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T-1 (3毫米)红外发光二极管
L34F3C
L34SF4C
L34F3BT
L34SF4BT
特点
!
机械和光谱匹配
描述
F3与制造砷化镓红外发光二极管。
SF4制作与镓铝砷化物红外
发光二极管。
TO THE L32P3C光电晶体管。
!
水透明晶状体蓝色透明
镜头可用高功率输出。
包装尺寸
注意事项:
1.所有尺寸为毫米(英寸) 。
2.宽容
±0.25(0.01")
除非另有说明。
3,引线间距测量其中涌现铅包。
4.规格如有变更,恕不另行通知。
规范编号: CDA0542
批准: J.Lu
REV NO: V.1
检查:
日期: OCT /二千○一分之二十九
得出: X.Q.ZHENG
页次:1 4
选购指南
帕T号。
DIC ê
L恩s泰P·E
宝(M W / S R )
@ 20米一
分钟。
L 3 4F的3C
L34F3BT
L 3的4S F 4C
L34SF4BT
砷化镓
砷化镓
砷化镓铝
砷化镓铝
无色透明
蓝色透明
无色透明
蓝色透明
2
2
2
2
TY页。
10
5
10
4
宝(M W / S R )
@ 50米一
分钟。
5
8
5
8
TY页。
20
20
20
20
V I EW I N克
一克L E
2θ1/2
5 0
°
5 0
°
5 0
°
5 0
°
注意:
1.
θ1/2
是角度从光学中心线所在的发光强度为1/2的光学中心线值。
在T电气/光学特性
)
=25°C
°
它EM
正向电压
反向电流
结电容
峰值波长光谱
光谱带宽
P / N
F3
S F4
F3
S F4
F3
S F4
F3
S F4
F3
S F4
SY M B 0 1
V
F
I
R
C
λ
P
λ
TY页。
1.2
1.3
-
90
90
940
880
50
50
MAX 。
1.5
1.7
10
10
-
-
-
取消它
V
uA
pF
nm
nm
联合N D是IO
IF=20mA
VR=5V
V = 0,F = 1MHz的
IF=20mA
IF=20mA
在T绝对最大额定值
)
=25°C
°
它EM
功耗
正向电流
最大正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
注意事项:
1. 1/10占空比, 0.1ms的脉冲宽度。
2. 4mm封装基座下方。
SY M B 0 1
PT
I
F
I
P
V
R
T
A
TSTG
F3& SF4
100
50
1.2
5
-40~ +85
-40~ +85
取消它s
mW
mA
A
V
°C
°C
规范编号: CDA0542
批准: J.Lu
REV NO: V.1
检查:
日期: OCT /二千○一分之二十九
得出: X.Q.ZHENG
第2页4
L34F3C , L34F3BT
规范编号: CDA0542
批准: J.Lu
REV NO: V.1
检查:
日期: OCT /二千○一分之二十九
得出: X.Q.ZHENG
第3页4
L34SF4C , L34SF4BT
规范编号: CDA0542
批准: J.Lu
REV NO: V.1
检查:
日期: OCT /二千○一分之二十九
得出: X.Q.ZHENG
第4页: 4
T-1 (3毫米)红外发光二极管
L34F3C
L34SF4C
L34F3BT
L34SF4BT
特点
!
机械和光谱匹配
描述
F3与制造砷化镓红外发光二极管。
SF4制作与镓铝砷化物红外
发光二极管。
TO THE L32P3C光电晶体管。
!
水透明晶状体蓝色透明
镜头可用高功率输出。
包装尺寸
注意事项:
1.所有尺寸为毫米(英寸) 。
2.宽容
±0.25(0.01")
除非另有说明。
3,引线间距测量其中涌现铅包。
4.规格如有变更,恕不另行通知。
规范编号: CDA0542
批准: J.Lu
REV NO: V.1
检查:
日期: OCT /二千○一分之二十九
得出: X.Q.ZHENG
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选购指南
帕T号。
DIC ê
L恩s泰P·E
宝(M W / S R )
@ 20米一
分钟。
L 3 4F的3C
L34F3BT
L 3的4S F 4C
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砷化镓
砷化镓
砷化镓铝
砷化镓铝
无色透明
蓝色透明
无色透明
蓝色透明
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V I EW I N克
一克L E
2θ1/2
5 0
°
5 0
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5 0
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5 0
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注意:
1.
θ1/2
是角度从光学中心线所在的发光强度为1/2的光学中心线值。
在T电气/光学特性
)
=25°C
°
它EM
正向电压
反向电流
结电容
峰值波长光谱
光谱带宽
P / N
F3
S F4
F3
S F4
F3
S F4
F3
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F3
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SY M B 0 1
V
F
I
R
C
λ
P
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TY页。
1.2
1.3
-
90
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940
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MAX 。
1.5
1.7
10
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取消它
V
uA
pF
nm
nm
联合N D是IO
IF=20mA
VR=5V
V = 0,F = 1MHz的
IF=20mA
IF=20mA
在T绝对最大额定值
)
=25°C
°
它EM
功耗
正向电流
最大正向电流
反向电压
工作温度
储存温度
注意事项:
1. 1/10占空比, 0.1ms的脉冲宽度。
2. 4mm封装基座下方。
SY M B 0 1
PT
I
F
I
P
V
R
T
A
TSTG
F3& SF4
100
50
1.2
5
-40~ +85
-40~ +85
取消它s
mW
mA
A
V
°C
°C
规范编号: CDA0542
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第4页: 4
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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