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L9610C
L9611C
PWM功率MOS控制器
.
.
.
.
.
高效率，因为PWM控制
与功率MOS DRIVER
负载突降保护
负载功率限制
外部功率MOS保护
限制输出电压的变化率
描述
该L9610C / 11C是一个单片集成电路
在PWM模式下工作作为外部控制器
在高端驱动器的配置功率MOS晶体管
化。
该设备的特点包括受控的斜坡
栅极驱动（体积）的前缘和后缘
踏歌，线性电流保护定时器限制，设定
表切换frequencyfo ， TTL兼容启用
功能后，输出引脚的保护状态。该装置是
安装在SO16微封装和DIP16封装
年龄。
框图
SO16
DIP 16
订购号码：
L9610C
L9611C
1991年11月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的高级信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/9
L9610C - L9611C
绝对最大额定值
符号
V
S
马克斯。电源电压
瞬态峰值电源电压（ R1
≥
100):
抛负载：
5ms
≤
t
上升
≤
10ms;
τ
f
下降时间常数= 100毫秒;
来源
≥
0.5
场衰减：
5ms
≤
t
秋天
≤
10ms;
τ
r
上升时间常数=为33ms ;
来源
≥
10
低能秒杀：吨
上升
= 1μs的时间，T
秋天
= 2MS ，R
来源
≥
10
I
S
V
IN
T
J
/T
英镑
马克斯。电源电流（T < 300毫秒）
输入电压
结温和存储温度范围
参数
价值
26
单位
V
60
V
–80
±100
0.3
-0.3 < V
IN
＆ LT ; V
S
– 2.5
- 55 150
V
V
A
V
°C
热数据
符号
R
日J- AMB
参数
热阻结氧化铝
最大
SO16
50
DIP16
90
价值
° C / W
引脚连接
（ TOP VIEW ）
2/12
L9610C - L9611C
引脚功能
针
1
2
3
4
5
名字
INT
IN
V
R
EN
PWL
功能
连接在此引脚和输出之间的电容器
G
定义门
压摆率。
模拟输入控制PWM率。输入的工作范围
电压为0至V
R
.
内部参考电压的输出
TTL兼容的输入开关关闭输出。
如果此引脚连接到GND和V
S
> 13 V时，占空比和
频率f
o
降低：这使得转接Costant电源到
负载。
电流吸收器和一个三角形振荡的源级连接带
定电压摆幅。
输入短路电流感应和调节运算放大器。
未连接。
常见的电源电压输入
常见的接地连接
连接在此引脚与GND之间的电容定义保护
延迟时间。
集电极开路输出监控关闭功率MOS保护。
连接电荷泵电容。
连接在thisPin和功率MOS的theSource电容器
允许自举栅极驱动电压。
输出，用于驱动外部功率MOS的门。
6
7
8
9
10
11
12
13,15
14
16
OSC
IND
NC
V
S
GND
TIM
MON
P2, P1
BS
出摹
3/12
L9610C - L9611C
电气CHARACTERISITCS
(T
AMB
= – 40
°C
85
°C
; 6 V < V
S
< 16 V ，除非另有规定）
符号
V
S
I
q
V
SC
V
SH
V
SL
V
R
I
R
V
INL
K
F
K
S
K
T
V
Si
V
坤
V
高夫
I
IN
V
ENL
V
ENH
IEN
SR
V
MONsat
参数
工作电源电压
静态电流
内部电源电压钳位
电源电压高阈值
电源电压低阈值
参考电压
参考电流
输入低阈值
振荡器的频率。不变
栅极电压转换率
不变
保护延时常数
检测输入伏。
栅极驱动伏。上述V
S
栅极电压在关闭状态
输入电流
低电压启动
高电压启动
使能输入电流
压摆率
饱和电压（引脚12）
无C
S
I
MON =
2.5毫安
测试条件
分钟。
6
典型值。
2.5
马克斯。
16
6
36
21
6
3.7
1
0.2
2500
9
0.44
单位
V
mA
V
V
V
V
mA
V
IN
/V
R
nF的/秒
NFV / MS
MS / NF
mV
V
V
A
V
V
A
V / μs的
V
I
S
= 200毫安
28
16
4
3.3
32
18.5
5
3.5
0.15
5
V
R
≤
100mV
0.13
注1
注2
注3
V
S
= 16V
I
G
= 100
A
–5
2.0
–1
800
3
0.12
80
8
100
120
16
1.2
0.8
2
0.5
1.5
注意事项：
1. f
o
= K
F
/C
F
.
2.的dV
G
/ DT = KS /铯。
3. t
PROT
= K
T
C
T
.
