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L6711
动态VID和可选的DAC 3相位控制器
特点
2A集成门极驱动程序
跨越全差分电流读数
电感器或LS MOSFET
0.5%的输出电压精度
6位可编程输出0.8185V到
1.5810V在12.5mV的步
5位可编程输出从0.800V至
1.550V以25mV步
动态VID管理
可调参考电压失调
3%的电流精度共享
DIGITAL 2048 STEP软启动
可编程过电压保护
集成温度传感器
恒过电流保护
振荡器内部固定为150kHz的( 450kHz的
纹波)外部可调
OUTPUT ENABLE
集成远程读出缓冲器
带裸焊盘的TQFP48封装为7x7
TQFP48 (裸露焊盘)
描述
该设备实现了一种三相降压
控制器与每个之间的120 °相移
相在集成的高电流驱动器
紧凑的7x7mm身体封装,带有裸焊盘。
该装置嵌入可选的DAC :输出
从0.8185V至1.5810V与电压范围
12.5mV的步( VID_SEL = OPEN )或0.800V
为1.550V与25mV步进( VID_SEL = GND ;
VID5驱动一个可选的+ 25mV的偏移量)管理
动态VID 0.5 %的准确度线
温度的变化。额外的可编程的偏移
可以添加到所述参考电压与一
单个外部电阻器。
该设备保证了快速的保护,防止负载
过电流和负载过/欠电压。一
内部撬棍提供开启低
如果检测到过电压侧的MOSFET 。
万一过流,该系统工作在
恒流模式,直到UVP 。
可选择的电流读数增加了灵活性
系统设计。
应用
大电流VRM / VRD台式机/服务器/
工作站的CPU
高密度的DC / DC转换器
订购代码
产品型号
L6711
L6711TR
TQFP48
TQFP48
填料
磁带&卷轴
2006年4月
转4
1/50
www.st.com
50
目录
L6711
目录
1
典型应用电路和程序框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
1.1
1.2
应用电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
2
引脚说明和连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
2.1
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
3
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
3.1
3.2
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
4
5
6
7
电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
VID表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
设备描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
当前的读数和均流控制环。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
7.1
7.2
低边电流读数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
电感电流读数。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
8
9
10
DAC的选择。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
远端电压检测。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 23
电压定位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
10.1
10.2
10.3
软化功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
抵消。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
集成的温度传感器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 26
11
动态VID转换。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 28
11.1
11.2
VID_SEL = OPEN 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
VID_SEL = GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
2/50
L6711
目录
12
13
14
启用和禁用。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 31
