【L6911D5位可编程降压控制器具有同步整流ssssssssssss工作电源IC电压为5V至12V巴】,IC型号L6911D,L6911D PDF资料,L6911D经销商,ic,电子元器件-51电子网

L6911D

5位可编程降压控制器

具有同步整流

工作电源IC电压为5V

至12V巴士

UP TO 1.3A门极电流能力的

TTL兼容5位可编程

与VRM 9.0输出的规定：

1.100V TO 1.850V与0.025V BINARY

步骤

电压模式PWM控制

出色的输出精度：± 1 ％

在线路和温度

变化

非常快速负载瞬态响应：

从0％到100％占空比

电源良好输出电压

过压保护和

MONITOR

过电流保护REALIZED

使用上MOSFET的

DSON

200KHz的内部振荡器

振荡器外部可调

在50kHz至1MHz

软启动抑制功能

SO-20

订购号： L6911D

L6911DTR

（磁带和卷轴）

应用

电源的高级

微处理器内核

分布式电源

大功率DC- DC稳压器

描述

该装置是电源控制器具体DE-

签名是提供一种高性能的DC / DC转换

锡永高目前的微处理器。精确的5位

数字到模拟转换器（DAC ）可以调节

输出电压从1.30V到2.05V以50mV的二进制

步骤和从2.10V到3.50V ，具有100mV的二进制文件的步骤。

高精度内部参考电压，保证了SE-

lected输出电压为±1％以内。高峰

电流栅极驱动能提供有快速切换到

外部功率MOS提供低开关损耗。

该设备保证了快速的保护，防止负载

过电流和过电压的负载。外部可控硅

触发撬棍输入电源的情况下硬

过电压。内部短路器还设置

只要开启低侧MOSFET的过

电压被检测。的情况下的过电流检测，

软启动电容被放电，并在系统

工作在打嗝模式。

框图

VCC 5 12V

输入电压5V to12V

PGOOD

VCC

OCSET

BOOT

监测与

保护

OVP

UGATE

OSC

相

LGATE

保护地

1.100V至1.850V

VD0

VD1

VD2

VD3

VD4

D / A

E / A

PWM

GND

VSEN

VFB

D98IN957_2

COMP

2001年11月

1/17

L6911D

绝对最大额定值

符号

BOOT

-V

相

HGATE

-V

相

OCSET ， LGATE ，相

RT ， SS ， FB ， PGOOD ， VSEN ， VID0-4

OVP ， COMP

到GND ， PGND

启动电压

参数

价值

-0.3 VCC + 0.3

6.5

单位

热数据

符号

日J- AMB

英镑

参数

热阻结到环境

最高结温

存储温度范围

结温范围

价值

110

150

-40至150

0-125

单位

° C / W

°C

引脚连接

（ TOP VIEW ）

VSEN

OCSET

SS / INH

VID0

VID1

VID2

VID3

VID4

COMP

D98IN958

OVP

VCC

LGATE

保护地

BOOT

UGATE

相

PGOOD

GND

2/17

L6911D

引脚功能

针

NUM 。

名字

VSEN

OCSET

描述

连接到所述输出电压是能够管理过电压条件和PGOOD

信号。

从这个引脚和上摩斯漏极连接一个电阻设置电流限制保护。

内部200μA电流发生器下沉从漏极电流通过外部电阻器。

该过电流阈值，是由于以下公式：

OCSE牛逼

CS ET

= ---------------------------------------------

DS ON

软启动时间进行编程连接从这个引脚与GND外部电容。该

内部电流产生的力量通过电容器10μA 。

该引脚可用于禁用设备迫使高于0.4V的电压下

电压识别码引脚。这些输入在内部上拉式和TTL兼容。他们

用于编程的输出电压，如表1所指明的并以设置的过电压和

电源良好阈值。

连接至GND设定一个“0” ，而离开浮动方案“1” 。

该引脚被连接到误差放大器的输出，用于补偿的电压控制

反馈回路。

该引脚被连接到误差放大器的反相输入端，并用于补偿电压

控制反馈回路。

所有的内部引用被称为该引脚。它连接到PCB的信号地。

