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乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
NPN硅
特征
高电流容量的紧凑型封装。
I
C
=1.5A.
外延平面型。
PNP补充： L8550H
无铅封装。
L8050H*LT1
3
1
2
SOT–23
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
设备标记和订购信息
设备
L8050HPLT1
L8050HPLT1G
L8050HQLT1
L8050HQLT1G
记号
1HA
1HA
（无铅）
1HC
1HC
（无铅）
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流continuoun
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
最大
25
40
5
1500
单位
V
V
V
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局， （ 1 ）
T
A
=25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
R
θ
J A
T
j,
T
S
t
g
R
θ
J A
P
D
300
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
符号
P
D
最大
单位
225
1.8
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1.1版
L8050H*LT1-1/3
乐山无线电公司， LTD 。
L8050H*LT1
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
(I
C
=1.0mA)
发射极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） EBO
(I
E
=100Α)
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
(I
C
=100Α)
集电极截止电流（V
CB
=35V)
发射极截止电流（V
EB
=4V)
I
CBO
I
EBO
–
–
–
–
150
150
nA
nA
40
–
–
V
5
–
–
V
25
–
–
V
符号
民
典型值
最大
单位
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
基本特征
直流电流增益
I
C
=100mA,V
CE
=1V
h
FE
120
-
600
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 800毫安我
B
=80mA)
V
CE （S ）
-
-
0.5
V
注意：
*
h
F ê
P
120~200
Q
150~300
R
200~400
S
300~600
1.1版
L8050H*LT1-2/3
乐山无线电公司， LTD 。
L8050H*LT1
SOT-23
注意事项：
A
L
3
1
V
G
2
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
C
D
H
K
J
J
K
L
S
V
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M,1982
2.控制尺寸：英寸。
英寸
民
最大
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0140
0.0350
0.0830
0.0177
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0285
0.0401
0.1039
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.35
0.89
2.10
0.45
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.69
1.02
2.64
0.60
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
1.1版
L8050H*LT1-3/3
乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
NPN硅
特征
高电流容量的紧凑型封装。
I
C
=1.5A.
外延平面型。
PNP补充： L8550H
无铅封装。
L8050H*LT1
3
1
2
SOT–23
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
设备标记和订购信息
设备
L8050HPLT1
L8050HPLT1G
L8050HQLT1
L8050HQLT1G
记号
1HA
1HA
（无铅）
1HC
1HC
（无铅）
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流continuoun
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
最大
25
40
5
1500
单位
V
V
V
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局， （ 1 ）
T
A
=25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
R
θ
J A
T
j,
T
S
t
g
R
θ
J A
P
D
300
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
符号
P
D
最大
单位
225
1.8
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1.1版
L8050H*LT1-1/3
乐山无线电公司， LTD 。
L8050H*LT1
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
(I
C
=1.0mA)
发射极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） EBO
(I
E
=100Α)
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
(I
C
=100Α)
集电极截止电流（V
CB
=35V)
发射极截止电流（V
EB
=4V)
I
CBO
I
EBO
–
–
–
–
150
150
nA
nA
40
–
–
V
5
–
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V
25
–
–
V
符号
民
典型值
最大
单位
电气特性（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
基本特征
直流电流增益
I
C
=100mA,V
CE
=1V
h
FE
120
-
600
符号
民
典型值
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 800毫安我
B
=80mA)
V
CE （S ）
-
-
0.5
V
注意：
*
h
F ê
P
120~200
Q
150~300
R
200~400
S
300~600
1.1版
L8050H*LT1-2/3
乐山无线电公司， LTD 。
L8050H*LT1
SOT-23
注意事项：
A
L
3
1
V
G
2
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
C
D
H
K
J
J
K
L
S
V
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M,1982
2.控制尺寸：英寸。
英寸
民
最大
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0140
0.0350
0.0830
0.0177
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0285
0.0401
0.1039
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.35
0.89
2.10
0.45
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.69
1.02
2.64
0.60
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
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L8050H*LT1-3/3
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LB123D
LY2020-PF
LPF7045T-6R8M-C
LRMOSD5050R25H
LP5951MGX-3.0/NOPB
LD1086DT33
LQSW6121MELA25
L-379
LM3702YABPX-26
LX1993
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