软启动。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
输出电压监测和保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
14.1
14.2
14.3
14.4
14.5
UVP保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
可编程OVP保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
初步OVP保护(预OVP ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
过电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
低压侧检测过流( CS_SEL = OPEN ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
14.5.1
14.5.2
TON限制输出电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
恒定电流动作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
14.6
电感感过电流( CS_SEL = SGND ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
15
16
振荡器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
驱动部分。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
16.1
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
17
18
系统控制环路补偿。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 41
布局原则。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
18.1
18.2
18.3
电源连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 44
电源连接相关。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45
电流检测连接。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 46
19
20
21
嵌入L6711型VRDS ... 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 47
TQFP48机械数据&封装尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 48
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
3/50
典型应用电路和框图
L6711
1
1.1
典型应用电路和框图
应用电路
图1 。
V
IN
对于LS MOSFET电流检测的典型应用电路
L
IN
GND
IN
1
41
38
C
IN
VCCDR1
VCCDR2
VCCDR3
BOOT1
45
4
VCC
UGATE1
46
HS1
L1
5,31
22
6
PHASE1
SGND
OSC / FAULT
OFFSET
LGATE1
47
2
LS1
PGND1
CS1-
3
14
Rg
20
TC
CS1+
15
Rg
21
9
CS_SEL
OVP
BOOT2
44
UGATE2
43
HS2
L2
VCC_CORE
VID5
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID_SEL
OUTEN
L6711
23
28
27
26
25
24
29
13
VID5
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID_SEL
OUTEN
PHASE2
42
LGATE2
40
LS2
C
OUT
负载
PGND2
CS2-
39
16
Rg
CS2+
BOOT3
17
34
Rg
7
COMP
UGATE3
33
HS3
L3
C
F
R
F
PHASE3
8
FB
32
LGATE3
36
LS3
R
FB
10
PGND3
CS3-
VSEN
CS3+
FBR
FBG
SS_END
北卡罗来纳州
37
北卡罗来纳州
48
35
18
Rg
SS_END
19
Rg
11
12
30
L6711 REF 。 SCH 。管(MOSFET )
4/50
L6711
图2中。
V
IN
典型应用电路和框图
对电感器DCR电流检测的典型应用电路
L
IN
GND
IN
1
41
38
C
IN
VCCDR1
VCCDR2
VCCDR3
BOOT1
45
