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乐山无线电公司， LTD 。
低频晶体管
PNP硅
特征
高电流容量的紧凑型封装。
I
C
= 0.8A.
外延平面型。
NPN补充： L2SD1781K
无铅封装。
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
1
2
L2SB1197K*LT1
3
设备标记和订购信息
设备
L2SB1197KQLT1
L2SB1197KQLT1G
L2SB1197KRLT1
L2SB1197KRLT1G
记号
AHQ
AHQ
（无铅）
AHR
AHR
（无铅）
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3
集热器
1
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
BASE
2
辐射源
最大额定值（Ta = 25
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
40
32
5
0.8
0.2
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性（ TA = 25
C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
120
典型值。
200
12
马克斯。
0.5
0.5
0.5
390
30
单位
V
V
V
I
C
= 50
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50
A
V
CB
= 20V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -0.5A / -50mA
V
CE
= 3V,
I
C
= -100mA
V
CE
= 5V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
A
A
V
兆赫
pF
h
FE
值被分类如下：
项目（ * ）
h
FE
Q
120~270
R
180~390
L2SB1197KLT1-1/3
乐山无线电公司， LTD 。
L2SB1197KQLT1 L2SB1197KRLT1
L2SB1197KLT1-2/3
乐山无线电公司， LTD 。
L2SB1197KQLT1 L2SB1197KRLT1
SOT-23
注意事项：
A
L
3
1
2
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
L2SB1197KLT1-3/3
乐山无线电公司， LTD 。
低频晶体管
PNP硅
特征
高电流容量的紧凑型封装。
I
C
= 0.8A.
外延平面型。
NPN补充： L2SD1781K
无铅封装。
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
1
2
L2SB1197K*LT1
3
设备标记和订购信息
设备
L2SB1197KQLT1
L2SB1197KQLT1G
L2SB1197KRLT1
L2SB1197KRLT1G
记号
AHQ
AHQ
（无铅）
AHR
AHR
（无铅）
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3
集热器
1
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
BASE
2
辐射源
最大额定值（Ta = 25
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
40
32
5
0.8
0.2
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性（ TA = 25
C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
40
32
5
120
典型值。
200
12
马克斯。
0.5
0.5
0.5
390
30
单位
V
V
V
I
C
= 50
A
I
C
= -1mA
I
E
= 50
A
V
CB
= 20V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= -0.5A / -50mA
V
CE
= 3V,
I
C
= -100mA
V
CE
= 5V,
I
E
=50mA,
f=100MHz
V
CB
= 10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
A
A
V
兆赫
pF
h
FE
值被分类如下：
项目（ * ）
h
FE
Q
120~270
R
180~390
L2SB1197KLT1-1/3
乐山无线电公司， LTD 。
L2SB1197KQLT1 L2SB1197KRLT1
L2SB1197KLT1-2/3
乐山无线电公司， LTD 。
L2SB1197KQLT1 L2SB1197KRLT1
SOT-23
注意事项：
A
L
3
1
2
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
L2SB1197KLT1-3/3
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LD2979M33
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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