对地电阻
高输出延迟时间
输出低延时
输入低电平
输入高电平
输入滞后电压2 ）
输入电流
对地电阻
短路电流
传输频率
2.在生产中测试：由设计保证和特性验证
3.内部V
VCC
为4.5V至5.5V ...
4.请参阅第18页的可编程交叉传导保护时间计算
测试条件
分钟。
3.5
典型值。
1
马克斯。
单位
V
V
V
TX
= 0
10
20
40
k
的ISO接口，接收器输出（RX）
V
RXL
R
RX
R
RXON
t
RXH
t
RXL
V
KL
V
KH
V
Kh
I
KH
R
杆
I
KSC
f
K
TX =高;我
RX
= 0; V
K
= V
VS
TX =高;
V
RX
= 0V
TX =低;
I
RX
= 1毫安
图。 1
4.5
5
10
40
0.5
0.5
-20V
0.55 ·
V
VS
0.025·
V
VS
V
TX
=高
V
TX
=低;我
K
=10mA
V
TX
= LOW
40
60
100
-5
10
0.45 ·
V
VS
V
VS
0.8V
25
30
130
A
mA
千赫
5.5
20
90
V
k
s
s
的ISO接口， K线（K）的
t
Kr
上升时间
V
VS
= 13.5V ;图。 1
外部负载的K线：
R
K
= 510Ω上拉
到V
VS
C
K
= 2.2nF到GND
2
6
s
t
Kf
t
KH
t
KL
t
SH
下降时间
高开关延迟时间
低开关延迟时间
短路检测时间
V
VS
= 13.5V;
TX =低
V
K
> 0.55 ·V
VS
V
VS
= 8V
V
VS
= 13.5V
V
VS
= 20V
10
2
4
4
6
17
17
40
s
s
s
s
电荷泵
V
CP
电荷泵电压
V
VS
+7V
V
VS
+10V
V
VS
+10V
V
VS
+14V
V
VS
+14V
V
VS
+14V
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    L9903TR
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    -
    -
    -
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L9903TR
ST(意法)
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L9903TR
ST/意法
24+
21000
N
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电话：18820154873
联系人：李
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L9903TR
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ST/意法半导体
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电话：0755-83223957 83247340
联系人：李先生/吴小姐/ 朱先生
地址：深圳市福田区航都大厦17F1 可提供13%增值税发票
L9903TR
STMicroelectronics
23+
7430
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ST/意法
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16000
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ST
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ST
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