L6235
DMOS驱动程序
三相无刷直流电机
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
工作电源电压为8 52V
5.6A输出峰值电流（ 2.8A DC ）
R
DS （ ON）
0.3Ω典型值。 VALUE @ T
j
= 25 °C
工作频率高达100KHz的
非耗散过流
检测与防护
诊断输出
常数T
关闭
PWM电流控制器
慢衰减SYNCHR 。纠偏
60 ° & 120 °霍尔效应解码逻辑
制动功能
转速计输出速度环
交叉传导保护
热关断
欠压锁定
综合FAST FREEWEELING二极管
PowerDIP24
(20+2+2)
PowerSO36
SO24
(20+2+2)
L6235D
订购号码：
L6235N
L6235PD
描述
该L6235是DMOS全集成三相
电机驱动器，具有过电流保护。
实现了在移动电站- BCD工艺，设备
框图
VBOOT
VCP
V
BOOT
收费
泵
热
保护
结合孤立DMOS功率晶体管
CMOS与在同一芯片上的双极性电路。
该装置包括所有需要用来驱动一个电路
三相BLDC电机，包括：三相
DMOS桥，恒定关断时间PWM电流CON-
控制器和单端霍尔的解码逻辑
传感器，其产生所需的顺序为
功率级。
可在PowerDIP24 （ 20 + 2 + 2 ） ， PowerSO36和
SO24 （ 20 + 2 + 2 ）封装， L6235功能非
偏高耗散过流保护
功率MOSFET和热关断。
V
BOOT
VS
A
OCD1
DIAG
强迫症
OCD1
OCD2
强迫症
EN
刹车
FWD / REV
OCD2
H
3
H
2
H
1
霍尔效应
传感器
解码
逻辑
门
逻辑
10V
OCD3
V
BOOT
10V
OUT1
OUT2
SENSE
A
V
BOOT
VS
B
RCPULSE
测速
单稳态
OCD3
10V
OUT3
测速
10V
5V
PWM
电压
调节器
单次
单稳态
掩蔽
时间
+
-
SENSE
比较
VREF
SENSE
B
RCOFF
D99IN1095B
2003年9月
1/25
L6235
热数据
符号
R
日（ J-引脚）
R
号（j -情况下）
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
描述
最大热阻结销
最大热阻结案件
MaximumThermal电阻结到环境
(1)
最大热阻结到环境
(2)
MaximumThermal电阻结到环境
(3)
最大热阻结到环境
(4)
43
-
-
58
51
-
-
77
PDIP24
18
SO24
14
1
-
35
15
62
PowerSO36
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
（1）安装在一个多层的FR4印刷电路板与散热铜表面上6厘米的底侧
2
（厚度为35μm ） 。
（2）安装在一个多层的FR4印刷电路板与散热铜表面上6厘米的顶侧
2
（厚度为35μm ） 。
（3）在6厘米的顶侧安装在一个多层的FR4印刷电路板与散热铜表面
2
（厚度为35μm ） ，
通孔和接地层16 。
（ 4 ）安装在多层FR4 PCB板不会对主板的任何散热面。
引脚连接
（ TOP VIEW ）
GND
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
D01IN1195A
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
VS
B
OUT3
北卡罗来纳州
VBOOT
刹车
VREF
EN
FWD / REV
SENSE
B
RCPULSE
北卡罗来纳州
测速
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
H1
DIAG
SENSE
A
RCOFF
OUT1
GND
GND
测速
RCPULSE
SENSE
B
FWD / REV
EN
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
D01IN1194A
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
H3
H2
VCP
OUT2
VS
A
GND
GND
VS
B
OUT3
VBOOT
刹车
VREF
北卡罗来纳州
VS
A
OUT2
北卡罗来纳州
VCP
H2
H3
H1
DIAG
SENSE
A
RCOFF
北卡罗来纳州
OUT1
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
PowerDIP24/SO24