功能说明
脉冲宽度比较
接地兼容比较器产生的
它控制外部的栅极的PWM信号
功率MOS 。
的前缘和后缘的斜面
栅极驱动信号由外部钙定义
pacitor
S
根据：
dV
G
/ DT = K
S
/C
S
此功能允许以优化开关速度
对于最适合的功率和射频干扰性能
该应用程序。
占空比的下限被固定在15％的
（体积）的输入和参考值之间的比率
塔格（参见图1） 。输入电压低于该值
禁用内部振荡器信号，因此
栅极驱动器。
地面兼容三角
振荡器
三角形振荡器提供了开关频率
昆西F
o
由外部capacitorC设置
F
根据
于：
f
o
= K
F
/C
F
如果引脚的PWL （功率限制）连接到
地为Vs比的PWL阈值高
电压，占空比，还有f
o
频率是重
duced ：这允许一个costant动力传送到
负载（参见图2）。
定时器和保护LATCH
当发生过电流时，该装置开始
充电的外部电容C
T
;保护
时间将根据设定：
t
PROT
= K
T
.
C
T
4/12
L9610C - L9611C
后达到过电流保护时，该
功率MOS被关断;该条件被锁存
通过设置一个内部触发器和是externallymoni-
由MON引脚的低状态tored 。
到resetthe锁存电源电压hasto低于
V
SL
或设备必须关闭。
之下，过压检测与
负载突降保护
欠压检测功能复位定时器
并关闭输出驱动信号时的
电源电压小于V
SL
.
如果电源电压超过最大操作
电源电压值，内部比较器将
禁止进入电荷泵振荡器和克斯特
最终功率MOS 。
图1：
典型的传输曲线。
在两种情况下，阈值被设置借助适当
能迟滞值。
负载突降保护功能，允许器件
承受 - 在有限的时间 - 高过电压。
它包括一个有源钳位二极管，其限制了
电路的电源电压至V
钳
和一个外部
限流电阻R1 。最大脉
电源电流（见绝对最大额定值等于
0.3A 。因此，在最大负载突降电压是
由下式给出：
V
DUMP
= V
SC
+ 0.3R
1
在该状态下，功率MOS的栅极保持
在GND端子电势，从而使负载电压
是：
V
L
= VS - V
钳
- V
GS
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L9610C
L9611C
PWM功率MOS控制器
.
.
.
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.
高效率，因为PWM控制
与功率MOS DRIVER
负载突降保护
负载功率限制
外部功率MOS保护
限制输出电压的变化率
描述
该L9610C / 11C是一个单片集成电路
在PWM模式下工作作为外部控制器
在高端驱动器的配置功率MOS晶体管
化。
该设备的特点包括受控的斜坡
栅极驱动（体积）的前缘和后缘
踏歌，线性电流保护定时器限制，设定
表切换frequencyfo ， TTL兼容启用
功能后，输出引脚的保护状态。该装置是
安装在SO16微封装和DIP16封装
年龄。
框图
SO16
DIP 16
订购号码：
L9610C
L9611C
1991年11月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的高级信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/9
L9610C - L9611C
绝对最大额定值
符号
V
S
马克斯。电源电压
瞬态峰值电源电压（ R1
≥
100):
抛负载：
5ms
≤
t
上升
≤
10ms;
τ
f
下降时间常数= 100毫秒;
来源
≥
0.5
场衰减：
5ms
≤
t
秋天
≤
10ms;
τ
r
上升时间常数=为33ms ;
来源
≥
10
低能秒杀：吨
上升
= 1μs的时间，T
秋天
= 2MS ，R
来源
≥
10
I
S
V
IN
T
J
/T
英镑
马克斯。电源电流（T < 300毫秒）
输入电压
结温和存储温度范围
参数
价值
26
单位
V
60
V
–80
±100
0.3
-0.3 < V
IN
＆ LT ; V
S
– 2.5
- 55 150
V
V
A
V
°C
热数据
符号
R
日J- AMB
参数
热阻结氧化铝
最大
SO16
50
DIP16
90
价值
° C / W
引脚连接
（ TOP VIEW ）
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L9610C - L9611C
引脚功能
针
1
2
3
4
5
名字
INT
IN
V
R
EN
PWL
功能
连接在此引脚和输出之间的电容器
G
定义门
压摆率。
模拟输入控制PWM率。输入的工作范围
电压为0至V
R
.
