【乐山无线电公司， LTD 。通用扩增fi erNPN硅晶体管此NPN晶体管被设计为通用放大器应用程序】,IC型号L2SC5658M3T5G,L2SC5658M3T5G PDF资料,L2SC5658M3T5G经销商,ic,电子元器件-51电子网

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乐山无线电公司， LTD 。

通用扩增fi er

NPN硅晶体管

此NPN晶体管被设计为通用放大器

应用程序。此装置被安置在SOT - 723封装是

专为低功率表面贴装应用中，电路板

空间是十分宝贵的。

板级空间缩小

高

FE

， 210 -460 （典型值）

低V

CE （ SAT ）

， < 0.5 V

静电放电性能：人体模型;

u

2000 V,

机器型号;

u

200 V

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

这是一个Pb - Free设备

L2SC5658M3T5G

3

2

1

SOT-723

3

收集或

1

B酶

最大额定值

(T

A

= 25°C)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

C

价值

50

50

5.0

100

单位

VDC

VDC

VDC

MADC

XX M

2

EMIT牛逼ER

记号

图

热特性

等级

功率耗散（注1 ）

结温

存储温度范围

符号

P

D

T

J

T

英镑

最大

260

150

55 ~ + 150

单位

mW

°C

°C

XX =具体设备守则

M =日期代码

订购信息

设备

L2SC5658M3T5G

包

SOT-723

航运

3000 /磁带&卷轴

1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的

推荐最低足迹。

1.0版

L2SC5658M3T5G-1/4

乐山无线电公司， LTD 。

L2SC5658M3T5G

电气特性

(T

A

= 25°C)

特征

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 50

MADC ，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

发射极 - 基极击穿电压（I

E

= 50

MADC ，

I

E

= 0)

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 30伏直流电，我

E

= 0)

发射基截止电流（V

EB

= 4.0伏，我

B

= 0)

集电极 - 发射极饱和电压（注2 ）

(I

C

= 60 MADC ，我

B

= 5.0 MADC ）

DC电流增益（注2）

(V

CE

= 6.0伏，我

C

= 1.0 MADC ）

过渡频率（V

CE

= 12 VDC，我

C

= 2.0 MADC ， F = 30兆赫）

输出电容（V

CB

= 12 VDC，我

C

= 0 ADC中，f = 1.0 MHz）的

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

特区

≤

2%.

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

120

f

T

C

OB

180

2.0

560

兆赫

pF

0.4

民

50

50

5.0

典型值

最大

0.5

0.5

单位

VDC

VDC

VDC

mA

mA

VDC

1.0版

L2SC5658M3T5G-2/4

乐山无线电公司， LTD 。

典型电气特性

60

IC ，集电极电流（毫安）

50

40

30

20

10

0

0

2

4

6

V

CE

，集电极电压（V ）

T

A

= 25°C

160

mA

140

mA

直流电流增益

120

mA

100

mA

80

mA

60

mA

40

mA

I

B

= 20

mA

8

10

0.1

1

T

A

= 75°C

T

A

= 25°C

100

1000

T

A

= 25°C

L2SC5658M3T5G

V

CE

= 10 V

10

100

I

C

，集电极电流（毫安）

图1.我

C

V

CE

2

T

A

= 25°C

集电极电压（毫伏）

1.5

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

0.01

0.1

1

I

B

，基极电流（毫安）

10

100

0

0.2

0.5

1

图2.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）

1

0.5

T

A

= 25°C

V

CE

= 5 V

5

10

20

40

60

80

100

150 200

I

C

，集电极电流（毫安）

图3.集电极饱和区

20

兴业银行，输入电容（pF ）

18

16

14

12

10

7

6

COB，电容（pF ）

5

4

3

2

0

1

2

V

EB

(V)

3

4

1

0

图4.电压

10

20

V

CB

(V)

30

40

图5.电容

图6.电容

1.0版

L2SC5658M3T5G-3/4

乐山无线电公司， LTD 。

L2SC5658M3T5G

包装尺寸

SOT723

X

D

b1

Y

3

A

E

1

2

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3.最大引线厚度包括对引线

完成。最小引线厚度是最小的

厚度基体材料。

4.尺寸D和E不包括塑模

FLASH中，突出或毛刺。

L

C

H

E

e

b

2X

0.08 （ 0.0032 ） X Y

1. PIN BASE

2.辐射源

3.收集

暗淡

A

b

b1

C

D

E

e

H

E

L

MILLIMETERS

民

喃

最大

0.45

0.50

0.55

0.15

0.20

0.27

0.25

0.3

0.35

0.07

0.12

0.17

1.15

1.20

1.25

0.75

0.80

0.85

0.40 BSC

1.15

1.20

1.25

0.15

0.20

0.25

英寸

民

喃

最大

0.018 0.020 0.022

0.0059 0.0079 0.0106

0.010 0.012 0.014

0.0028 0.0047 0.0067

0.045 0.047 0.049

0.03 0.032 0.034

0.016 BSC

0.045 0.047 0.049

0.0059 0.0079 0.0098

焊接足迹

0.40

0.0157

0.40

0.0157

1.0

0.039

0.40

0.0157

0.40

0.0157

0.40

0.0157

mm

英寸

1.0版

L2SC5658M3T5G-4/4

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联系人：连

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联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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