（ 5）塞在内部连接到引脚1 ， 18 ， 19和36 （ GND引脚） 。
PowerSO36
(5)
3/25
L6235
引脚说明
包
SO24/
PowerDIP24
针＃
1
2
PowerSO36
针＃
10
11
H
1
DIAG
传感器输入
漏极开路
产量
单端霍尔效应传感器输入1 。
过流检测和热保护引脚。一
内部开漏极晶体管拉至GND时
过流的高边MOSFET之一
在热保护检测或。
名字
TYPE
功能
3
12
SENSE
A
电源半桥1和半桥2源引脚。该引脚
必须使用SENSE脚连接在一起
B
to
通过检测功率电阻电源地。
RC引脚
RC网络端。连接一个并联的RC网络
该引脚和地之间设置当前
控制器关断时间。
输出1
接地端子。在PowerDIP24和SO24
包，也被用于热这些引脚
耗散朝向电路板。在PowerSO36包
蛞蝓连接上这些引脚。
频率 - 电压漏极开路输出。每个脉冲
从端子H
1
被成形为固定和可调节的长度
脉搏。
RC网络端。连接一个并联的RC网络
该引脚和地之间设置的时间
用于频率 - 电压单稳态脉冲
转换器。
4
13
RCOFF
5
6, 7,
18, 19
15
1, 18,
19, 36
OUT
1
GND
电源输出
GND
8
22
测速
漏极开路
产量
RC引脚
9
24
RCPULSE
10
25
SENSE
B
电源半桥3源引脚。该引脚必须连接
加上SENSE脚
A
功率地通过
感应功率电阻。在这个引脚还反相
输入检测比较器相连。
逻辑输入
选择旋转方向。高逻辑电平
设置正向操作，而低逻辑电平套
反向操作。
如果未使用的，它必须被连接到GND或+ 5V ..
芯片使能。低逻辑电平开关关闭所有电源
的MOSFET。
如果未使用的，它必须被连接到+ 5V 。
电流控制器参考电压。
不要离开这个引脚开路或连接到GND 。
制动输入引脚。低逻辑电平开关开启所有的高
侧功率MOSFET ，实现制动
功能。
如果未使用的，它必须被连接到+ 5V 。
11
26
FWD / REV
12
27
EN
逻辑输入
13
14
28
29
VREF
刹车
逻辑输入
逻辑输入
15
16
17
30
32
33
VBOOT
OUT
3
VS
B
电源电压自举电压需要用于驱动上部功率
的MOSFET。
电源输出
输出3 。
电源半桥3电源电压。它必须是
与VS引脚连接到电源电压一起
A
.
4/25
L6235
引脚说明
（续）
包
SO24/
PowerDIP24
针＃
20
PowerSO36
针＃
4
VS
A
电源半桥1和半桥2电源电压。
它必须被连接到电源电压一起
与VS引脚
B
.
电源输出
产量
传感器输入
传感器输入
输出2 。
电荷泵振荡器输出。
单端霍尔效应传感器输入2 。
单端霍尔效应传感器输入3 。
名字
TYPE
功能
21
22
23
24
5
7
8
9
OUT
2
VCP
H
2
H
3
电气特性
(V
S
= 48V ，T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
符号
参数
测试条件
民
6.6
5.6
所有桥梁关闭;
TJ = -25至125°C
(6)
典型值
7
6
5
165
最大
7.4
6.4
10
单位
V
V
mA
°C
mA
mA
V
某物（ON）的
开启阈值
V
某物（OFF）的
关闭阈值
I
S
T
J（下关）
静态电源电流
热关断温度
输出DMOS晶体管
R
DS （ ON）
高侧开关导通电阻
T
j
= 25
°C
T
j
=125
°C
(6)
低边开关导通电阻
T
j
= 25
°C
T
j
=125
°C
(6)
I
DSS
漏电流
EN =低; OUT = V
CC
EN =低; OUT = GND
源漏二极管
V
SD
t
rr
t
fr
正向电压上
反向恢复时间
正向恢复时间
I
SD
= 2.8A ， EN = LOW
I
f
= 2.8A
1.15
300
200
1.3
V
ns
ns
-0.15
0.34
0.53
0.28
0.47
0.4
0.59
0.34
0.53
2
逻辑输入（ H1 ， H2 ， H3 ， EN ，正转/反转，制动）
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
V
TH （ON）的
低逻辑电平输入电压
高级逻辑输入电压
低电平逻辑输入电流
高级逻辑输入电流
开启输入阈值
0.8
0.25
GND逻辑输入电压
7V逻辑输入电压
1.8
1.3
0.5
-0.3
2
-10
10
2.0
0.8
7
V
V
A
A
V
V
V
V
TH （OFF）的
关断输入阈值
V
THHYS
输入阈值Hysteresys
5/25
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