乐山无线电公司， LTD 。
2输入异或门
L74VHC1G86
该
L74VHC1G86
是一种先进的高速CMOS 2输入异或门制造与硅栅CMOS技术。它
实现类似相当于双极肖特基TTL高速运转，同时保持CMOS低功耗。
内部电路由三个阶段，包括一个缓冲器输出，提供高抗噪声和稳定的输出。
该
L74VHC1G86
输入结构提供保护，当电压为7V的施加，而与电源电压无关。这
允许
L74VHC1G86
到用于接口5伏的电路到3V的电路。
高速：吨
PD
= 3.5纳秒（典型值），在V
CC
= 5 V
低功耗：我
CC
= 2 MA（最大）在T
A
= 25°C
掉电保护的输入端
平衡传输延迟
引脚和功能兼容其他标准逻辑系列
芯片的复杂性：场效应管= 54 ;等效门= 16
标记DIAGRAMS
5
4
1
2
3
V8
d
SC–70/SC–88A/SOT–353
DF后缀
销1
D =日期代码
5
4
图1.引脚
（ TOP VIEW ）
1
2
3
V8
d
图2.逻辑符号
销1
D =日期代码
SOT–23/TSOP–5/SC–59
DT后缀
功能表
引脚分配
1
2
3
4
5
IN B
IN A
GND
输出Y
V
CC
A
L
L
H
H
输入
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
L
订购信息
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乐山无线电公司， LTD 。
L74VHC1G86
最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IK
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
θ
JA
T
L
T
J
T
英镑
V
ESD
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
输入二极管电流
输出二极管电流
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND
在静止空气中的功耗
热阻
焊接温度1毫米的情况下10秒
在偏置结温
储存温度
ESD耐压
人体模型（注2 ）
机器模型（注3 ）
带电器件模型（注4 ）
参数
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 7.0
- 0.5 7.0
-0.5到V
cc
+ 0.5
–20
+20
+ 25
+50
200
333
260
+ 150
-65到+150
>2000
＆ GT ; 200
不适用
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
°C
V
V
CC
=0
高电平或者低电平状态
V
OUT
< GND ; V
OUT
＆ GT ; V
CC
SC- 88A ， TSOP- 5
SC- 88A ， TSOP- 5
I
LATCH -UP
闭锁性能超过V
CC
及以下GND在125 ° C（注5 ）
± 500
mA
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。暴露于这些条件或条件
以外的指示可能器件的可靠性产生不利影响。在绝对最大额定条件下的功能操作
不是暗示。功能操作应仅限于推荐工作条件。
2.经测试EIA / JESD22 - A114 -A
3.经测试EIA / JESD22 - A115 -A
4.经测试JESD22 - C101 -A
5.经测试EIA / JESD78
推荐工作条件
符号
参数
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
t
r
,t
f
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
工作温度范围
输入上升和下降时间
V
CC
= 3.3 ± 0.3 V
V
CC
= 5.0 ± 0.5 V
民
2.0
0.0
0.0
– 55
0
0
最大
5.5
5.5
V
CC
+ 125
100
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
连接点
温度°C
80
90
100
110
120
130
140
时间，
小时
1,032,200
419,300
178,700
79,600
37,000
17,800
8,900
时间，
岁月
117.8
47.9
20.4
9.4
4.2
2.0
1.0
归一化故障率
器件结温VERSUS
TIME TO 0.1 ％接合故障
1
1
10
100
1000
时间，岁月
图3.故障率与时间的结温
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L74VHC1G86
DC电气特性
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
测试条件
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
5.5
V
IL
最底层
输入电压
2.0
3.0
4.5
5.5
V
OH
最小高级别
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -4毫安
I
OH
= -8毫安
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 4毫安
I
OL
= 8毫安
I
IN
I
CC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
3.0
4.5
V
IN
= 5.5 V或GND 0 to5.5
V
IN
= V
CC
或GND
5.5
0.36
0.36
±
0.1
2.0
0.44
0.44
±
1.0
20
0.52
0.52
±
1.0
40
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 50
A
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
2.58
3.94
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
2.48
3.80
0.1
0.1
0.1
2.34
3.66
0.1
0.1
0.1
V
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= – 50
A
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
2.0
3.0
4.0
T
A
= 25°C
T
A
＆ LT ;
85°C
最小值典型值最大值最小值最大值
1.5
1.5
2.1
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
1.9
2.9
4.4
–55°C<T
A
<125°C
最小最大单位
1.5
V
2.1
3.15
3.85
0.5
0.9
1.35
1.65
V
V
A
A
AC电气特性
C
负载
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 3.0纳秒
T
A
＆ LT ;
85°C
–55°C<T
A
<125°C
T
A
= 25°C
符号参数
测试条件
最小值典型值
最大值最小值最大值最小值最大值单位
V
CC
= 3.3
±
0.3 V
L
= 15 pF的
4.4
11.0
13.0
15.5纳秒
t
PLH
最大
t
PHL
传播延迟，
C
L
= 50 pF的
5.7
14.5
16.5
19.5
输入A或B与Y
V
CC
= 5.0
±
0.5 V
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
IN
最大输入
电容
C
PD
功率耗散电容（注6 ）
典型的25°C ，V
10
CC
3.7
4.2
5.5
6.8
8.8
10
8.0
10.0
10
= 5.0 V
10.0
12.0
10
pF
pF
6. C
PD
被定义为内部等效电容被从操作的电流消耗来计算，而不值
负载。平均工作电流可以由下式得到：我
CC （ OPR ）
= C
PD
V
CC
f
in
+ I
CC
.
C
PD
被用于确定所述无糖
加载动态功耗; P
D
= C
PD
V
CC 2
f
in
+ I
CC
V
CC
.
3/6
QQ：2881677436 复制
