L6207
DMOS双路全桥驱动
与PWM电流控制器
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
工作电源电压为8 52V
5.6A输出峰值电流（ 2.8A DC ）
R
DS （ ON）
0.3Ω典型值。 VALUE @ T
j
= 25 °C
工作频率高达100KHz的
非耗散过流
保护
双独立常数T
关闭
PWM
电流控制器
衰减慢同步
整流器阳离子
交叉传导保护
热关断
欠压锁定
FAST集成续流二极管
PowerDIP24
(20+2+2)
PowerSO36
SO24
(20+2+2)
订购号码：
L6207N （ PowerDIP24 ）
L6207PD （ PowerSO36 ）
L6207D （ SO24 ）
典型应用
s
双极步进电机
s
双直流电机
描述
该L6207是一个双DMOS全桥设计
电机控制应用中，实现了在MultiPower-
框图
BCD技术，它结合了隔离DMOS
功率晶体管与CMOS和双极性电路
同一芯片上。该器件还包括两个彼此
悬垂恒定关断时间PWM电流控制器
执行斩波调节。可在
PowerDIP24 （20 + 2 + 2 ） ， PowerSO36和SO24
（ 20 + 2 + 2 ）封装， L6207采用了无耗散
在高侧电源pative过流保护
MOSFET和热关断。
VBOOT
V
BOOT
V
BOOT
V
BOOT
收费
泵
强迫症
A
过度
当前
发现
10V
10V
VS
A
VCP
OUT1
A
OUT2
A
热
保护
EN
A
IN1
A
IN2
A
电压
调节器
门
逻辑
SENSE
A
PWM
单次
单稳态
掩蔽
时间
+
-
SENSE
比较
网桥A
过度
当前
发现
VS
B
VREF
A
RC
A
10V
5V
强迫症
B
OUT1
B
OUT2
B
SENSE
B
VREF
B
RC
B
网桥B
EN
B
IN1
B
IN2
B
门
逻辑
D99IN1085A
2003年9月
1/23
L6207
热数据
符号
R
第-j的销
R
第-j的情况下的
R
th-j-amb1
R
th-j-amb1
R
th-j-amb1
R
th-j-amb2
(1)
(2)
(3)
(4)
描述
最大热阻结销
最大热阻结案件
最大热阻结到环境
1
最大热阻结到环境
2
最大热阻结到环境
3
最大热阻结到环境
4
PowerDIP24
18
-
43
-
-
58
SO24
14
-
51
-
-
77
PowerSO36
-
1
-
35
15
62
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
上为6cm的底侧安装在一个多层的FR4印刷电路板与散热铜表面
2
（厚度为35μm的） 。
上为6cm的顶侧安装在一个多层的FR4印刷电路板与散热铜表面
2
（厚度为35μm的） 。
上为6cm的顶侧安装在一个多层的FR4印刷电路板与散热铜表面
2
（厚度为35μm ）的通路孔， 16
和接地层。
安装在多层FR4 PCB板不会对主板的任何散热表面。
引脚连接
（ TOP VIEW ）
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
D02IN1347
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
VS
B
OUT2
B
北卡罗来纳州
VBOOT
EN
B
VREF
B
IN2
B
IN1
B
SENSE
B
RC
B
北卡罗来纳州
OUT1
B
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
IN1
A
IN2
A
SENSE
A
RC
A
OUT1
A
GND
GND
OUT1
B
RC
B
SENSE
B
IN1
B
IN2
B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
D02IN1346
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VREF
A
EN
A
VCP
OUT2
A
VS
A
GND
GND
VS
B
OUT2
B
VBOOT
EN
B
VREF
B
VS
A
OUT2
A
北卡罗来纳州
VCP
EN
A
VREF
A
IN1
A
IN2
A
SENSE
A
RC
A
北卡罗来纳州
OUT1
A
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
PowerDIP24/SO24
PowerSO36
(5)
(5)
蛞蝓在内部连接到引脚1,18,19和36 （ GND引脚） 。
