乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
NPN硅
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设备
记号
航运
符合RoHS要求。
L2SC2412KQMT1G
系列
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
L2SC2412KQMT1G
L2SC2412KQMT3G
L2SC2412KRMT1G
L2SC2412KRMT3G
L2SC2412KSMT1G
L2SC2412KSMT3G
最大额定值
BQ
BQ
BR
BR
摹1F
摹1F
SC-74
6
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
5
B
4
E
价值
50
60
7.0
150
0.2
150
-55 ~+150
单位
V
V
V
MADC
W
°C
°C
C
I
C
P
C
T
j
T
英镑
E
B
C
1
2
3
器件标识
L2SC2412KQMT1G = BQ L2SC2412KRMT1G = BR L2SC2412KSMT1G = G1F
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1 mA）的
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 50
A)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 50
A)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 V)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 7 V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
/ I
B
= 50毫安/ 5米A）
直流电流传输比
(V
CE
= 6 V，I
C
= 1毫安）
跃迁频率
(V
CE
= 12 V，I
E
= - 2毫安， F = 30MHz的）
输出电容
(V
CB
= 12 V，I
E
= 0A ， F = 1MHz的）
符号
V
V
V
（ BR ） CEO
民
50
7
60
—
—
—
120
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
––
180
2.0
最大
—
—
—
0.1
0.1
0.4
560
––
3.5
单位
V
V
V
A
A
V
––
兆赫
pF
（ BR ） EBO
（ BR ） CBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
ob
h
FE
值被分类如下：
的hFE
*
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
Rev.O 1/4
乐山无线电公司， LTD 。
L2SC2412KQMT1G
系列
图7集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流（ ）
V
CE （ SAT ）
，集电极饱和电压（ V）
0.5
图8集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流（ ）
V
CE （ SAT ）
，集电极饱和电压（ V）
0.5
0.2
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05
0.02
0.02
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图9增益带宽积与发射极电流
图10集电极输出电容vs.collector - 基极电压
发射inputcapacitance与发射极 - 基极电压
C
ob
，集电极输出电容（pF ）
C
ib
极，发射极输入电容（pF ）
20
f
r
过渡频率（MHz）
500
10
200
5
100
2
50
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
I
E
，发射极电流（毫安）
V
CB
，集电极到基极电压（ V）
V
EB
，发射器基极电压（ V）
图11中相应集电极时间常数vs.emitter电流
C c
-
r
bb
，基地集热器时间常数（ PS ）
200
100
50
20
10
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
I
E
，发射极电流（毫安）
Rev.O 3/4
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