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首字符L的型号第841页
> L8050LT1
乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
NPN硅
特征
高电流容量的紧凑型封装。
I
C
= 0.8A.
外延平面型。
PNP补充: L8550
无铅封装。
L8050*LT1
3
1
2
SOT–23
集热器
3
1
设备标记和订购信息
设备
L8050PLT1
L8050PLT1G
L8050QLT1
L8050QLT1G
记号
80P
80P
(无铅)
1YC
1YC
(无铅)
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流continuoun
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
最大
25
40
5
800
单位
V
V
V
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局, ( 1 )
T
A
=25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, ( 2 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
R
θ
J A
T
j,
T
S
t
g
R
θ
J A
P
D
300
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
符号
P
D
最大
单位
225
1.8
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
L8050*LT1–1/3
乐山无线电公司, LTD 。
L8050*LT1
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
(I
C
=1.0mA)
发射极 - 基极击穿电压
V
( BR ) EBO
(I
E
=100Α)
集电极 - 基极击穿电压
V
( BR ) CBO
(I
C
=100Α)
集电极截止电流(V
CB
=35V)
发射极截止电流(V
EB
=4V)
I
CBO
I
EBO
–
–
–
–
150
150
nA
nA
40
–
–
V
5
–
–
V
25
–
–
V
符号
民
典型值
最大
单位
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
基本特征
直流电流增益
I
C
=100mA,V
CE
=1V
h
FE
150
-
600
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
=800mA)
V
CE (S )
-
-
0.5
V
注意:
*
h
F ê
P
100~200
Q
150~300
R
200~400
S
300~600
L8050*LT1–2/3
乐山无线电公司, LTD 。
L8050*LT1
SOT-23
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
A
L
3
1
V
G
2
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
K
J
L
S
V
民
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0140
0.0350
0.0830
0.0177
Y14.5M,1982
2.控制尺寸:英寸。
英寸
最大
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0285
0.0401
0.1039
0.0236
MILLIMETERS
民
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.35
0.89
2.10
0.45
最大
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.69
1.02
2.64
0.60
C
D
H
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
L8050*LT1–3/3
乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
NPN硅
特征
高电流容量的紧凑型封装。
I
C
= 0.8A.
外延平面型。
PNP补充: L8550
无铅封装。
L8050*LT1
3
1
2
SOT–23
集热器
3
1
设备标记和订购信息
设备
L8050PLT1
L8050PLT1G
L8050QLT1
L8050QLT1G
记号
80P
80P
(无铅)
1YC
1YC
(无铅)
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流continuoun
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
最大
25
40
5
800
单位
V
V
V
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局, ( 1 )
T
A
=25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, ( 2 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
R
θ
J A
T
j,
T
S
t
g
R
θ
J A
P
D
300
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
符号
P
D
最大
单位
225
1.8
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
L8050*LT1–1/3
乐山无线电公司, LTD 。
L8050*LT1
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
(I
C
=1.0mA)
发射极 - 基极击穿电压
V
( BR ) EBO
(I
E
=100Α)
集电极 - 基极击穿电压
V
( BR ) CBO
(I
C
=100Α)
集电极截止电流(V
CB
=35V)
发射极截止电流(V
EB
=4V)
I
CBO
I
EBO
–
–
–
–
150
150
nA
nA
40
–
–
V
5
–
–
V
25
–
–
V
符号
民
典型值
最大
单位
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
基本特征
直流电流增益
I
C
=100mA,V
CE
=1V
h
FE
150
-
600
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
=800mA)
V
CE (S )
-
-
0.5
V
注意:
*
h
F ê
P
100~200
Q
150~300
R
200~400
S
300~600
L8050*LT1–2/3
乐山无线电公司, LTD 。
L8050*LT1
SOT-23
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
A
L
3
1
V
G
2
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
K
J
L
S
V
民
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0140
0.0350
0.0830
0.0177
Y14.5M,1982
2.控制尺寸:英寸。
英寸
最大
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0285
0.0401
0.1039
0.0236
MILLIMETERS
民
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.35
0.89
2.10
0.45
最大
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.69
1.02
2.64
0.60
C
D
H
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
L8050*LT1–3/3
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L8050LT1
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LP2985AITP-1.8
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LFB212G45CG2D013
LF2247JC15
LQH3N1R0M34
LUCL9219AAR-D
LB1854
LY621024RL-70LL
L7808C
LP3999ITLX-1.875
LP2951-02BN
LTC2606CDD
LL103A-GS08
L412F
LF357N
LH540235M-20
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型号
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数量
封装
单价/备注
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电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
L8050LT1
-
-
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QQ:2880707522
复制
QQ:2369405325
复制
电话:0755-82780082
联系人:杨小姐
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
L8050LT1
-
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-
-
终端采购配单精选
更多配单专家
北京人上科技有限公司
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QQ:5645336
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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