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乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
NPN硅
特征
高电流容量的紧凑型封装。
I
C
=1.5A.
外延平面型。
NPN补充： L8050H
无铅封装。
L8550H*LT1
3
1
2
SOT–23
集热器
3
设备标记和订购信息
设备
L8550HPLT1
L8550HPLT1G
L8550HQLT1
L8550HQLT1G
记号
1HB
1HB
（无铅）
1HD
1HD
（无铅）
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
1
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流continuoun
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
最大
25
40
5
1500
单位
V
V
V
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局， （ 1 ）
T
A
=25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
R
θ
J A
T
j,
T
S
t
g
R
θ
J A
P
D
300
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
符号
P
D
最大
单位
225
1.8
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1.1版
L8550H*LT1-1/3
乐山无线电公司， LTD 。
L8550H*LT1
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
(I
C
=1.0mA)
发射极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） EBO
(I
E
=100Α)
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
(I
C
=100Α)
集电极截止电流（V
CB
=35V)
发射极截止电流（V
EB
=4V)
I
CBO
I
EBO
–
–
–
–
150
150
nA
nA
40
–
–
V
5
–
–
V
25
–
–
V
符号
民
典型值
最大
单位
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
基本特征
直流电流增益
I
C
=100mA,V
CE
=1V
h
FE
120
-
600
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
=800mA,I
B
=80mA)
V
CE （S ）
-
-
0.5
V
注意：
*
h
F ê
P
120~200
Q
150~300
R
200~400
S
300~600
1.1版
L8550H*LT1-2/3
乐山无线电公司， LTD 。
L8550H*LT1
SOT-23
注意事项：
A
L
3
1
V
G
2
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
C
D
H
K
J
J
K
L
S
V
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M,1982
2.控制尺寸：英寸。
英寸
民
最大
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0140
0.0350
0.0830
0.0177
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0285
0.0401
0.1039
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.35
0.89
2.10
0.45
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.69
1.02
2.64
0.60
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
1.1版
L8550H*LT1-3/3
乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
NPN硅
特征
高电流容量的紧凑型封装。
I
C
=1.5A.
外延平面型。
NPN补充： L8050H
无铅封装。
L8550H*LT1
3
1
2
SOT–23
集热器
3
设备标记和订购信息
设备
L8550HPLT1
L8550HPLT1G
L8550HQLT1
L8550HQLT1G
记号
1HB
1HB
（无铅）
1HD
1HD
（无铅）
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
1
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流continuoun
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
最大
25
40
5
1500
单位
V
V
V
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局， （ 1 ）
T
A
=25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
R
θ
J A
T
j,
T
S
t
g
R
θ
J A
P
D
300
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
符号
P
D
最大
单位
225
1.8
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1.1版
L8550H*LT1-1/3
乐山无线电公司， LTD 。
L8550H*LT1
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
(I
C
=1.0mA)
发射极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） EBO
(I
E
=100Α)
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
(I
C
=100Α)
集电极截止电流（V
CB
=35V)
发射极截止电流（V
EB
=4V)
I
CBO
I
EBO
–
–
–
–
150
150
nA
nA
40
–
–
V
5
–
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V
25
–
–
V
符号
民
典型值
最大
单位
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
基本特征
直流电流增益
I
C
=100mA,V
CE
=1V
h
FE
120
-
600
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
=800mA,I
B
=80mA)
V
CE （S ）
-
-
0.5
V
注意：
*
h
F ê
P
120~200
Q
150~300
R
200~400
S
300~600
1.1版
L8550H*LT1-2/3
乐山无线电公司， LTD 。
L8550H*LT1
SOT-23
注意事项：
A
L
3
1
V
G
2
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
C
D
H
K
J
J
K
L
S
V
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M,1982
2.控制尺寸：英寸。
英寸
民
最大
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0140
0.0350
0.0830
0.0177
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0285
0.0401
0.1039
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.35
0.89
2.10
0.45
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.69
1.02
2.64
0.60
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
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0.8
英寸
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LFEC3E-3T100I
LP5900TLX-2.65/NOPB
LMC1005TP-82NJ
LCK4994KB-DT
LZE1
L4990A
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