3/23
L6207
引脚说明
（续）
23
8
EN
A
逻辑输入
(6)
网桥A启用。低逻辑电平开关关闭所有电源
桥A的MOSFET的该引脚还连接到
过流和热保护的收藏家
晶体管来实现过电流保护。
如果不使用，它必须通过一个被连接到+ 5V
电阻器。
桥电流控制器参考电压。
不要离开这个引脚开路或连接到GND 。
24
9
VREF
A
模拟量输入
(6)
也连接在过电流和过热保护MOSFET的漏极输出。因此，它必须被驱动的推杆在
系列中的2.2KΩ的范围内的值的电阻器 - 180KΩ ， 100KΩ推荐。
电气特性
(T
AMB
= 25 ° C，V
s
= 48V，除非另有规定）
符号
V
某物（ON）的
参数
导通阈值
测试条件
民
6.6
5.6
所有桥梁关闭;
T
j
= -25 ° C至125°C
(7)
典型值
7
6
5
最大
7.4
6.4
10
单位
V
V
mA
°C
V
某物（OFF）的
关断阈值
I
S
静态电源电流
T
J（下关）
热关断温度
165
输出DMOS晶体管
R
DS （ ON）
高边开关导通电阻牛逼
j
= 25
°C
T
j
=125
°C
(7)
低边开关导通电阻
T
j
= 25
°C
T
j
=125
°C
(7)
I
DSS
漏电流
EN =低; OUT = V
S
EN =低; OUT = GND
源漏二极管
V
SD
t
rr
t
fr
正向电压上
反向恢复时间
正向恢复时间
I
SD
= 2.8A ， EN = LOW
I
f
= 2.8A
1.15
300
200
1.3
V
ns
ns
-0.15
0.34
0.53
0.28
0.47
0.4
0.59
0.34
0.53
2
mA
mA
逻辑输入
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
V
TH （ON）的
V
TH （OFF）的
V
日（ HYS ）
低逻辑电平输入电压
高级逻辑输入电压
低电平逻辑输入电流
高级逻辑输入电流
开启输入阈值
关断输入阈值
输入阈值迟滞
0.8
0.25
GND逻辑输入电压
7V逻辑输入电压
1.8
1.3
0.5
-0.3
2
-10
10
2.0
0.8
7
V
V
A
A
V
V
V
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L6207
DMOS双路全桥驱动
与PWM电流控制器
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
工作电源电压为8 52V
5.6A输出峰值电流（ 2.8A DC ）
R
DS （ ON）
0.3Ω典型值。 VALUE @ T
j
= 25 °C
工作频率高达100KHz的
非耗散过流
保护
双独立常数T
关闭
PWM
电流控制器
衰减慢同步
整流器阳离子
交叉传导保护
热关断
欠压锁定
FAST集成续流二极管
PowerDIP24
(20+2+2)
PowerSO36
SO24
(20+2+2)
订购号码：
L6207N （ PowerDIP24 ）
L6207PD （ PowerSO36 ）
L6207D （ SO24 ）
典型应用
s
双极步进电机
s
双直流电机
描述
该L6207是一个双DMOS全桥设计
电机控制应用中，实现了在MultiPower-
框图
BCD技术，它结合了隔离DMOS
功率晶体管与CMOS和双极性电路
同一芯片上。该器件还包括两个彼此
悬垂恒定关断时间PWM电流控制器
执行斩波调节。可在
PowerDIP24 （20 + 2 + 2 ） ， PowerSO36和SO24
（ 20 + 2 + 2 ）封装， L6207采用了无耗散
在高侧电源pative过流保护
MOSFET和热关断。
VBOOT
V
BOOT
V
BOOT
V
BOOT
收费
泵
强迫症
A
过度
当前
发现
10V
10V
VS
A
VCP
OUT1
A
OUT2
A
热
保护
EN
A
IN1
A
IN2
A
电压
调节器
门
逻辑
SENSE
A
PWM
单次
单稳态
掩蔽
时间
+
-
SENSE
比较
网桥A
过度
当前
发现
VS
B
VREF
A
RC
A
10V
5V
强迫症
B
OUT1
B
OUT2
B
SENSE
B
VREF
B
RC
B
网桥B
EN
B
IN1
B
IN2
B
门
逻辑
D99IN1085A
2003年9月
1/23
L6207
热数据
符号
R
第-j的销
R
第-j的情况下的
R
th-j-amb1
R
th-j-amb1
R
th-j-amb1
R
th-j-amb2
(1)
(2)
(3)
(4)
描述
最大热阻结销
最大热阻结案件
最大热阻结到环境
1
最大热阻结到环境
2
最大热阻结到环境
3
