L6571A - L6571B
绝对最大额定值
符号
I
S
(*)
参数
电源电流
振荡电阻上的电压
低压侧开关门输出
高边开关源输出
高边开关门输出
浮动电源电压
浮动电源VS OUT电压
V
BOOT
压摆率（重复）
V
OUT
压摆率（重复）
储存温度
结温
环境温度（手术）
价值
25
18
14.6
-1到V
BOOT
- 18
-1到V
BOOT
618
18
±
50
±
50
-40至150
-40至150
-40至125
单位
mA
V
V
V
V
V
V
V / ns的
V / ns的
°
C
°
C
°C
V
CF
V
LVG
V
OUT
V
HVG
V
BOOT
V
BOOT / OUT
dV
BOOT
/ DT
dV
OUT
/ DT
T
英镑
T
j
T
AMB
(*)
该器件具有GND和VS （典型值15.6V ）之间的内部齐纳钳位。
因此，该电路不应该由直流低阻抗电源来驱动。
注意：
静电放电抗扰度的引脚6 ， 7和8是保证高达900 V（人体模型）
热数据
符号
R
日J- AMB
参数
热阻结到环境
最大
MINIDIP
100
SO8
150
单位
°
C / W
推荐工作条件
符号
V
S
V
BOOT
V
OUT
f
OUT
电源电压
浮动电源电压
高边开关源输出
振荡频率
参数
分钟。
10
-
-1
马克斯。
V
CL
500
V
BOOT
-V
CL
200
单位
V
V
V
千赫
引脚连接
V
S
R
F
C
F
GND
1
2
3
4
D94IN059
8
7
6
5
BOOT
HVG
OUT
LVG
2/7
L6571A - L6571B
mm
分钟。
A
a1
a2
a3
b
b1
C
c1
D (1)
E
e
e3
F (1)
L
M
S
3.8
0.4
4.8
5.8
1.27
3.81
4.0
1.27
0.6
8
°
（ MAX 。 ）
0.15
0.016
0.65
0.35
0.19
0.25
0.1
典型值。
马克斯。
1.75
0.25
1.65
0.85
0.48
0.25
0.5
0.026
0.014
0.007
0.010
0.004
分钟。
寸
典型值。
马克斯。
0.069
0.010
0.065
0.033
0.019
0.010
0.020
DIM 。
概况与
机械数据
45 （典型值）。
5.0
6.2
0.189
0.228
0.050
0.150
0.157
0.050
0.024
0.197
0.244
SO8
（ 1 ）D和F不包括塑模毛边或突起。塑模毛边或
potrusions不得超过0.15毫米（ .006inch ） 。
5/7
L6571A
L6571B
高压半桥
驱动器与振荡器
s
s
s
s
高电压输入高达600V
BCD OFF LINE科技
15.6V齐纳钳位的v
S
驱动电流能力：
- 灌电流= 270毫安
- 源电流= 170毫安
很低的启动电流： 150μA
根据与欠压锁定
迟滞
可编程振荡器
频率
死区时间1.25μs （ L6571A ）或0.72μs
(L6571B)
的dV / dt抗扰性高达± 50V / ns的
ESD保护
s
s
s
s
s
s
MINIDIP
SO8
订购号码：
L6571A
L6571AD
L6571B
L6571BD
器。该装置的内部电路允许其是
也带动了外部逻辑信号。
输出驱动器设计用于驱动外部N -
沟道功率MOSFET和IGBT 。内部对数
IC保证了死区时间，以避免交叉传导
功率器件。
两个版本可供选择： L6571A和L6571B 。
它们的区别在于内部死区时间： 1.25μs和
0.72μs （典型值）。
描述
该装置是一种具有高电压半桥驱动
内置的振荡器。振荡器的频率可
使用外部电阻和电容进行编程
框图
H.V.