4
VCC
UGATE1
46
HS1
L1
5,31
22
6
PHASE1
SGND
OSC / FAULT
OFFSET
LGATE1
47
2
LS1
R
G( RC )
PGND1
CS1-
3
Cg
14
Rg
20
TC
CS1+
15
R
克(一)
21
9
CS_SEL
OVP
BOOT2
44
UGATE2
43
HS2
L2
VCC_CORE
L6711
VID5
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID_SEL
OUTEN
23
28
27
26
25
24
29
13
VID5
VID4
VID3
VID2
VID1
VID0
VID_SEL
OUTEN
PHASE2
42
LGATE2
40
LS2
R
G( RC )
C
OUT
负载
PGND2
CS2-
39
Cg
16
Rg
CS2+
BOOT3
17
34
R
克(一)
7
COMP
UGATE3
33
HS3
L3
C
F
R
F
PHASE3
8
FB
32
LGATE3
36
LS3
R
G( RC )
R
FB
10
PGND3
CS3-
VSEN
CS3+
FBR
FBG
SS_END
北卡罗来纳州
37
北卡罗来纳州
48
35
Cg
18
R
SS_END
19
R
克(一)
11
12
30
L6711 REF 。 SCH 。 (电感)
5/50
L6711
具有动态VID 3阶段控制器
和可选择的DAC
1
特点
2A集成门极驱动程序
全差分电流读物
ACROSS电感器或低端
MOSFET
0.5%的输出电压精度
6位可编程输出
0.8185V TO 1.5810V在为12.5mV步骤
5位可编程输出
0.800V TO 1.550V以25mV的步骤
动态VID管理
可调参考电压
OFFSET
3 %的有功电流共享
准确性
DIGITAL 2048 STEP软启动
可编程过电压
保护
集成温度传感器
恒过电流保护
振荡器内部固定为
为150kHz ( 450kHz的纹波)
振荡器外部可调
OUTPUT ENABLE
集成远程读出缓冲器
带裸焊盘的TQFP48封装为7x7
图1.包装
TQFP48 (裸露焊盘)
表1.订购代码
产品型号
L6711
L6711TR
TQFP48
TQFP48在磁带卷&
3
描述
该设备实现了一种三相降压
控制器与每个之间的120 °相移
相在集成的高电流驱动器
紧凑的7x7mm身体封装,带有裸焊盘。
该装置嵌入可选的DAC :输出
从0.8185V至1.5810V与电压范围
12.5mV的步( VID_SEL = OPEN )或0.800V
为1.550V与25mV步进( VID_SEL = GND ; VID5
驱动一个可选的+ 25mV的偏移量)管理镝
动力学VID 0.5 %的准确度线和临时
的变化。额外的可编程偏移可以
加入到参考电压与单个克斯特
最终电阻。
该设备保证了快速的保护,防止负载
过电流和负载过/欠电压。一个跨
最终撬棍提供打开偏低
如果检测到过电压的MOSFET 。
万一过流,该系统工作在CON-
恒流模式,直到UVP 。
可选择的电流读数增加了灵活性的系
统的设计。
2
应用
大电流VRM / VRD用于桌面/
服务器/工作站处理器
高密度的DC / DC转换器
2004年11月
第2版
1/38
L6711
图2.框图
VCCDR1
VCCDR2
VCCDR3
PHASE1
PHASE2
PHASE3
UGATE1
UGATE2
UGATE3
LGATE1
LGATE2
LGATE3
PGND1
PGND2
PGND3
12.5A
BOOT1
BOOT2
BOOT3
HS3
OUTEN
OUTEN
HS1
HS1
逻辑PWM
自适应反
交叉传导
HS2
LS2
逻辑PWM
自适应反
交叉传导
电流共享
更正
LS3
逻辑PWM
自适应反
交叉传导
电流共享
更正
OVP
OVP
VCC
VCC
SGND
3相
振荡器
OSC
电流共享
更正
PWM1
PWM2
PWM3
CS_SEL
TC
PWM1
数字
软启动
VCC
温度
赔偿金
OUTEN
PWM2
PWM3
平均电流
CH3当前
阅读
OCP3
CH2电流
阅读
OCP2
CS3-
CS3+
VCCDR
CS_SEL
L6711
控制逻辑
和保护
OCP1
OCP2
OCP3
CS2-
CS2+
VID0
VID1
VID2
VID3
VID4
VID5
VID_SEL
DAC
与动态
VID控制
OFFSET
总电流
I
OS
I
I
TC
115 % / OVP
64k
64k
误差放大器器
远程
卜FF器
I
FB
64k
64k
目前CH1
阅读
OCP1
CS1-
CS1+
OVP
SS_END
1.240V
I
OS
FB
OFFSET
表2.绝对最大额定值
符号
V
CC
, VCCDRx
V
BootX的
-V
PHASEx
V
UGATEx
-V
PHASEx
LGATEx , PHASEx到PGNDx
VID0到VID5
所有其他引脚来PGNDx
V
PHASEx
CS3-引脚
其它引脚
可持续发展正峰值电压。 T<20nS @ 600kHz的
最大耐压范围
测试条件: CDF - AEC- Q100-002 “人体模型”
