L6569
L6569A
高压半桥
驱动器与振荡器
s
s
s
s
s
高电压输入高达600V
BCD OFF LINE科技
内置自举二极管
结构
15.6V齐纳钳位的v
S
驱动电流能力：
- 灌电流= 270毫安
- 源电流= 170毫安
很低的启动电流： 150
A
根据与欠压锁定
迟滞
可编程振荡器
频率
死区时间1.25μs
的dV / dt抗扰性UP TO
±50V/ns
ESD保护
MINIDIP
SO8
s
s
s
s
s
s
订购号码：
L6569
L6569D
L6569A
L6569AD
使用外部电阻和电容进行编程
器。该装置的内部电路允许其是
也带动了外部逻辑信号。
输出驱动器设计用于驱动外部N -
沟道功率MOSFET和IGBT 。内部对数
IC保证了死区时间[ （典型值） 。 1.25
S] ，以避免交叉
传导功率器件。
两个版本可供选择： L6569和L6569A 。他们
不同之处在于低电压栅极驱动器的启动顺序。
描述
该装置是一种具有高电压半桥驱动
内置的振荡器。振荡器的频率可
框图
H.V.
C
VS
1
来源
收费
泵
BIAS
调节器
V
S
R
F
R
F
C
F
COMP
V
S
R
HV
BOOT
8
水平
移
7
HVG
C
BOOT
2
卜FF器
高
SIDE
司机
6
OUT
负载
C
F
3
COMP
V
S
逻辑
LOW SIDE
司机
5
LVG
GND
4
D94IN058D
2000年6月
这是正在开发的新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1/13
L6569 L6569A
绝对最大额定值
符号
I
S
(*)
V
CF
V
LVG
V
OUT
V
HVG
V
BOOT
V
BOOT / OUT
dV
BOOT
/ DT
dV
OUT
/ DT
T
英镑
T
j
T
AMB
电源电流
振荡电阻上的电压
低压侧开关门输出
高边开关源输出
高边开关门输出
浮动电源电压
浮动电源VS OUT电压
VBOOT压摆率（重复）
VOUT摆率（重复）
储存温度
结温
环境温度（手术）
参数
价值
25
18
14.6
-1到V
BOOT
- 18
-1到V
BOOT
618
18
±
50
±
50
-40至150
-40至150
-40至125
单位
mA
V
V
V
V
V
V
V / ns的
V / ns的
°C
°C
°C
（ * ）该设备具有GND和VS （典型值15.6V ）。因此在电路之间的内部齐纳二极管钳位不应该由一个直流低im-驱动
pedance电源。
注意：
静电放电抗扰度的引脚6 ， 7和8是保证高达900 V（人体模型）
热数据
符号
R
日J- AMB
参数
热阻结到环境最大
MINIDIP
100
SO8
150
单位
° C / W
推荐工作条件
符号
V
S
V
BOOT
V
OUT
f
OUT
电源电压
浮动电源电压
高边开关源输出
振荡频率
参数
分钟。
10
-
-1
马克斯。
V
CL
500
V
BOOT
-V
CL
200
单位
V
V
V
千赫
引脚连接
V
S
R
F
C
F
GND
1
2
3
4
D94IN059
8
7
6
5
BOOT
HVG
OUT
LVG
2/13
L6569 L6569A
引脚功能
N°
1
2
针
VS
RF
描述
电源输入电压与内部钳位[ （典型值） 。 15.6V ]
振荡器定时电阻引脚。
缓冲区设置交替到V
S
和GND可以提供到外部电阻RF电流
连接销2和3之间。
或者，也可使用在引脚2的信号，以驱动另一个集成电路（即另一个L6569驱动
一个完整的H桥）
振荡器的定时电容引脚。
有R连接在此引脚与GND修复（连接在一起的电容器
F
）振荡
频率
备选外部逻辑信号可被施加到引脚驱动集成电路。
地
低侧驱动器输出。
输出级可以提供170毫安源和270毫安水槽[ typ.values ] 。
上部驱动的浮动参考
高侧驱动器输出。
输出级可以提供170毫安源和270毫安水槽[ typ.values ] 。
自举电压供给。
它是上侧驱动器浮动电源。自举电容连接在此引脚与引脚之间
6可以通过名为“自举驱动器” （专利结构）的内部结构进行喂食。这
结构可以取代外部自举二极管。
3
CF
4
5
6
7
8
GND
LVG
OUT
HVG
BOOT
电气特性的影响
(V
S
= 12V; V
BOOT
- V
OUT
= 12V ;牛逼
j
= 25°C ;除非另有规定）。
符号
V
SUVP
V
SUVN
V
SUVH
V
CL
I
SU
I
q
I
BOOTLK
I
OUTLK
I
HVG SO
I
HVG SI
I
LVG SO
I
LVG S
I
5
8
6
7
针
1
参数
VS导通阈值
VS关闭阈值
VS滞后
VS钳位电压
启动电流
静态电流
漏电流BOOT引脚VS
GND
漏电流OUT引脚VS
GND
高侧驱动器源电流
高侧驱动器灌电流
低端驱动器源电流
低端驱动器灌电流
I
S
= 5毫安
V
S
＆ LT ; V
SUVN
V
S
＆ GT ; V
SUVP
V
