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L6234
三相电动机驱动
电源电压为7 52V
5A峰值电流
R
DS ON
0.3Ω典型值。价值25℃
交叉传导保护
TTL兼容的驱动程序
工作频率为50kHz
热关断
本征快速续流二极管
输入和启用功能
每半桥
10V外部基准可用
描述
该L6234是一款三半桥驱动
无刷电机。
它实现了在MULTIPOWER BCD技术,
结合孤立DMOS功率晶体管
CMOS与在同一芯片上的双极性电路。
通过使用混合的技术已经有可能对
优化了的逻辑电路和功率级,以
实现最佳的性能。
输出DMOS晶体管可以承受很大
高电流由于这样的事实,该DMOS struc-
TURE不受所述第二击穿EF -
引脚连接
( TOP VIEW )
电力的DIP (16 + 2 + 2 )
PowerSO20
订购号码:
L6234 (POWER DIP 16 + 2 + 2 )
L6234PD ( PowerSO20 )
FECT时,RMS最大电流实际上lim-
通过封装的散热能力资讯科技教育。
所有的逻辑输入是TTL , CMOS和
P的COM
兼容。每个信道由两个独立受控
速度逻辑输入。
L6234是20针的电源DIP封装
(16 + 2 + 2 ),并在PowerSO20 。
OUT1
IN1
EN1
V
S
GND
GND
V
S
EN3
IN3
OUT3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D98IN848
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
OUT2
IN2
EN2
SENSE1
GND
GND
SENSE2
VBOOT
VCP
VREF
GND
SENSE1
EN2
IN2
OUT2
OUT1
IN1
EN1
V
S
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D94IN129A
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
GND
SENSE2
V
BOOT
V
cp
V
REF
OUT3
IN3
EN3
V
S
GND
电力的DIP (16 + 2 + 2 )
PowerSO20
1998年3月
1/10
L6234
框图
0.22F
10nF
VCP
收费
IN1
1F
VREF
VBOOT
V
REF
=
10V
VS 7
到52V
TH1
OUT1
EN1
TL1
0.1
F
100F
1N4148
IN2
TH2
OUT2
EN2
保护
IN3
TL2
SENSE1
TH3
OUT3
EN3
TL3
SENSE2
GND
D95IN309A
R
SENSE
2/10
L6234
热数据
符号
R
第j个引脚
R
日J- amb1
R
日J- amb2
R
第j个例
参数
热阻,结到引脚
热阻,结到环境
(见热特性)
热阻,结到环境(见热
特色)
热阻结案件
DIP16+2+2
12
40
50
PowerSO20
1.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
° C / W
热特性
R
第j个销
DIP16+2+2
。热敏电阻被称为
从散热区域上的热路径
在硅芯片的顶部表面上,给分
沿着封装的四个中央销,在一个
距离为1.5毫米远离所述支架。
R
日J- amb1
若散热表面,厚至少35
m,
用表面相似或大于所述一个
如图所示,在创建利用印刷税务局局长的
CUIT 。
这样的散热表面被认为在
一个水平的PCB的底侧(最坏情况) 。
R
日J- amb2
如果电源散热引脚(四个中央
的) ,以及其他的,具有最小
与外界的热连接(很
细条只),使得耗散发生
通过静止的空气中,并通过印刷电路板本身。
它是角度相同的情况下以上,而没有任何
对故意散热表面产生
板。
在POWERDIP和附加数据
PowerSO20包中可以找到:
应用笔记AN467 :
在POWERDIP的热特性
20,24封装焊接在1,2,3盎司
铜PCB
应用笔记AN668 :
一个新的高功率芯片表面贴装封装:
从插入PowerSO20电源IC封装
以表面安装。
图1:
印刷散热器
3/10
L6234
绝对最大额定值
符号
V
S
V
IN
,V
EN
I
PEAK
V
SENSE
V
b
V
OD
f
C
V
REF
P
合计
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
电源电压
输入使能电压
脉冲输出电流(注1 )
检测电压(直流电压)
自举电压峰值
差分输出电压(任意3 OUT引脚之间)
换向频率
参考电压
总功耗
总功耗
L6234PD
T
AMB
= 70°C
L6234
T
AMB
= 70
°
C
价值
52
- 0.3-7
5
-1 4
62
60
50
12
