乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
描述
L2SA1365FLT1G是一个小型封装PNP硅外延晶体管，
它是专为低频电压的应用。
L2SA1235FLT1G
3
1
2
特征
●小集电极到发射极饱和电压。
VCE （SAT） = - 0.3V最大值（ @ I C = - 1 0 0为m的， IB = - 1 0微米的）
●优良的直流线性度正向电流增益。
●超小型封装，易于安装
●我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
.
SOT–23
应用
对于混合集成电路，小型机器的低频电压放大应用。
最大额定值
（Ta=25℃）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
-50
-50
-6
-200
200
＋150
-55½＋150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
订购信息
设备
L2SA1235FLT1G
L2SA1235FLT3G
记号
A5F
A5F
航运
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
P
c
T
j
T
英镑
电气特性
（Ta=25℃）
参数
C至ê击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
正向直流电流增益
C至ê饱和Vlotage
增益带宽积
集电极输出电容
噪声系数
符号
V（ BR ）
首席执行官
I
CBO
I
EBO
的hFE
的hFE
VCE （ SAT ）
fT
COB
NF
I
C
= -100μA ，R
V
V
V
V
CB
EB
测试条件
BE
范围
民
-50
-
-
※
150
90
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
200
4
-
最大
-
-0.1
-0.1
800
-
-0.3
-
-
20
单位
V
μA
μA
=∞
= -50V ，我
E
=0mA
= -6V ，我
C
=0mA
= -6V ，我
C
=-1mA
= -6V ，我
C
=-0.1mA
CE
CE
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
V
V
V
CE
V
兆赫
pF
dB
= -6V ，我
E
=10mA
= -6V ，我
E
=0,f=1MHz
CB
CE
= -6V ，我
E
=0.3mA,f=100Hz,RG=10kΩ
※ ）它显示在下面的表的hFE分类。
项
½ＦＥ
项
Ｅ
150½300
Ｆ
250½500
Ｇ
400½800
Rev.O 1/3
QQ：2881677436 复制
