乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
NPN硅
L2SC2412K*LT1
铅?免费的封装。
1
BASE
3
集热器
3
1
2
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
SOT- 23
价值
50
60
7.0
150
0.2
150
-55 ~+150
单位
V
V
V
MADC
W
°C
°C
订购信息
设备
记号
航运
L2SC2412KQLT1
L2SC2412KQLT1G
I
C
P
C
T
j
T
英镑
BQ
BQ (无铅)
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
L2SC2412KRLT1
L2SC2412KRLT1G
BR
BR (无铅)
器件标识
L2SC2412KQLT1 = BQ L2SC2412KRLT1 = BR L2SC2412KSLT1 = G1F
L2SC2412KSLT1
G1F
L2SC2412KSLT1G
G1F(Pb-Free)
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1 mA)的
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 50
A)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 50
A)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 V)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 7 V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
/ I
B
= 50毫安/ 5米A)
直流电流传输比
(V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安)
跃迁频率
(V
CE
= 12 V,I
E
= - 2毫安, F = 30MHz的)
输出电容
(V
CB
= 12 V,I
E
= 0A , F = 1MHz的)
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
C
ob
—
120
—
—
—
––
180
2.0
0.4
560
––
3.5
V
––
兆赫
pF
符号
V
V
V
( BR ) CEO
民
50
7
60
—
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
0.1
0.1
单位
V
V
V
A
A
( BR ) EBO
( BR ) CBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
值被分类如下:
的hFE
*
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
L2SC2412K*LT1-1/3
乐山无线电公司, LTD 。
L2S2412K*LT1
图7集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流( )
V
CE ( SAT )
,集电极饱和电压( V)
0.5
图8集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流( )
V
CE ( SAT )
,集电极饱和电压( V)
0.5
0.2
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05
0.02
0.02
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图9增益带宽积与发射极电流
图10集电极输出电容vs.collector - 基极电压
发射inputcapacitance与发射极 - 基极电压
C
ob
,集电极输出电容(pF )
C
ib
极,发射极输入电容(pF )
20
f
r
过渡频率(MHz)
500
10
200
5
100
2
50
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
I
E
,发射极电流(毫安)
V
CB
,集电极到基极电压( V)
V
EB
,发射器基极电压( V)
图11中相应集电极时间常数vs.emitter电流
C c
-
r
bb
,基地集热器时间常数( PS )
200
100
50
20
10
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
I
E
,发射极电流(毫安)
L2SC2412K*LT1-3/3