2.3
1.6 (*)
-40至150
单位
V
V
A
V
V
V
千赫
V
W
W
°
C
储存和结温范围
注1 :脉冲宽度只有结温的瞬态热阻抗的限制
( * ),安装在船上用最小的覆铜面积
推荐工作条件
符号
V
S
V
OD
I
OUT
V
SENSE
T
j
电源电压
峰峰值差分电压(任意3 OUT之间
销)
直流输出电流SO20 (T
AMB
= 25°C)
直流输出电流DIP (T
AMB
= 25 ° C)与无限的散热器
检测电压(脉冲吨
w
< 300nsec )
感应电压(DC )
结温范围
参数
价值
7至42
52
4
2.8
-4至4
-1至1
-40至125
单位
V
V
A
A
V
V
°
C
引脚功能
POWERDIP
1
20
10
2
19
9
3
18
8
4,7
14
17
11
12
13
5,6
15,16
4/10
PowerSO20
6
5
15
7
4
14
8
3
13
9, 12
19
2
16
17
18
1,10
11,20
名字
出1
输出2
OUT 3
IN 1
IN 2
IN 3
EN 1
EN 2
EN 3
V
s
SENSE2
SENSE1
V
REF
V
cp
V
BOOT
GND
输出通道1/2/3的。
功能
1/2/3通道的逻辑输入。逻辑高电平时(对应
EN引脚为高电平)切换上DMOS功率晶体管,而
逻辑低电平交换机上对应的低端DMOS功率。
启用通道1/2/3的。该引脚上的逻辑低电平关闭两个
相关通道的功率DMOS 。
电源电压。
的电阻RSENSE的连接到该引脚提供反馈马达
电流控制的电桥3 。
的电阻RSENSE的连接到该引脚提供反馈马达
电流控制为桥梁1和2 。
内部参考电压。从这个引脚连接到GND电容
增加了功率的DMOS驱动电路的稳定性。
引导振荡器。振荡器输出的外部电荷泵。
过压输入到驱动器上的DMOS
常见的接地端子。在POWERDIP和SO封装这些引脚
用于散热转发电路板。
L6234
电气特性
(V
s
= 42V ;牛逼
j
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
S
V
REF
I
S
T
S
T
D
参数
电源电压
参考电压
静态电源电流
热关断
死区时间保护
150
300
测试条件
分钟。
7
10
6.5
典型值。
马克斯。
52
单位
V
V
mA
°C
ns
输出DMOS晶体管
符号
I
DSS
R
DS ( ON)
参数
漏电流
抗性
0.3
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1
单位
mA
源漏二极管
符号
V
SD
T
RR
T
pr
参数
正向电压上
反向恢复时间
正向恢复时间
I
F
= 4A
测试条件
I
SD
= 4A ; EN =低
分钟。
典型值。
1.2
900
200
马克斯。
单位
V
ns
ns
逻辑电平
符号
V
INL
, V
ENL
V
INH
, V
ENH
I
INL ,
I
ENL
I
INH ,
I
ENH
参数
输入低电压
输入高电压
输入低电平电流
输入高电流
V
IN
,V
EN
= L
输入电压,V
EN
= H
30
测试条件
分钟。
-0.3
2
典型值。
马克斯。
0.8
7
-10
单位
V
V
A
A
电路描述
L6234是一个三半桥旨在驱动
无刷直流电机。
每个半桥有2个功率DMOS晶体管
有R
ds
ON = 0.3Ω 。 3个半桥可以
控制independentlyby装置的3个输入
IN1,IN2 ,IN3和所述3个输入端EN1 , EN2 ,以及
EN3 。到3共同的外部连接
低侧的DMOS源被提供给连接
传感电阻恒流斩波AP-
折叠术。
的驱动级和逻辑级是否变形
签署从7V工作,以52V 。
5/10
L6234
三相电动机驱动
电源电压为7 52V
5A峰值电流
R
DS ON
0.3Ω典型值。价值25℃
交叉传导保护
TTL兼容的驱动程序
工作频率为50kHz
热关断
本征快速续流二极管
输入和启用功能
每半桥
10V外部基准可用
描述
该L6234是一款三半桥驱动
无刷电机。
它实现了在MULTIPOWER BCD技术,
结合孤立DMOS功率晶体管
CMOS与在同一芯片上的双极性电路。
通过使用混合的技术已经有可能对
优化了的逻辑电路和功率级,以
实现最佳的性能。
输出DMOS晶体管可以承受很大
高电流由于这样的事实,该DMOS struc-
TURE不受所述第二击穿EF -
引脚连接
( TOP VIEW )
电力的DIP (16 + 2 + 2 )
PowerSO20
订购号码:
L6234 (POWER DIP 16 + 2 + 2 )
L6234PD ( PowerSO20 )
FECT时,RMS最大电流实际上lim-
通过封装的散热能力资讯科技教育。
所有的逻辑输入是TTL , CMOS和
P
COM-
兼容。每个信道由两个独立受控
速度逻辑输入。
L6234是20针的电源DIP封装