该引脚为集电极开路输出和被拉低，如果输出电压不符合上述

指定的阈值。

如果不使用可能被悬空。

该引脚被连接到上部场效应晶体管的源极和提供返回路径的高

侧驱动器。该引脚用于监控上MOSFET的压降为限流

高侧栅极驱动器输出。

自举电容引脚。通过此引脚提供的高边驱动器和MOSFET上。

通过连接一个电容到相位引脚，并通过二极管工作电压（阴极与引导）。

电源接地引脚。该引脚必须紧密连接到低侧MOSFET的源极，以

降低噪声注入到器件

该引脚为低MOSFET栅极驱动器输出

器件的电源电压。手术标称电源电压范围为5 12V 。

请勿连接V

为电压大于V

过电压保护。如果输出电压达到17％以上的编程电压

该引脚被驱动为高，可用于驱动外部可控硅那撬棍电源电压。

如果未使用的，它可被悬空。

振荡器开关频率针。连接一个外部电阻从这个引脚GND时，

外部频率是根据该方程式增大：

4.94

200kHz

+ -------------------------

(

)

从这个引脚电压（ 12V）连接一个电阻，开关频率是按照减少

公式：

4.306

200kHz

– ----------------------------

(

)

如果该引脚没有连接时，开关频率为200KHz的。

在这个引脚上的电压固定在1.23V （典型值）。迫使50μA电流流入该引脚，内置的

振荡器停转。

SS / INH

4-8

VID0 - 4

COMP

GND

PGOOD

相

UGATE

BOOT

保护地

LGATE

VCC

OVP

3/17

L6911D

电气特性的影响

= 12V ，T

AMB

= 25 ° C除非另有规定编）

符号

参数

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

电源电流

ICC

VCC电源电流

开启Vcc的门槛

关断阈值的Vcc

瑞星V

OCSET

门槛

软启动电流

UGATE和LGATE开放

VOCSET=4.5V

3.6

1.24

4.6

220

1.9

千赫

VP-P

POWER- ON

振荡器

自由运行频率

全变差

OSC

斜坡幅度

=打开

6 KΩ < RT与GND之间< 200千欧

=打开

VID0 ， VID1 ， VID2 ， VID3 ， VID4

参照表;环境温度Tamb = 0至70℃

-1

COMP=10pF

1.3

0.9

1.1

1.5

120

117

170

200

120

230

180

-15

200

参考和DAC

DACOUT电压

准确性

VID上拉电压

误差放大器器

DC增益

增益带宽积

压摆率

高边源

当前

高边水槽

阻力

低端来源

当前

低侧漏

阻力

输出驱动器死区时间

PROTECTIONS

过电压跳闸

SEN

/ DACOUT ）

OCSET

OVP

OCSET电流源

OVP拉电流

SEN

升起

OCSET

= 4.5V

SEN

＆ GT ; OVP旅行，V

OVP

=0V

SEN

升起

SEN

落下

上限和下限阈

PGOOD

= -5mA

兆赫

V / μs的

栅极驱动器

UGATE

LGATE

BOOT

- V

相

=12V,

UGATE

- V

相

= 6V

BOOT

-V

相

=12V,

UGATE

= 300毫安

VCC = 12V ，V

LGATE

= 6V

VCC = 12V ，我

LGATE

= 300毫安

相连接到GND

电源良好

阈值上限

SEN

/ DACOUT ）

阈值下限

SEN

/ DACOUT ）

迟滞

SEN

/ DACOUT ）

PGOOD

PGOOD电压低

110

112

0.5

114

4/17

L6911D

表1. VID设置

VID4

VID3

VID2

VID1

VID0

产量

电压（V）的

输出关闭

1.100

1.125

1.150

1.175

1.200

1.225

1.250

1.275

1.300

1.325

1.350

1.375

1.400

1.425

1.450

VID4

VID3

VID2

VID1

VID0

输出电压

(V)