C
VS
V
S
1
R
HV
BOOT
8
BIAS
调节器
水平
移
7
高
SIDE
司机
HVG
C
BOOT
V
S
R
F
R
F
C
F
COMP
2
卜FF器
6
OUT
负载
C
F
3
COMP
V
S
逻辑
LOW SIDE
司机
5
D96IN433
LVG
GND
4
2000年9月
1/8
L6571A L6571B
绝对最大额定值
符号
I
S
(*)
V
CF
V
LVG
V
OUT
V
HVG
V
BOOT
V
BOOT / OUT
dV
BOOT
/ DT
dV
OUT
/ DT
T
英镑
T
j
T
AMB
电源电流
振荡电阻上的电压
低压侧开关门输出
高边开关源输出
高边开关门输出
浮动电源电压
浮动电源VS OUT电压
VBOOT压摆率（重复）
VOUT摆率（重复）
储存温度
结温
环境温度（手术）
参数
价值
25
18
14.6
-1到V
BOOT
- 18
-1到V
BOOT
618
18
±
50
± 50
-40至150
-40至150
-40至125
单位
mA
V
V
V
V
V
V
V / ns的
V / ns的
°C
°C
°C
（ * ）该设备具有GND和VS （典型值15.6V ）。因此在电路之间的内部齐纳二极管钳位不应该由一个直流低im-驱动
pedance电源。
注意：
静电放电抗扰度的引脚6 ， 7和8是保证高达900 V（人体模型）
热数据
符号
R
日J- AMB
参数
热阻结到环境最大
MINIDIP
100
SO8
150
单位
° C / W
推荐工作条件
符号
V
S
V
BOOT
V
OUT
f
OUT
电源电压
浮动电源电压
高边开关源输出
振荡频率
参数
分钟。
10
-
-1
马克斯。
V
CL
500
V
BOOT
-V
CL
200
单位
V
V
V
千赫
引脚连接
V
S
R
F
C
F
GND
1
2
3
4
D94IN059
8
7
6
5
BOOT
HVG
OUT
LVG
2/8
L6571A L6571B
引脚功能
N°
1
2
针
VS
RF
描述
电源输入电压与内部钳位[ （典型值） 。 15.6V ]
振荡器定时电阻引脚。
缓冲区设置交替到V
S
和GND可以提供到外部电阻RF电流
连接销2和3之间。
或者，也可使用在引脚2的信号，以驱动另一个集成电路（即另一个L6569 / 71至
驱动全H桥）
振荡器的定时电容引脚。
有R连接在此引脚与GND修复（连接在一起的电容器
F
）振荡
频率
备选外部逻辑信号可被施加到引脚驱动集成电路。
地
低侧驱动器输出。
输出级可以提供170毫安源和270毫安水槽[ typ.values ] 。
上部驱动的浮动参考
高侧驱动器输出。
输出级可以提供170毫安源和270毫安水槽[ typ.values ] 。
自举电压供给。
它是上侧驱动器浮动电源。
3
CF
4
5
6
7
8
GND
LVG
OUT
HVG
BOOT
电气特性的影响
(V
S
= 12V; V
BOOT
- V
OUT
= 12V ;牛逼
j
= 25°C ;除非另有规定）。
符号
V
SUVP
V
SUVN
V
SUVH
V
CL
I
SU
I
q
I
BOOTLK
I
OUTLK
I
HVG SO
I
HVG SI
I
LVG SO
I
LVG SI
V
RFO
N
V
RF关闭
V
CFU
V
CFL
t
d
3
2
5
8
6
7
针
1
参数
VS导通阈值
VS关闭阈值
VS滞后
VS钳位电压
启动电流
静态电流
漏电流BOOT引脚VS
GND
漏电流OUT引脚VS
GND
高侧驱动器源电流
高侧驱动器灌电流
低端驱动器源电流
低端驱动器灌电流
RF高电平输出电压
射频低电平输出电压
CF阈值上限
CF阈值下限
内部死区时间
L6571A
L6571B
I
S
= 5毫安
V
S
＆ LT ; V
SUVN
V
S
＆ GT ; V
SUVP
V
BOOT
= 580V
V
OUT
= 562V
V
HVG
= 6V
V
HVG
= 6V
V
LVG
= 6V
V
LVG
= 6V
I
RF
= 1毫安
I
RF
= -1mA
110
190
110
190
V
S
-0.05
50
7.7
3.80
0.85
0.50
8
4
1.25
0.72
175
275
175
275
V
S
-0.2
200
8.2
4.3
1.65
0.94
测试条件
分钟。
8.3
7.3
0.7
14.6
典型值。
9
8
1
15.6
150
500
马克斯。
9.7
8.7
1.3
16.6
250
700
5
5
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
V
mV
V
V
s
s
3/8
L6571A L6571B
电气特性的影响
（续）
符号
DC
针
参数
占空比之间，比死
高时间+导通时间
侧和低侧驱动器
1
6
从与平均电流
振荡频率
无负载， FS = 60KHz的
R
T
= 12K ;
T
= 1nF的
57
测试条件
分钟。
0.45
典型值。
0.5
马克斯。
0.55
单位
I
AVE
f
OUT
1.2
60
1.5
63
mA
千赫
振荡器频率
内部振荡器的频率可利用外部电阻和电容进行编程。
标称振荡器频率可以用下面的公式来计算：
1
1
-
-
f
SC
= ---------------------------------------- = -----------------------------------------
1.3863
R
F
C
F
2
R
F
C
F
In2
其中R
F
和C
F
外接的电阻和电容。
该设备可以在"shut down"状态保持了C被驱动
F
脚接近GND ，但有些忧虑要
采取：
1.当C
F
是GND高侧驱动器关闭，低侧是
2.振荡器电容器C的强制放电
F
不得小于1us的短：一个简单的方法来做到这一点是
限制放电电流与电阻路径施加·R·
F
>1μs （参见图1）
图1 。
1
2
R
故障信号
C
F
GNDM
R
F
3
4
8
7
6
5
图2.波形
V
S
V
SUVP
V
CF
LVG
T1
D96IN434
T
C
4/8
QQ：2880707522 复制