(16 + 2 + 2 ),并在PowerSO20 。
OUT1
IN1
EN1
V
S
GND
GND
V
S
EN3
IN3
OUT3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D98IN848
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
OUT2
IN2
EN2
SENSE1
GND
GND
SENSE2
VBOOT
VCP
VREF
GND
SENSE1
EN2
IN2
OUT2
OUT1
IN1
EN1
V
S
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D94IN129A
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
GND
SENSE2
V
BOOT
V
cp
V
REF
OUT3
IN3
EN3
V
S
GND
电力的DIP (16 + 2 + 2 )
PowerSO20
2003年8月
1/10
L6234
框图
0.22F
10nF
VCP
收费
IN1
1F
VREF
VBOOT
V
REF
=
10V
VS 7
到52V
TH1
OUT1
EN1
TL1
0.1
F
100F
1N4148
IN2
TH2
OUT2
EN2
保护
IN3
TL2
SENSE1
TH3
OUT3
EN3
TL3
SENSE2
GND
D95IN309A
R
SENSE
2/10
L6234
热数据
符号
R
第j个引脚
R
日J- amb1
R
日J- amb2
R
第j个例
参数
热阻,结到引脚
热阻,结到环境
(见热特性)
热阻,结到环境(见热
特色)
热阻结案件
DIP16+2+2
12
40
50
PowerSO20
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
热特性
R
第j个销
DIP16+2+2.
热敏电阻被称为
从散热区域上的热路径
在硅芯片的顶部表面上,给分
沿着封装的四个中央销,在一个
距离为1.5毫米远离所述支架。
R
日J- amb1
若散热表面,厚至少35
m,
用表面相似或大于所述一个
如图所示,在创建利用印刷税务局局长的
CUIT 。
这样的散热表面被认为在
一个水平的PCB的底侧(最坏情况) 。
R
日J- amb2
如果电源散热引脚(四个中央
的) ,以及其他的,具有最小
与外界的热连接(很
细条只),使得耗散发生
通过静止的空气中,并通过印刷电路板本身。
它是角度相同的情况下以上,而没有任何
对故意散热表面产生
板。
在POWERDIP和附加数据
PowerSO20包中可以找到:
应用笔记AN467 :
在POWERDIP的热特性
20,24封装焊接在1,2,3盎司
铜PCB
应用笔记AN668 :
一个新的高功率芯片表面贴装封装:
从插入PowerSO20电源IC封装
以表面安装。
图1:
印刷散热器
3/10
L6234
绝对最大额定值
符号
V
S
V
IN
,V
EN
I
PEAK
V
SENSE
V
b
V
OD
f
C
V
REF
P
合计
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
电源电压
输入使能电压
脉冲输出电流(注1 )
检测电压(直流电压)
自举电压峰值
差分输出电压(任意3 OUT引脚之间)
换向频率
参考电压
总功耗
总功耗
L6234PD
T
AMB
= 70°C
L6234
T
AMB
= 70°C
价值
52
- 0.3-7
5
-1 4
62
60
50
12
2.3
1.6 (*)
-40至150
单位
V
V
A
V
V
V
千赫
V
W
W
°C
储存和结温范围
注1 :脉冲宽度只有结温的瞬态热阻抗的限制
( * ),安装在船上用最小的覆铜面积
推荐工作条件
符号
V
S
V
OD
I
OUT
V
SENSE
T
j
电源电压
峰峰值差分电压(任意3 OUT之间
销)
直流输出电流SO20 (T
AMB
= 25°C)
直流输出电流DIP (T
AMB
= 25 ° C)与无限的散热器
检测电压(脉冲吨
w
< 300nsec )
感应电压(DC )
结温范围
参数
价值
7至42
52
4
2.8
-4至4
-1至1
-40至125
单位
V
V
A
A
V
V
°C
引脚功能
POWERDIP
1
20
10
2
19
9
3
18
8
4,7
14
17
11
12
13
5,6
15,16
4/10
PowerSO20
6
5
15
7
4
14
8
3
13
9, 12
19
2
16
17
18
1,10
11,20
名字
出1
输出2
OUT 3
IN 1
IN 2
IN 3
EN 1
EN 2
EN 3
V
s
SENSE2
SENSE1
V
REF
V
cp
V
BOOT
GND
输出通道1/2/3的。
功能
1/2/3通道的逻辑输入。逻辑高电平时(对应
EN引脚为高电平)切换上DMOS功率晶体管,而