验收标准: “正常的表现”
到PGNDx
启动电压
参数
价值
15
15
15
-0.3 VCC + 0.3
-0.3 5
-0.3 7
26
±1500
±2000
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
表3.热数据
符号
R
日J- AMB
T
最大
T
英镑
T
j
P
合计
参数
热阻结到环境
(设备焊接在2S2P PC板)
最高结温
存储温度范围
结温范围
最大功率耗散在T
AMB
= 25°C
价值
40
150
-40至150
0-125
2.5
单位
°C
/ W
°C
°C
°C
W
2/38
COMP
VSEN
FBG
FBR
L6711
图3.引脚连接
( TOP VIEW )
VID_SEL
SS_END
PHASE3
UGATE3
LGATE3
PGND3
BOOT3
SGND
VID4
VID3
VID2
北卡罗来纳州
VCCDR3
PGND2
LGATE2
VCCDR2
PHASE2
UGATE2
BOOT2
BOOT1
UGATE1
PHASE1
北卡罗来纳州
36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25
37
24
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
1
VCCDR1
2
LGATE1
3
PGND1
4
VCC
5
SGND
6
OFFSET
7
COMP
8
FB
9 10 11 12
FBR
OVP
VSEN
FBG
23
22
21
20
VID1
VID0
VID5
OSC / FAULT
CS_SEL
TC
CS3+
CS3-
CS2+
CS2-
CS1+
CS1-
OUTEN
L6711
19
18
17
16
15
14
13
表4.引脚功能
1
名字
描述
VCCDR1通道1 LS驱动器电源:可从5V变化到12V总线。
它必须与其他VCCDRx销连接在一起。
至少1μF的陶瓷电容与PGND1本地过滤器。
LGATE1
PGND1
VCC
SGND
通道1 LS驱动输出。
一个小串联电阻有助于减少设备消耗的功率。
通道1 LS驱动回路。
连接到电源地平面。
器件的电源电压。手术电源电压为12V ± 15%。
与1μF电容(典型值)与SGND过滤器。
所有的内部引用被称为该引脚。它连接到PCB的信号地。
2
3
4
5
6
OFFSET偏移编程引脚,内部固定为1.240V 。
短到SGND禁用偏移产生或通过连接一个电阻R
OFFSET
到SGND
编程的偏移(正或负,这取决于TC状态),以调节输出电压
报告中所报告的相对部分的年龄。
COMP
FB
该引脚被连接到误差放大器的输出,用于补偿所述控制馈
回圈。
该引脚被连接到误差放大器的反相输入端,并用于补偿电压
控制反馈回路。
在此引脚与VSEN脚之间的电阻允许编程下垂的效果。
过电压保护设定引脚:它允许编程OVP干预。
内部上拉至5V ,其源恒定12.5μA的电流。
留下销浮动过压保护阈值被设定为115% (典型值)的编程电压的
连接一个电阻器R
OVP
到SGND ,它设置过压保护阈值,以一个固定的可编程电压
(参见相关章节的详细信息) 。与10nF的筛选与SGND在这种情况下。
管理Over&Under电压的条件。它是在内部具有的输出端连接
遥感缓冲器,用于调节电压的遥感。
如果没有遥感实施后,直接连接到调节电压,以便用以管理
年龄OVP和UVP 。
7
8
9
OVP
10
VSEN
3/38
L6711
表4.引脚功能
(续)
11
12
13
名字
FBR
FBG
OUTEN
描述
远程感应缓冲的非反相输入端。
它必须被连接到负载的正侧来执行远程感。
远程感应缓冲反相输入端。
它必须被连接到负载的负侧,以执行远程感。
输出使能引脚,内部3V上拉了起来。
如果强行电压低于0.3V时,设备将停止运行所有的MOSFET关:所有
保护是除了预OVP这种情况下禁用。
循环这个引脚从保护锁中恢复;过滤与1nF的(典型值)的电容与SGND 。
通道1电流检测负极输入引脚。
它必须通过一个电阻器RG的LS MOSFET的漏极连接(或连接到该对LS-侧
感测电阻器串联设置在与LS的MOSFET )如果执行LS MOSFET的感
( CS_SEL = OPEN ) 。否则( CS_SEL = SGND ) ,它必须连接到的输出侧
输出电感器(或感测电阻器的使用,并且放置在信道1之间的输出侧
电感器和转换器的通RG的电阻输出) 。
连接销,以感测点的净必须路由尽可能接近到CS1 +
净,以一对共模中的任何拾取的噪声。
通道1电流检测正极输入引脚。
它必须通过一个电阻器RG的LS MOSFET的源极连接(或连接到所述的接地侧
感测电阻器串联设置在与LS的MOSFET )如果执行LS MOSFET的感
( CS_SEL = OPEN ) 。否则( CS_SEL = SGND ) ,它必须连接到的相位侧
输出电感器(或感测电阻器的使用,并且放置在信道之间的电感器侧
1电感器和转换器的通RG的电阻输出)和横跨一个RC网络
电感器。
连接销,以感测点的净必须路由尽可能接近到CS1-
净,以一对共模中的任何拾取的噪声。