1.475

1.500

1.525

1.550

1.575

1.600

1.625

1.650

1.675

1.700

1.725

1.750

1.775

1.800

1.825

1.850

设备描述

该装置是实现BCD工艺的集成电路。它提供了完整的控制逻辑和保护

对于高性能降压为微处理器供电的DC-DC转换器进行了优化。它被设计

驱动N沟道MOSFET的同步整流降压拓扑结构。该设备工作正常与Vcc的rang-

从5V荷兰国际集团以12V和调节输出电压从1.26V输出级电源电压（Vin ）开始。该

该转换器的输出电压可精确调节，编程的VID针脚，从1.100V至1.850V

以25mV为二进制的步骤，为±1 ％以上的温度和线电压变化的最大容限。该

器件提供电压模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括一个200kHz的自由运行的振荡器

这是可调的50kHz至1MHz的。

误差放大器具有15MHz的增益带宽积和10V / μs的转换速率，允许高变流

呃带宽快速的瞬态性能。所产生的PWM占空比的范围是从0 ％到100％。该装置

防止过电流条件下进入打嗝模式。该装置监视当前使用

第r

DS （ ON）

的上部MOSFET其中省去了一个电流检测电阻器。

该器件采用SO20封装

振荡器

开关频率在内部被固定为200kHz的。内部振荡器产生的三角波

为PWM充电和恒定电流的内部电容器放电。传递到当前

振荡器通常是50μA （FSW = 200KHz的），并且可以使用一个外部电阻器来改变（注册商标

），连接在

RT引脚与GND或VCC 。自从RT引脚保持在固定的电压（典型值1.235V ），则频率变化

成比例地从当前沉没（强制）（入）管脚。

特别是将其连接到GND的频率增加（电流从销沉没），根据本

下列关系式：

4.94

200kH

+ -------------------------

(

)

