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L6743B
高电流MOSFET驱动器
特点
同步双MOSFET驱动器整流
转换器
高驱动电流快速外部MOSFET
开关
集成自举二极管
高频率运行
使能引脚
自适应死区时间管理
灵活的栅极驱动: 5 V至12 V兼容
高阻抗( HIZ)功能管理输出
停产阶段
初步OV保护
VFDFPN8 3 ×3毫米封装
结合ST PWM控制器,驱动器
可实现完整的电压调节器
现代大电流的CPU解决方案和
在一般的DC- DC转换。 L6743B嵌入
大电流驱动高边和
低侧MOSFET 。该器件接受灵活
电源( 5伏至12伏) ,以优化
栅极驱动电压的高侧和低侧
最大限度地提高了系统的效率。
自举二极管嵌入节约使用
外部二极管。防直通
管理避免了高侧和低侧
的MOSFET同时进行,并
结合自适应死区时间控制,
最大限度地减少了LS体二极管的导通时间。
L6743B嵌入初步OV保护:后
Vcc的克服了UVLO和当所述设备处于
在成为HiZ ,在LS MOSFET导通保护
在情况下,输出电压克服了负载
警告阈防止输出
HS故障。
该驱动程序可为VFDFPN8 3 ×3mm的
包。
VFDFPN8 3 ×3mm的
应用
大电流VRM / VRD桌面/服务器/
工作站的CPU
高电流和高效率的DC / DC
转换器
描述
L6743B是一个灵活的,高频率的双驱动
专门设计用于驱动N沟道
连接的MOSFET的同步整流
降压拓扑结构。
表1中。
设备简介
订货编号
L6743B
VFDFPN8
L6743BTR
磁带和卷轴
填料
2008年6月
REV 1
1/16
www.st.com
1
目录
L6743B
目录
1
典型应用电路和程序框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
1.1
1.2
应用电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
2
引脚说明和连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
3
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
3.1
3.2
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
4
电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
4.1
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
5
设备描述和操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
高阻抗( HIZ)功能的管理。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
初步OV保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
内置自举二极管。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
布局原则。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
6
7
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
2/16
L6743B
典型应用电路和框图
1
1.1
典型应用电路和框图
应用电路
图1 。
典型应用电路
V
CC
= 5V至12V
C
DEC
VCC
BOOT
C
HF
C
体积
V
IN
= 5V至12V
L6743B
PWM输入
PWM
UGATE
HS
L
VOUT
EN输入
EN
GND
LGATE
LS
C
OUT
L6743B参考电路图
1.2
框图
图2中。
框图
VCC
EN
自适应反
交叉传导
15k
GND
HS
BOOT
UGATE
VCC
L6743B
PWM
控制逻辑
& PROTECTIONS
PWM
LS
LGATE
GND
3/16
引脚说明和连接图
L6743B
2
引脚说明和连接图
网络连接gure 3 。
销连接(顶视图)
2.1
引脚说明
表1中。
针#
引脚说明
名字
功能
高边驱动器电源。
该引脚提供了高侧浮动驱动。连接通过
R
BOOT
- C
BOOT
电容器向相引脚。
内部连接到集成自举二极管的阴极。看
第5.3节
在设计的电容值的指导。
控制输入用于驾驶员,5V兼容。
该引脚控制驱动器以及外部MOSFET有状态
可以根据EN状态成为开。如果悬空,与EN相结合
断言,它会导致驾驶者进入高阻抗( HIZ)功能状态,
导致所有的MOSFET处于关机状态。看
5.1节
关于成为HiZ细节。
使能输入驱动程序。内部拉低了15 kΩ的。
拉高根据PWM状态,使司机。如果拉低意志
导致变频器进入HiZ时所有MOSFET关断不管
PWM状态。
SEE
5.1节
关于成为HiZ细节。
设备和LS驱动电源。连接到任何电压介于5 V和
12五,绕道,低ESR的MLCC电容到GND 。
低侧驱动器输出。
直接连接至低边MOSFET的栅极。串联一个小电阻即可
有用以减少消耗的功率特别高频率的应用。
所有内部参考,逻辑和驱动程序都参考该引脚。连接
PCB地平面。
高边驱动器的返回路径。连接到高侧MOSFET的源极。
该引脚还监测了自适应死区时间管理和预
OV保护。
高侧驱动器输出。
连接到高边MOSFET的栅极。
导热垫连接的硅衬底和使良好的热接触。
与PCB 。连接到保护接地平面。
1
BOOT
2
PWM
3
EN
4
VCC
5
LGATE
6
GND
7
8
-
UGATE
TH 。 PAD
4/16
L6743B
最大额定值
3
3.1
最大额定值
绝对最大额定值
表2中。
符号
V
CC,
V
PVCC
V
BOOT
, V
UGATE
V
V
LGATE
V
PWM ,
V
EN
V
CC,
V
PVCC
到GND
到GND
以相
到GND
到GND
到GND
到GND
绝对最大额定值
参数
价值
-0.3至15
41
15
-8 26
-0.3 VCC + 0.3
-0.3 7
-0.3至15
单位
V
V
V
V
V
V
3.2
热数据
表3中。
符号
R
thJA
R
thJC
T
最大
T
英镑
T
J
P
合计
热数据
参数
热阻结到环境
(设备焊接在2S2P ,67毫米× 69毫米板)
热阻结到外壳
最高结温
存储温度范围
结温范围
在25 °C最大功率耗散
(设备焊接在2S2P PC板)
价值
45
5
150
0至150
0-125
2.25
单位
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
W
5/16
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    -
    -
    -
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L6743B
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SMD
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L6743B
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L6743B
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