通道2电流检测负极输入引脚。
它必须通过一个电阻器RG的LS MOSFET的漏极连接(或连接到该对LS-侧
感测电阻器串联设置在与LS的MOSFET )如果执行LS MOSFET的感
( CS_SEL = OPEN ) 。否则( CS_SEL = SGND ) ,它必须连接到的输出侧
输出电感器(或感测电阻器的使用,并且放置在信道2之间的输出侧
电感器和转换器的通RG的电阻输出) 。
连接销,以感测点的净必须路由尽可能接近到CS 2 +
净,以一对共模中的任何拾取的噪声。
通道2电流检测正极输入引脚。
它必须通过一个电阻器RG的LS MOSFET的源极连接(或连接到所述的接地侧
感测电阻器串联设置在与LS的MOSFET )如果执行LS MOSFET的感
( CS_SEL = OPEN ) 。否则( CS_SEL = SGND ) ,它必须连接到的相位侧
输出电感器(或感测电阻器的使用,并且放置在信道之间的电感器侧
2电感器和转换器的通RG的电阻输出)和横跨一个RC网络
电感器。
连接销,以感测点的净必须路由尽可能接近到CS2-
净,以一对共模中的任何拾取的噪声。
通道3电流检测负极输入引脚。
它必须通过一个电阻器RG的LS MOSFET的漏极连接(或连接到该对LS-侧
感测电阻器串联设置在与LS的MOSFET )如果执行LS MOSFET的感
( CS_SEL = OPEN ) 。否则( CS_SEL = SGND ) ,它必须连接到的输出侧
输出电感器(或感测电阻器的使用,并且放置在通道3之间的输出侧
电感器和转换器的通RG的电阻输出) 。
连接销,以感测点的净必须路由尽可能接近到CS3中
净,以一对共模中的任何拾取的噪声。
14
CS1-
15
CS1+
16
CS2-
17
CS2+
18
CS3-
4/38
L6711
表4.引脚功能
(续)
19
名字
CS3+
描述
通道3电流检测正极输入引脚。
它必须通过一个电阻器RG的LS MOSFET的源极连接(或连接到所述的接地侧
感测电阻器串联设置在与LS的MOSFET )如果执行LS MOSFET的感
( CS_SEL = OPEN ) 。否则( CS_SEL = SGND ) ,它必须连接到的相位侧
输出电感器(或感测电阻器的使用,并且放置在信道之间的电感器侧
3电感器和转换器的通RG的电阻输出)和横跨一个RC网络
电感器。
连接销,以感测点的净必须路由尽可能接近到CS3-
净,以一对共模中的任何拾取的噪声。
温度补偿引脚。
连接通过一个电阻器R
TC
和10nF的筛选与SGND编程温度的COM
补偿效果。
短到SGND禁用补偿效果。
20
TC
21
CS_SEL当前读数选择引脚,内部5V上拉了起来。
离开浮动以感测穿过低侧MOSFET的电流或感测电阻器串联放置于
在LS MOSFET的源极。最大占空比被动态地限定, Track&Hold使能
保证电流的正确读数。
短到SGND阅读跨越式电感和检测电阻串联输出电流
电感器。无占空比的限制,也没有在这种情况下进行Track&Hold 。
OSC /
故障
振荡器引脚。
它允许编程每个通道的开关频率:等效开关频
昆西在负载侧的结果被翻了三倍。
内部固定为1.24V ,则频率变化成比例地对当前的沉没(强制)从
(成)有6千赫/ μA的内部增益的引脚(参见有关章节) 。
如果该引脚没有连接时,开关频率是150kHz的每个信道( 450kHz的上
负载)。
该引脚被强制为高( 5V典型值)的过压/欠压检测时;从这种状态中恢复
条件,循环VCC或OUTEN引脚。
电压识别针脚。
在内部上拉到3V ,连接到SGND编写一个' 0 ',而悬空编程“1” 。
它们被用来编程的输出电压,如表5和表6连同指定
VID_SEL并设置相应的OVP / UVP保护阈值。
请参阅相关的部分,了解DAC选择的详细信息。
22
23日, 24日至
28
VID5,
VID0-4
29
VID_SEL VID_SELect引脚。通过该引脚也可以选择用于调节DAC的表。
悬空使用VRD10.x兼容的DAC(见表1 ),而短到SGND使用
VRM -锤符合DAC(见表2 ) 。
请参阅相关的部分,了解DAC选择的详细信息。
SS_END软启动结束信号。这是一个集电极开路输出,自由设置完成软启动后。
上拉与电阻器的电压低于5V ,如果不使用可能被悬空。
SGND
所有的内部引用被称为该引脚。它连接到PCB的信号地。
三期通道3 HS驱动器的返回路径。它必须被连接到HS3 MOSFET的源极,并提供
返回路径为信道3的HS驱动器。
UGATE3通道3 HS驱动器输出。
一个小串联电阻有助于减少设备消耗的功率。
BOOT3
通道3 HS驱动电源。该引脚提供了相对高侧驱动器。
通过连接一个电容( 100nF的典型值)的三期销,并通过二极管到VCC ( cath-
颂歌与引导) 。
通道3 LS驱动回路。
连接到电源地平面。
通道3 LS驱动输出。
一个小串联电阻有助于减少设备消耗的功率。
没有内部连接。
30
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PGND3
LGATE3
北卡罗来纳州
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