连接的RT到VCC = 12V或至VCC = 5V时的频率被降低（电流被迫进入针），根据

下列关系式：

5/17

L6911D

5位可编程降压控制器

具有同步整流

工作电源IC电压为5V

至12V巴士

UP TO 1.3A门极电流能力的

TTL兼容5位可编程

与VRM 9.0输出的规定：

1.100V TO 1.850V与0.025V BINARY

步骤

电压模式PWM控制

出色的输出精度：± 1 ％

在线路和温度

变化

非常快速负载瞬态响应：

从0％到100％占空比

电源良好输出电压

过压保护和

MONITOR

过电流保护REALIZED

使用上MOSFET的

DSON

200KHz的内部振荡器

振荡器外部可调

在50kHz至1MHz

软启动抑制功能

SO-20

订购号： L6911D

L6911DTR

（磁带和卷轴）

应用

电源的高级

微处理器内核

分布式电源

大功率DC- DC稳压器

描述

该装置是电源控制器具体DE-

签名是提供一种高性能的DC / DC转换

锡永高目前的微处理器。精确的5位

数字到模拟转换器（DAC ）可以调节

输出电压从1.30V到2.05V以50mV的二进制

步骤和从2.10V到3.50V ，具有100mV的二进制文件的步骤。

高精度内部参考电压，保证了SE-

lected输出电压为±1％以内。高峰

电流栅极驱动能提供有快速切换到

外部功率MOS提供低开关损耗。

该设备保证了快速的保护，防止负载

过电流和过电压的负载。外部可控硅

触发撬棍输入电源的情况下硬

过电压。内部短路器还设置

只要开启低侧MOSFET的过

电压被检测。的情况下的过电流检测，

软启动电容被放电，并在系统

工作在打嗝模式。

框图

VCC 5 12V

输入电压5V to12V

PGOOD

VCC

OCSET

BOOT

监测与

保护

OVP

UGATE

OSC

相

LGATE

保护地

1.100V至1.850V

VD0

VD1

VD2

VD3

VD4

D / A

E / A

PWM

GND

VSEN

VFB

D98IN957_2

COMP

2001年11月

1/17

L6911D

绝对最大额定值

符号

BOOT

-V

相

HGATE

-V

相

OCSET ， LGATE ，相

RT ， SS ， FB ， PGOOD ， VSEN ， VID0-4

OVP ， COMP

到GND ， PGND

启动电压

参数

价值

-0.3 VCC + 0.3

6.5

单位

热数据

符号

日J- AMB

英镑

参数

热阻结到环境

最高结温

存储温度范围

结温范围

价值

110

150

-40至150

0-125

单位

° C / W

°C

引脚连接

（ TOP VIEW ）

VSEN

OCSET

SS / INH

VID0

VID1

VID2

VID3

VID4

COMP

D98IN958

OVP

VCC

LGATE

保护地

BOOT

UGATE

相

PGOOD

GND

2/17

L6911D

引脚功能

针

NUM 。

名字

VSEN

OCSET

描述

连接到所述输出电压是能够管理过电压条件和PGOOD

信号。

从这个引脚和上摩斯漏极连接一个电阻设置电流限制保护。

内部200μA电流发生器下沉从漏极电流通过外部电阻器。

该过电流阈值，是由于以下公式：

OCSE牛逼

CS ET

= ---------------------------------------------

DS ON

软启动时间进行编程连接从这个引脚与GND外部电容。该

内部电流产生的力量通过电容器10μA 。

该引脚可用于禁用设备迫使高于0.4V的电压下

电压识别码引脚。这些输入在内部上拉式和TTL兼容。他们

用于编程的输出电压，如表1所指明的并以设置的过电压和

电源良好阈值。

连接至GND设定一个“0” ，而离开浮动方案“1” 。

该引脚被连接到误差放大器的输出，用于补偿的电压控制

反馈回路。

该引脚被连接到误差放大器的反相输入端，并用于补偿电压

控制反馈回路。

所有的内部引用被称为该引脚。它连接到PCB的信号地。

该引脚为集电极开路输出和被拉低，如果输出电压不符合上述

指定的阈值。

如果不使用可能被悬空。

该引脚被连接到上部场效应晶体管的源极和提供返回路径的高

侧驱动器。该引脚用于监控上MOSFET的压降为限流

高侧栅极驱动器输出。

自举电容引脚。通过此引脚提供的高边驱动器和MOSFET上。

通过连接一个电容到相位引脚，并通过二极管工作电压（阴极与引导）。

电源接地引脚。该引脚必须紧密连接到低侧MOSFET的源极，以

降低噪声注入到器件

该引脚为低MOSFET栅极驱动器输出

器件的电源电压。手术标称电源电压范围为5 12V 。

请勿连接V

为电压大于V

过电压保护。如果输出电压达到17％以上的编程电压

该引脚被驱动为高，可用于驱动外部可控硅那撬棍电源电压。

如果未使用的，它可被悬空。

振荡器开关频率针。连接一个外部电阻从这个引脚GND时，

外部频率是根据该方程式增大：

4.94

200kHz

+ -------------------------

(

)

从这个引脚电压（ 12V）连接一个电阻，开关频率是按照减少

公式：

4.306

200kHz

– ----------------------------

(

)

