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LRC
中功率晶体管
(*32V,
*0.5A)
L2SA1036K*LT1
FFeatures
1 ）大我
C
.
I
CMAX 。
=
*500mA
2 ）低V
CE （ SAT ）
。非常适用于低电压
操作。
3 ）无铅封装可用。
该G.Suffix表示一个Pb-Free无铅封装
FStructure
外延平面型
PNP硅晶体管
乐山无线电公司， LTD 。
L2SA1036KPLT1
L2SA1036KQLT1
L2SA1036KRLT1
3
3
1
FDEVICE
记号
1 ） L2SA1036KPLT1 = HP
2 ） L2SA1036KQLT1 = HQ
3 ） L2SA1036KRLT1 = HR
2
1
2
PNP
SOT-23
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
FORDERING
信息
设备
L2SA1036K*LT1
L2SA1036K*LT1G
包
SOT-23
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
L2SA1036K*LT1-1/4
LRC
乐山无线电公司， LTD 。
L2SA1036K*LT1
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输口粮
过渡频
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
200
7
马克斯。
—
—
—
— 1
— 1
— 0.4
390
—
—
单位
V
V
V
A
A
V
—
MH
Z
pF
条件
I
C
= — 100A
IC = - 1毫安
I
E
= — 100A
V
CB
= — 20v
V
EB
= — 4V
I
C
/I
B
= - 100毫安/ - 10毫安
V
CE
= - 3V ， IC = - 10毫安
V
CE
= - 5V ，我
E
=20mA,f=100MHz
V
CB
= - 10V ，我
E
=0A,f=1MHz
40
— 32
— 5
—
—
—
82
—
—
FhFE
值被分类如下。
L2SA1036K*LT1-2/4
LRC
乐山无线电公司， LTD 。
L2SA1036K*LT1
FElectrical
特性曲线
L2SA1036K*LT1-3/4
LRC
乐山无线电公司， LTD 。
L2SA1036K*LT1
SOT-23
注意事项：
A
L
3
1
2
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
L2SA1036K*LT1-4/4
LRC
中功率晶体管
(*32V,
*0.5A)
L2SA1036K*LT1
FFeatures
1 ）大我
C
.
I
CMAX 。
=
*500mA
2 ）低V
CE （ SAT ）
。非常适用于低电压
操作。
3 ）无铅封装可用。
该G.Suffix表示一个Pb-Free无铅封装
FStructure
外延平面型
PNP硅晶体管
乐山无线电公司， LTD 。
L2SA1036KPLT1
L2SA1036KQLT1
L2SA1036KRLT1
3
3
1
FDEVICE
记号
1 ） L2SA1036KPLT1 = HP
2 ） L2SA1036KQLT1 = HQ
3 ） L2SA1036KRLT1 = HR
2
1
2
PNP
SOT-23
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
FORDERING
信息
设备
L2SA1036K*LT1
L2SA1036K*LT1G
包
SOT-23
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
L2SA1036K*LT1-1/4
LRC
乐山无线电公司， LTD 。
L2SA1036K*LT1
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输口粮
过渡频
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
200
7
马克斯。
—
—
—
— 1
— 1
— 0.4
390
—
—
单位
V
V
V
A
A
V
—
MH
Z
pF
条件
I
C
= — 100A
IC = - 1毫安
I
E
= — 100A
V
CB
= — 20v
V
EB
= — 4V
I
C
/I
B
= - 100毫安/ - 10毫安
V
CE
= - 3V ， IC = - 10毫安
V
CE
= - 5V ，我
E
=20mA,f=100MHz
V
CB
= - 10V ，我
E
=0A,f=1MHz
40
— 32
— 5
—
—
—
82
—
—
FhFE
值被分类如下。
L2SA1036K*LT1-2/4
LRC
乐山无线电公司， LTD 。
L2SA1036K*LT1
FElectrical
特性曲线
L2SA1036K*LT1-3/4
LRC
乐山无线电公司， LTD 。
L2SA1036K*LT1
SOT-23
注意事项：
A
L
3
1
2
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
L2SA1036K*LT1-4/4
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推荐型号
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LPC1778
LH531000BN
LH5762J-55
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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