最大热阻结到环境
4
PowerDIP24
18
-
43
-
-
58
SO24
14
-
51
-
-
77
PowerSO36
-
1
-
35
15
62
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
上为6cm的底侧安装在一个多层的FR4印刷电路板与散热铜表面
2
（厚度为35μm的） 。
上为6cm的顶侧安装在一个多层的FR4印刷电路板与散热铜表面
2
（厚度为35μm的） 。
上为6cm的顶侧安装在一个多层的FR4印刷电路板与散热铜表面
2
（厚度为35μm ）的通路孔， 16
和接地层。
安装在多层FR4 PCB板不会对主板的任何散热表面。
引脚连接
（ TOP VIEW ）
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
D02IN1347
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
VS
B
OUT2
B
北卡罗来纳州
VBOOT
EN
B
VREF
B
IN2
B
IN1
B
SENSE
B
RC
B
北卡罗来纳州
OUT1
B
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
IN1
A
IN2
A
SENSE
A
RC
A
OUT1
A
GND
GND
OUT1
B
RC
B
SENSE
B
IN1
B
IN2
B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
D02IN1346
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VREF
A
EN
A
VCP
OUT2
A
VS
A
GND
GND
VS
B
OUT2
B
VBOOT
EN
B
VREF
B
VS
A
OUT2
A
北卡罗来纳州
VCP
EN
A
VREF
A
IN1
A
IN2
A
SENSE
A
RC
A
北卡罗来纳州
OUT1
A
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
PowerDIP24/SO24
PowerSO36
(5)
(5)
蛞蝓在内部连接到引脚1,18,19和36 （ GND引脚） 。
3/23
L6207
引脚说明
（续）
23
8
EN
A
逻辑输入
(6)
网桥A启用。低逻辑电平开关关闭所有电源
桥A的MOSFET的该引脚还连接到
过流和热保护的收藏家
晶体管来实现过电流保护。
如果不使用，它必须通过一个被连接到+ 5V
电阻器。
桥电流控制器参考电压。
不要离开这个引脚开路或连接到GND 。
24
9
VREF
A
模拟量输入
(6)
也连接在过电流和过热保护MOSFET的漏极输出。因此，它必须被驱动的推杆在
系列中的2.2KΩ的范围内的值的电阻器 - 180KΩ ， 100KΩ推荐。
电气特性
(T
AMB
= 25 ° C，V
s
= 48V，除非另有规定）
符号
V
某物（ON）的
参数
导通阈值
测试条件
民
6.6
5.6
所有桥梁关闭;
T
j
= -25 ° C至125°C
(7)
典型值
7
6
5
最大
7.4
6.4
10
单位
V
V
mA
°C
V
某物（OFF）的
关断阈值
I
S
静态电源电流
T
J（下关）
热关断温度
165
输出DMOS晶体管
R
DS （ ON）
高边开关导通电阻牛逼
j
= 25
°C
T
j
=125
°C
(7)
低边开关导通电阻
T
j
= 25
°C
T
j
=125
°C
(7)
I
DSS
漏电流
EN =低; OUT = V
S
EN =低; OUT = GND
源漏二极管
V
SD
t
rr
t
fr
正向电压上
反向恢复时间
正向恢复时间
I
SD
= 2.8A ， EN = LOW
I
f
= 2.8A
1.15
300
200
1.3
V
ns
ns
-0.15
0.34
0.53
0.28
0.47
0.4
0.59
0.34
0.53
2
mA
mA
逻辑输入
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
V
TH （ON）的
V
TH （OFF）的
V
日（ HYS ）
低逻辑电平输入电压
高级逻辑输入电压
低电平逻辑输入电流
高级逻辑输入电流
开启输入阈值
关断输入阈值
输入阈值迟滞
0.8
0.25
GND逻辑输入电压
7V逻辑输入电压
1.8
1.3
0.5
-0.3
2
-10
10
2.0
0.8
7
V
V
A
A
V
V
V
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