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L6206
DMOS双路全桥驱动
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
工作电源电压为8 52V
5.6A输出峰值电流( 2.8A DC )
R
DS ( ON)
0.3Ω典型值。 VALUE @ T
j
= 25 °C
工作频率高达100KHz的
可编程高侧过电流
检测与防护
诊断输出
并联系统操作
交叉传导保护
热关断
欠压锁定
FAST集成续流二极管
PowerDIP24
(20+2+2)
PowerSO36
SO24
(20+2+2)
订购号码:
L6206N ( PowerDIP24 )
L6206PD ( PowerSO36 )
L6206D ( SO24 )
典型应用
s
双极步进电机
s
双核或四直流电机
描述
该L6206是一个双DMOS全桥设计
电机控制应用中,实现了在MultiPower-
框图
BCD技术,它结合了隔离DMOS
功率晶体管与CMOS和双极性电路
同一芯片上。可在PowerDIP24 ( 20 + 2 + 2 ) ,
PowerSO36和SO24 (20 + 2 + 2 )包,该
L6206具有热关断和非耗散
在高侧电源略去过电流检测
的MOSFET加上一个诊断输出,可以很容易
用于实现过流保护。
VBOOT
V
BOOT
V
BOOT
V
BOOT
收费
过度
当前
发现
10V
10V
VS
A
VCP
PROGCL
A
强迫症
A
强迫症
A
OUT1
A
OUT2
A
保护
EN
A
IN1
A
IN2
A
电压
调节器
强迫症
B
强迫症
B
PROGCL
B
EN
B
IN1
B
IN2
B
逻辑
过度
当前
发现
10V
5V
逻辑
SENSE
A
网桥A
VS
B
OUT1
B
OUT2
B
SENSE
B
网桥B
D99IN1088A
2003年9月
1/23
L6206
绝对最大额定值
符号
V
S
V
OD
参数
电源电压
之间的电压差
VS
A
, OUT1
A
, OUT2
A
, SENSE
A
VS
B
, OUT1
B
, OUT2
B
, SENSE
B
测试条件
V
SA
= V
SB
= V
S
V
SA
= V
SB
= V
S
= 60V;
V
SENSEA
= V
SENSEB
= GND
价值
60
60
单位
V
V
强迫症
A
,强迫症
B
强迫症引脚电压范围
PROGCL
A
,
PROGCL
B
V
BOOT
V
IN
,V
EN
V
SENSEA ,
V
SENSEB
I
S(峰值)
PROGCL引脚电压范围
自举电压峰值
输入使能电压范围
电压范围在引脚SENSE
A
和SENSE
B
脉冲电源电流(每
V
S
针) ,内部限制的
过电流保护
RMS电源电流(每
V
S
针)
保管与使用
温度范围
V
SA
= V
SB
= V
S
;
t
脉冲
<毫秒
V
SA
= V
SB
= V
S
V
SA
= V
SB
= V
S
-0.3至+10
-0.3到+7
V
S
+ 10
-0.3到+7
-1到+4
7.1
V
V
V
V
V
A
I
S
T
英镑
, T
OP
2.8
-40至150
A
°C
推荐工作条件
符号
V
S
V
OD
参数
电源电压
之间的电压差
VS
A
, OUT1
A
, OUT2
A
, SENSE
A
VS
B
, OUT1
B
, OUT2
B
, SENSE
B
电压范围在引脚SENSE
A
和SENSE
B
RMS输出电流
工作结温
开关频率
-25
测试条件
V
SA
= V
SB
= V
S
V
SA
= V
SB
= V
S
;
V
SENSEA
= V
SENSEB
(脉冲吨
W
& LT ;吨
rr
)
(DC)的
-6
-1
8
最大
52
52
单位
V
V
V
SENSEA ,
V
SENSEB
I
OUT
T
j
f
sw
6
1
2.8
+125
100
V
V
A
°C
千赫
2/23
L6206
热数据
符号
R
第-j的销
R
第-j的情况下的
R
th-j-amb1
R
th-j-amb1
R
th-j-amb1
R
th-j-amb2
(1)
(2)
(3)
(4)
描述
MaximumThermal电阻结销
最大热阻结案件
MaximumThermal电阻结到环境
1
最大热阻结到环境
2
MaximumThermal电阻结到环境
3
最大热阻结到环境
4
PowerDIP24
18
-
43
-
-
58
SO24
14
-
51
-
-
77
PowerSO36
-
1
-
35
15
62
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
于6厘米的底侧安装在一个多层的FR4印刷电路板与散热铜表面
2
(厚度为35μm ) 。
于6厘米的顶侧安装在一个多层的FR4印刷电路板与散热铜表面
2
(厚度为35μm ) 。
于6厘米的顶侧安装在一个多层的FR4印刷电路板与散热铜表面
2
(厚度为35μm )的通孔, 16
和接地层。
安装在多层FR4 PCB板不会对主板的任何散热表面。
引脚连接
( TOP VIEW )
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
D99IN1090A
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
VS
B
OUT2
B
北卡罗来纳州
VBOOT
EN
B
PROGCL
B
IN2
B
IN1
B
SENSE
B
强迫症
B
北卡罗来纳州
OUT1
B
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
IN1
A
IN2
A
SENSE
A
强迫症
A
OUT1
A
GND
GND
OUT1
B
强迫症
B
SENSE
B
IN1
B
IN2
B
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
D99IN1089A
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
PROGCL
A
EN
A
VCP
OUT2
A
VS
A
GND
GND
VS
B
OUT2
B
VBOOT
EN
B
PROGCL
B
VS
A
OUT2
A
北卡罗来纳州
VCP
EN
A
PROGCL
A
IN1
A
IN2
A
SENSE
A
强迫症
A
北卡罗来纳州
OUT1
A
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
GND
PowerDIP24/SO24
PowerSO36
(5)
( 5)塞在内部连接到引脚1,18,19和36 ( GND引脚) 。
3/23
L6206
引脚说明
SO24/
PowerDIP24
针#
1
2
3
4
PowerSO36
针#
10
11
12
13
IN1
A
IN2
A
SENSE
A
强迫症
A
逻辑输入
逻辑输入
电源
漏极开路
产量
桥梁逻辑输入1 。
桥梁逻辑输入2 。
网桥A源引脚。该引脚必须连接到电源
直接或通过一个感应功率电阻接地。
网桥A过流检测和热保护引脚。
内部开漏极晶体管拉至GND时,
过流上桥A被检测或遇热
保护。
桥有输出1 。
信号接地端子。在电源DIP和SO封装,
这些引脚还用于散热朝向
PCB 。
网桥B输出1 。
网桥B过流检测和热保护引脚。
内部开漏极晶体管拉至GND时,
过流桥B上检测或在热
保护。
网桥B源引脚。该引脚必须连接到电源
直接或通过一个感应功率电阻接地。
网桥B输入1
网桥B输入2
网桥B级过电流编程。电阻
连接这个引脚之间和地面设置
为桥梁B.通过可编程的电流限制值
此引脚连接到接地的最大电流设置。
该引脚不能保持非连接。
网桥B启用。低逻辑电平开关关闭所有电源
B.桥的MOSFET的
如果未使用的,它必须被连接到+ 5V 。
所需的驱动上电源的自举电压
两桥A和B.桥的MOSFET
网桥B输出2 。
网桥B的电源电压。它必须连接到
连同针VS电源电压
A
.