如果该引脚没有连接时，开关频率为200KHz的。

在这个引脚上的电压固定在1.23V （典型值）。迫使50μA电流流入该引脚，内置的

振荡器停转。

SS / INH

4-8

VID0 - 4

COMP

GND

PGOOD

相

UGATE

BOOT

保护地

LGATE

VCC

OVP

3/17

L6911D

电气特性的影响

= 12V ，T

AMB

= 25 ° C除非另有规定编）

符号

参数

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

电源电流

ICC

VCC电源电流

开启Vcc的门槛

关断阈值的Vcc

瑞星V

OCSET

门槛

软启动电流

UGATE和LGATE开放

VOCSET=4.5V

3.6

1.24

4.6

220

1.9

千赫

VP-P

POWER- ON

振荡器

自由运行频率

全变差

OSC

斜坡幅度

=打开

6 KΩ < RT与GND之间< 200千欧

=打开

VID0 ， VID1 ， VID2 ， VID3 ， VID4

参照表;环境温度Tamb = 0至70℃

-1

COMP=10pF

1.3

0.9

1.1

1.5

120

117

170

200

120

230

180

-15

200

参考和DAC

DACOUT电压

准确性

VID上拉电压

误差放大器器

DC增益

增益带宽积

压摆率

高边源

当前

高边水槽

阻力

低端来源

当前

低侧漏

阻力

输出驱动器死区时间

PROTECTIONS

过电压跳闸

SEN

/ DACOUT ）

OCSET

OVP

OCSET电流源

OVP拉电流

SEN

升起

OCSET

= 4.5V

SEN

＆ GT ; OVP旅行，V

OVP

=0V

SEN

升起

SEN

落下

上限和下限阈

PGOOD

= -5mA

兆赫

V / μs的

栅极驱动器

UGATE

LGATE

BOOT

- V

相

=12V,

UGATE

- V

相

= 6V

BOOT

-V

相

=12V,

UGATE

= 300毫安

VCC = 12V ，V

LGATE

= 6V

VCC = 12V ，我

LGATE

= 300毫安

相连接到GND

电源良好

阈值上限

SEN

/ DACOUT ）

阈值下限

SEN

/ DACOUT ）

迟滞

SEN

/ DACOUT ）

PGOOD

PGOOD电压低

110

112

0.5

114

4/17

L6911D

表1. VID设置

VID4

VID3

VID2

VID1

VID0

产量

电压（V）的

输出关闭

1.100

1.125

1.150

1.175

1.200

1.225

1.250

1.275

1.300

1.325

1.350

1.375

1.400

1.425

1.450

VID4

VID3

VID2

VID1

VID0

输出电压

(V)

1.475

1.500

1.525

1.550

1.575

1.600

1.625

1.650

1.675

1.700

1.725

1.750

1.775

1.800

1.825

1.850

设备描述

该装置是实现BCD工艺的集成电路。它提供了完整的控制逻辑和保护

对于高性能降压为微处理器供电的DC-DC转换器进行了优化。它被设计

驱动N沟道MOSFET的同步整流降压拓扑结构。该设备工作正常与Vcc的rang-

从5V荷兰国际集团以12V和调节输出电压从1.26V输出级电源电压（Vin ）开始。该

该转换器的输出电压可精确调节，编程的VID针脚，从1.100V至1.850V

以25mV为二进制的步骤，为±1 ％以上的温度和线电压变化的最大容限。该

器件提供电压模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括一个200kHz的自由运行的振荡器

这是可调的50kHz至1MHz的。

误差放大器具有15MHz的增益带宽积和10V / μs的转换速率，允许高变流

呃带宽快速的瞬态性能。所产生的PWM占空比的范围是从0 ％到100％。该装置

防止过电流条件下进入打嗝模式。该装置监视当前使用

第r

DS （ ON）

的上部MOSFET其中省去了一个电流检测电阻器。

该器件采用SO20封装

振荡器

开关频率在内部被固定为200kHz的。内部振荡器产生的三角波

为PWM充电和恒定电流的内部电容器放电。传递到当前

振荡器通常是50μA （FSW = 200KHz的），并且可以使用一个外部电阻器来改变（注册商标

），连接在

RT引脚与GND或VCC 。自从RT引脚保持在固定的电压（典型值1.235V ），则频率变化

成比例地从当前沉没（强制）（入）管脚。

特别是将其连接到GND的频率增加（电流从销沉没），根据本

下列关系式：

4.94

200kH

+ -------------------------

(

)

连接的RT到VCC = 12V或至VCC = 5V时的频率被降低（电流被迫进入针），根据

下列关系式：

5/17