乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
PNP硅
3
集热器
L2SA1037AK*LT1
3
1
BASE
1
2
辐射源
2
SOT- 23
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
价值
–50
–60
–6.0
–150
0.2
150
-55 ~+150
单位
V
V
V
MADC
W
°C
°C
I
C
P
C
T
j
T
英镑
器件标识
L2SA1037AKQLT1 = FQ L2SA1037AKSLT1 = G3F L2SA1037AKRLT1 = FR
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -1毫安)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= – 50
A)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= – 50
A)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= – 60 V)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= – 6 V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
/ I
B
= - 80毫安/ - 5米A)
直流电流传输比
(V
CE
= - 6 V,I
C
= -1mA )
跃迁频率
(V
CE
= - 12 V,I
E
= 2毫安, F = 30MHz的)
输出电容
(V
CB
= - 12 V,I
E
= 0A , F = 1MHz的)
符号
V
( BR ) CEO
民
– 50
–6
– 60
—
—
—
120
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
––
140
4.0
最大
—
—
—
– 0.1
– 0.1
-0.5
560
––
5.0
单位
V
V
V
A
A
V
––
兆赫
pF
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
C
ob
h
FE
值被分类如下:
的hFE
*
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
LM35–1/3
乐山无线电公司, LTD 。
L2SA1037AK*LT1
图7集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流( )
V
CE ( SAT )
,集电极饱和电压( V)
–1
图8的增益带宽积与发射极电流
1000
I
C
/I
B
= 10
f
r
过渡频率(MHz)
500
T
A
= 25°C
V
CE
= –12V
–0.5
–0.2
200
–0.1
T
A
= 100°C
25°C
–40°C
100
–0.05
50
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
I
C
,集电极电流(毫安)
I
E
,发射极电流(毫安)
图9集电极输出电容vs.collector - 基极电压
发射inputcapacitance与发射极 - 基极电压
C
ob
,集电极输出电容(pF )
C
ib
极,发射极输入电容(pF )
20
C
ib
10
T
A
= 25°C
F = 1MHz的
I
E
= 0A
I
C
= 0A
C
ob
5
2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
V
CB
,集电极到基极电压( V)
V
EB
,发射器基极电压( V)
LM35–3/3
乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
PNP硅
3
集热器
L2SA1037AK*LT1
3
1
BASE
1
2
辐射源
2
SOT- 23
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
价值
–50
–60
–6.0
–150
0.2
150
-55 ~+150
单位
V
V
V
MADC
W
°C
°C
I
C
P
C
T
j
T
英镑
器件标识
L2SA1037AKQLT1 = FQ L2SA1037AKSLT1 = G3F L2SA1037AKRLT1 = FR
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -1毫安)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= – 50
A)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= – 50
A)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= – 60 V)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= – 6 V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
/ I
B
= - 80毫安/ - 5米A)
直流电流传输比
(V
CE
= - 6 V,I
C
= -1mA )
跃迁频率
(V
CE
= - 12 V,I
E
= 2毫安, F = 30MHz的)
输出电容
(V
CB
= - 12 V,I
E
= 0A , F = 1MHz的)
符号
V
( BR ) CEO
民
– 50
–6
– 60
—
—
—
120
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
––
140
4.0
最大
—
—
—
– 0.1
– 0.1
-0.5
560
––
5.0
单位
V
V
V
A
A
V
––
兆赫
pF
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
C
ob
h
FE
值被分类如下:
的hFE
*
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
LM35–1/3
乐山无线电公司, LTD 。
L2SA1037AK*LT1
图7集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流( )
V
CE ( SAT )
,集电极饱和电压( V)
–1
图8的增益带宽积与发射极电流
1000
I
C
/I
B
= 10
f
r
过渡频率(MHz)
500
T
A
= 25°C
V
CE
= –12V
–0.5
–0.2
200
–0.1
T
A
= 100°C
25°C
–40°C
100
–0.05
50
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
I
C
,集电极电流(毫安)
I
E
,发射极电流(毫安)
图9集电极输出电容vs.collector - 基极电压
发射inputcapacitance与发射极 - 基极电压
C
ob
,集电极输出电容(pF )
C
ib
极,发射极输入电容(pF )
20
C
ib
10
T
A
= 25°C
F = 1MHz的
I
E
= 0A
I
C
= 0A
C
ob
5
2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
V
CB
,集电极到基极电压( V)
V
EB
,发射器基极电压( V)
LM35–3/3