BOOT
= 580V
V
OUT
= 562V
V
HVG
= 6V
V
HVG
= 6V
V
LVG
= 6V
V
LVG
= 6V
110
190
110
190
175
275
175
275
测试条件
分钟。
8.3
7.3
0.7
14.6
典型值。
9
8
1
15.6
150
500
马克斯。
9.7
8.7
1.3
16.6
250
700
5
5
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
3/13
L6569 L6569A
电气特性的影响
（续）
符号
V
RFO
N
V
RF关闭
V
CFU
V
CFL
t
d
DC
3
针
2
参数
RF高电平输出电压
射频低电平输出电压
CF阈值上限
CF阈值下限
内部死区时间
占空比之间，比死
高时间+导通时间
侧和低侧驱动器
在自举电阻
LDMOS
UVLO之前，自举电压
1
6
从与平均电流
振荡频率
V
S
= 8.2
无负载， FS = 60KHz的
R
T
= 12K ;
T
= 1nF的
57
2.5
测试条件
I
RF
= 1毫安
I
RF
= -1mA
分钟。
V
S
-0.05
典型值。
马克斯。
V
S
-0.2
200
单位
V
mV
V
V
s
50
7.7
3.80
0.85
0.45
8
4
1.25
0.5
8.2
4.3
1.65
0.55
R
ON
V
BC
I
AVE
f
OUT
120
3.6
1.2
60
1.5
63
V
mA
千赫
振荡器频率
内部振荡器的频率可利用外部电阻和电容进行编程。
标称振荡器频率可以用下面的公式来计算：
1
1
-
f
OSC
= ----------------------------------------- = -----------------------------------------
2
R
F
C
F
我N2
1.3863
R
F
C
F
其中R
F
和C
F
外接的电阻和电容。
该装置可以在“关闭”状态保持了C被驱动
F
脚接近GND ，但有些忧虑要
采取：
1.当C
F
是GND高侧驱动器关闭，低侧是
2.振荡器电容器C的强制放电
F
不得小于1us的短：一个简单的方法来做到这一点是
限制放电电流与电阻路径施加·R·
F
>1
秒（参见图1）
图1 。
1
2
R
故障信号
C
F
GNDM
R
F
3
4
8
7
6
5
4/13
L6569 L6569A
自举功能
的L6569有一个内部自举结构，使用户避免需要外部二极管，在SIM-
ILAR设备，进行自举电容的充电，在转弯，提供适当的驱动的
上外部MOSFET 。
该操作与实现的独特结构（专利） ，它使用一个高压横向DMOS驱动
由内部电荷泵（见框图）和同步，以50纳秒的延迟，与低端
栅极驱动器（ LVG针） ，实际工作作为同步整流器。
自举电容的充电路径是通过降低外部MOSFET被驱动ON （即LVG关闭
高）的时间间隔：
T
C
= R
F
· C
F
- IN2
→
1.1 · R
F
· C
F
从时间的电源电压V开始
S
已达到开启电压（V
SUVP
= 9 V典型值） 。
经过时间t
1
（见波形图）的自举电容充电的LDMOS ，是带有R
ON
=120
（典型值） 。
在一个不同的启动方法，它是遵循L6569A （见波形图） 。较低的外部MOSFET
驱赶，直到V
S
已达到开启阈值（V
SUVPp
） ，然后再次的T
C
时间间隔与上述启动。
正的LDMOS的用于实现自举操作的“双向”开关电流流入
在BOOT引脚（引脚8 ）可导致不应有的压力的LDMOS本身，如果一个零电压开关操作
系统蒸发散不能确保，然后一个高电压被施加到所述引导销。这种情况可能发生，例如
当负载被除去和一个高电阻值被放置在一系列外部电源的栅极
摩斯。为了帮助用户确保自己的设计，为引导LDMOS一个安全工作区提供
（图7）。
让我们考虑应采取的步骤。
1）计算你的小功率MOS的延迟（ TD ）的转到：
1
---------
t
d
=
(
R
g
+
R
id
)
C
国际空间站
ln
---------- -
V
牛逼
-
1
– ----------
V
S
2 ）计算你的小功率MOS的下降时间（ TF ） ：
R
g
+
R
id
-
t
f
= -----------------------
Q
gd
V
S
–
V
牛逼
其中：
R
g
=外部栅极电阻
R
id
= 50
，驱动缓冲器的典型等效输出电阻（在输出电流时）
V
TH
, C
国际空间站
和Q
gd
是功率MOS的参数
V
S
=低压电源。
3 ）画出VBOOT波形（使用对数刻度）从低功率MOS的漏极电压启动
（记得要添加的VS ，您的低压电源，值）上的引导LDMOS SOA 。上图。 8为例
给出其中：
V
S
=低压电源
V
HV
=高电压电源轨
在V
BOOT
电压摆幅必须落在确定你的应用程序的实际运行频率的曲线下方
化。
5/13
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