逻辑低电平交换机上对应的低端DMOS功率。
启用通道1/2/3的。该引脚上的逻辑低电平关闭两个
相关通道的功率DMOS 。
电源电压。
的电阻RSENSE的连接到该引脚提供反馈马达
电流控制的电桥3 。
的电阻RSENSE的连接到该引脚提供反馈马达
电流控制为桥梁1和2 。
内部参考电压。从这个引脚连接到GND电容
增加了功率的DMOS驱动电路的稳定性。
引导振荡器。振荡器输出的外部电荷泵。
过压输入到驱动器上的DMOS
常见的接地端子。在POWERDIP和SO封装这些引脚
用于散热转发电路板。
L6234
电气特性
(V
s
= 42V ;牛逼
j
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
S
V
REF
I
S
T
S
T
D
参数
电源电压
参考电压
静态电源电流
热关断
死区时间保护
150
300
测试条件
分钟。
7
10
6.5
典型值。
马克斯。
52
单位
V
V
mA
°C
ns
输出DMOS晶体管
符号
I
DSS
R
DS ( ON)
参数
漏电流
抗性
0.3
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
1
单位
mA
源漏二极管
符号
V
SD
T
RR
T
pr
参数
正向电压上
反向恢复时间
正向恢复时间
I
F
= 4A
测试条件
I
SD
= 4A ; EN =低
分钟。
典型值。
1.2
900
200
马克斯。
单位
V
ns
ns
逻辑电平
符号
V
INL
, V
ENL
V
INH
, V
ENH
I
INL ,
I
ENL
I
INH ,
I
ENH
参数
输入低电压
输入高电压
输入低电平电流
输入高电流
V
IN
,V
EN
= L
输入电压,V
EN
= H
30
测试条件
分钟。
-0.3
2
典型值。
马克斯。
0.8
7
-10
单位
V
V
A
A
电路描述
L6234是一个三半桥旨在驱动
无刷直流电机。
每个半桥有2个功率DMOS晶体管
有R
ds
ON = 0.3Ω 。 3个半桥可以
通过的3个输入装置独立地控制
IN1,IN2 ,IN3和所述3个输入端EN1 , EN2 ,以及
EN3 。到3共同的外部连接
低侧的DMOS源被提供给连接
传感电阻恒流斩波AP-
折叠术。
的驱动级和逻辑级是否变形
签署从7V工作,以52V 。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    L6234
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
L6234
ST(意法)
22+
14083
原装原厂公司现货
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电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
L6234
ST(意法)
23+
700000
20-DIP(0.300,7.62mm)
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
L6234
STMicroelectronics
2436+
11860
PDIP-20
代理STMicroelectronics专营,原装现货优势
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电话:18820154873
联系人:李
地址:华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋西6层C6A10
L6234
ST/意法半导体
25+
88280
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
L6234
ST
22+
3529
原厂封装
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
L6234
ST
20+
3000
20-DIP(300mil)
全新原装环保
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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
L6234
ST
24+
811
DIP
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联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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ST
24+
15372
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