桥的电源电压。它必须连接到
连同针VS电源电压
B
.
桥有输出2 。
名字
TYPE
功能
5
6, 7,
18, 19
8
9
15
1, 18,
19, 36
22
24
OUT1
A
GND
电源输出
GND
OUT1
B
强迫症
B
电源输出
漏极开路
产量
10
11
12
13
25
26
27
28
SENSE
B
IN1
B
IN2
B
PROGCL
B
电源
逻辑输入
逻辑输入
14
29
EN
B
逻辑输入
15
16
17
20
21
30
32
33
4
5
VBOOT
OUT2
B
VS
B
VS
A
OUT2
A
供应
电压
电源输出
电源
电源
电源输出
4/23
L6206
引脚说明
(续)
SO24/
PowerDIP24
针#
22
23
PowerSO36
针#
7
8
VCP
EN
A
产量
逻辑输入
电荷泵振荡器输出。
网桥A启用。低逻辑电平开关关闭所有电源
A.桥的MOSFET的
如果未使用的,它必须被连接到+ 5V 。
桥有过流级编程。电阻
连接这个引脚之间和地面设置
为桥梁A.通过可编程的电流限制值
此引脚连接到接地的最大电流设置。
该引脚不能保持非连接。
名字
TYPE
功能
24
9
PROGCL
A
电气特性
(T
AMB
= 25 ° C,V
s
= 48V,除非另有规定)
符号
参数
测试条件
6.6
5.6
所有桥梁关闭;
T
j
= -25 ° C至125°C
(6)
典型值
7
6
5
最大
7.4
6.4
10
单位
V
V
mA
°C
V
某物(ON)的
导通阈值
V
某物(OFF)的
关断阈值
I
S
静态电源电流
T
J(下关)
热关断温度
165
输出DMOS晶体管
R
DS ( ON)
高边开关导通电阻牛逼
j
= 25
°C
T
j
=125
°C
(6)
低边开关导通电阻
T
j
= 25
°C
T
j
=125
°C
(6)
I
DSS
漏电流
EN =低; OUT = V
S
EN =低; OUT = GND
源漏二极管
V
SD
t
rr
t
fr
正向电压上
反向恢复时间
正向恢复时间
I
SD
= 2.8A , EN = LOW
I
f
= 2.8A
1.15
300
200
1.3
V
ns
ns
-0.15
0.34
0.53
0.28
0.47
0.4
0.59
0.34
0.53
2
mA
mA
逻辑输入
V
IL
V
IH
I
IL
低逻辑电平输入电压
高级逻辑输入电压
低电平逻辑输入电流
GND逻辑输入电压
-0.3
2
-10
0.8
7
V
V
A
5/23
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单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    L6206PD013TR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
L6206PD013TR
ST(意法)
22+
9825
原装原厂公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
L6206PD013TR
ST/意法
2418+
1200
PowerSO-36
正规报关原装现货系列订货技术支持
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电话:021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务
联系人:李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票
地址:上海公司:上海市静安区海宁路1399号金城大厦 北京公司:海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼 青岛公司:城阳区正阳路205号海都国际A座805
L6206PD013TR
ST代理
25+热销
20000新到
市场最低
只做全新原装进口假一罚十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:953787052 复制 点击这里给我发消息 QQ:849036869 复制

电话:15899765957 19573525995
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区海外装饰大厦B座539
L6206PD013TR
ST(意法)
24+
7450
PowerSO-36
原装正品热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
L6206PD013TR
STMicroelectronics
2448+
27230
PowerSO-36
代理STMicroelectronics专营,原装现货优势
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
L6206PD013TR
ST
22+
1200
HSSOP36
只做原装实单申请
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
L6206PD013TR
ST
1200
22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881620402 复制

电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
L6206PD013TR
ST(意法)
23+
700000
PowerSO-36
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
L6206PD013TR
ST/意法
24+
21000
N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:0755-83231869
联系人:张
地址:福田区上步工业区505栋六楼608室(钟表市场楼上)
L6206PD013TR
STM
2020+
7500
PowerSO-36
全新原装正品,可售样,可开13%增值税
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