内部参考电压的输出
TTL兼容的输入开关关闭输出。
如果此引脚连接到GND和V
S
> 13 V时，占空比和
频率f
o
降低：这使得转接Costant电源到
负载。
电流吸收器和一个三角形振荡的源级连接带
定电压摆幅。
输入短路电流感应和调节运算放大器。
未连接。
常见的电源电压输入
常见的接地连接
连接在此引脚与GND之间的电容定义保护
延迟时间。
集电极开路输出监控关闭功率MOS保护。
连接电荷泵电容。
连接在thisPin和功率MOS的theSource电容器
允许自举栅极驱动电压。
输出，用于驱动外部功率MOS的门。
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13,15
14
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OSC
IND
NC
V
S
GND
TIM
MON
P2, P1
BS
出摹
3/12
L9610C - L9611C
电气CHARACTERISITCS
(T
AMB
= – 40
°C
85
°C
; 6 V < V
S
< 16 V ，除非另有规定）
符号
V
S
I
q
V
SC
V
SH
V
SL
V
R
I
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INL
K
F
K
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Si
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坤
V
高夫
I
IN
V
ENL
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ENH
IEN
SR
V
MONsat
参数
工作电源电压
静态电流
内部电源电压钳位
电源电压高阈值
电源电压低阈值
参考电压
参考电流
输入低阈值
振荡器的频率。不变
栅极电压转换率
不变
保护延时常数
检测输入伏。
栅极驱动伏。上述V
S
栅极电压在关闭状态
输入电流
低电压启动
高电压启动
使能输入电流
压摆率
饱和电压（引脚12）
无C
S
I
MON =
2.5毫安
测试条件
分钟。
6
典型值。
2.5
马克斯。
16
6
36
21
6
3.7
1
0.2
2500
9
0.44
单位
V
mA
V
V
V
V
mA
V
IN
/V
R
nF的/秒
NFV / MS
MS / NF
mV
V
V
A
V
V
A
V / μs的
V
I
S
= 200毫安
28
16
4
3.3
32
18.5
5
3.5
0.15
5
V
R
≤
100mV
0.13
注1
注2
注3
V
S
= 16V
I
G
= 100
A
–5
2.0
–1
800
3
0.12
80
8
100
120
16
1.2
0.8
2
0.5
1.5
注意事项：
1. f
o
= K
F
/C
F
.
2.的dV
G
/ DT = KS /铯。
3. t
PROT
= K
T
C
T
.
功能说明
脉冲宽度比较
接地兼容比较器产生的
它控制外部的栅极的PWM信号
功率MOS 。
的前缘和后缘的斜面
栅极驱动信号由外部钙定义
pacitor
S
根据：
dV
G
/ DT = K
S
/C
S
此功能允许以优化开关速度
对于最适合的功率和射频干扰性能
该应用程序。
占空比的下限被固定在15％的
（体积）的输入和参考值之间的比率
塔格（参见图1） 。输入电压低于该值
禁用内部振荡器信号，因此
栅极驱动器。
地面兼容三角
振荡器
三角形振荡器提供了开关频率
昆西F
o
由外部capacitorC设置
F
根据
于：
f
o
= K
F
/C
F
如果引脚的PWL （功率限制）连接到
地为Vs比的PWL阈值高
电压，占空比，还有f
o
频率是重
duced ：这允许一个costant动力传送到
负载（参见图2）。
定时器和保护LATCH
当发生过电流时，该装置开始
充电的外部电容C
T
;保护
时间将根据设定：
t
PROT
= K
T
.
C
T
4/12
L9610C - L9611C
后达到过电流保护时，该
功率MOS被关断;该条件被锁存
通过设置一个内部触发器和是externallymoni-
由MON引脚的低状态tored 。
到resetthe锁存电源电压hasto低于
V
SL
或设备必须关闭。
之下，过压检测与
负载突降保护
欠压检测功能复位定时器
并关闭输出驱动信号时的
电源电压小于V
SL
.
如果电源电压超过最大操作
电源电压值，内部比较器将
禁止进入电荷泵振荡器和克斯特
最终功率MOS 。
图1：
典型的传输曲线。
在两种情况下，阈值被设置借助适当
能迟滞值。
负载突降保护功能，允许器件
承受 - 在有限的时间 - 高过电压。
它包括一个有源钳位二极管，其限制了
电路的电源电压至V
钳
和一个外部
限流电阻R1 。最大脉
电源电流（见绝对最大额定值等于
0.3A 。因此，在最大负载突降电压是
由下式给出：
V
DUMP
= V
SC
+ 0.3R
1
在该状态下，功率MOS的栅极保持
在GND端子电势，从而使负载电压
是：
V
L
= VS - V
钳
- V
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