乐山无线电公司, LTD 。
小信号MOSFET
115毫安, 60伏
N沟道SOT- 23
我们声明该产品的材料不含卤素和
符合RoHS要求。
L2N7002LT1G
3
1
2
ESD保护: 1000V
最大额定值
等级
漏源电压
CASE 318风格21
SOT- 23 ( TO- 236AB )
符号
V
DSS
V
DGR
I
D
I
D
价值
60
60
±115
±75
±800
单位
V
dc
V
dc
MADC
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 1.0 M)
漏电流
- 连续T
C
= 25 ° C(注1 )
- 连续
T
C
= 100 ° C(注1 )
- 脉冲(注2 )
栅源电压
- 连续
- 不重复( TP
≤
50
s)
简化的原理图
I
DM
门
V
GS
V
GSM
±20
±40
VDC
VPK
1
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(注3 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (注4 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J,
T
英镑
417
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
来源
2
3
漏
R
θJA
P
D
( TOP VIEW )
标记图
&放大器;引脚分配
漏
3
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%.
3, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 %的氧化铝。
702
1
W
来源
2
订购信息
设备
L2N7002LT1G
L2N7002LT3G
记号
702
702
航运
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
门
702
W
=器件代码
=月守则
冯.O 1/4