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乐山无线电公司, LTD 。
小信号MOSFET
115毫安, 60伏
N沟道SOT- 23
我们声明该产品的材料不含卤素和
符合RoHS要求。
L2N7002LT1G
3
1
2
ESD保护: 1000V
最大额定值
等级
漏源电压
CASE 318风格21
SOT- 23 ( TO- 236AB )
符号
V
DSS
V
DGR
I
D
I
D
价值
60
60
±115
±75
±800
单位
V
dc
V
dc
MADC
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 1.0 M)
漏电流
- 连续T
C
= 25 ° C(注1 )
- 连续
T
C
= 100 ° C(注1 )
- 脉冲(注2 )
栅源电压
- 连续
- 不重复( TP
50
s)
简化的原理图
I
DM
V
GS
V
GSM
±20
±40
VDC
VPK
1
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(注3 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (注4 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J,
T
英镑
417
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
来源
2
3
R
θJA
P
D
( TOP VIEW )
标记图
&放大器;引脚分配
3
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%.
3, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 %的氧化铝。
702
1
W
来源
2
订购信息
设备
L2N7002LT1G
L2N7002LT3G
记号
702
702
航运
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
702
W
=器件代码
=月守则
冯.O 1/4
乐山无线电公司, LTD 。
L2N7002LT1G
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
= 10
μAdc )
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0, V
DS
= 60 VDC )
门体漏电流,正向
(V
GS
= 20 V直流)
门体漏电流,反向
(V
GS
= - 20 V直流)
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
60
1.0
500
1
-1
VDC
μAdc
ADC
ADC
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μAdc )
通态漏电流
(V
DS
2.0 V
DS ( ON)
, V
GS
= 10 VDC )
静态漏源通态电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 500 MADC )
(V
GS
= 5.0伏,我
D
= 50 MADC )
静态漏源导通电阻
T
C
= 25°C
(V
GS
= 10 V,I
D
= 500 MADC )
T
C
= 125°C
(V
GS
= 5.0伏,我
D
= 50 MADC )T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
正向跨导
(V
DS
2.0 V
DS ( ON)
, I
D
= 200 MADC )
V
GS ( TH)
I
D(上)
V
DS ( ON)
1.0
500
1.6
2
VDC
mA
VDC
80
1.4
1.8
3.75
0.375
7.5
13.5
7.5
13.5
r
DS ( ON)
g
FS
毫姆欧
动态特性
输入电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输出电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
反向传输电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
17
10
2.5
50
25
5.0
pF
pF
pF
开关特性
(注2 )
导通延迟时间
关断延迟时间
(V
DD
= 25伏直流,我
D
^
500 MADC ,
R
G
= 25
,
R
L
= 50
,
V
= 10 V)
t
D(上)
t
D(关闭)
V
SD
I
S
I
SM
7
11
20
40
ns
ns
体漏二极管额定值
二极管正向导通电压
(I
S
= 115 MADC ,V
GS
= 0 V)
源电流连续
(体二极管)
源电流脉冲
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%.
–1.5
–115
–800
VDC
MADC
MADC
冯.O 2/4
乐山无线电公司, LTD 。
L2N7002LT1G
典型电气特性
2.0
1.8
I
D
,漏极电流( AMPS )
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0
6.0
7.0 8.0
V
DS ,
漏源极电压(伏)
T
A
= 25°C
V
GS
= 10 V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3V
9.0
10
I
D
,漏极电流( AMPS )
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0
V
DS
= 10 V
-o55C
°
125°C
25°C
0
1.0
2.0 3.0 4.0
5.0
6.0 7.0 8.0
V
GS ,
门源极电压(伏)
9.0
10
图1.欧姆区
图2.传输特性
r
DS ( ON) ,
静态漏源导通电阻
(归一化)
V
GS (TH )
阈值电压(归一化)
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-o60
-o20
+o20
+o60
T,温度( ° C)
+o100
V
GS
= 10 V
I
D
= 200毫安
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
-o60
-o20
+o20
T,温度( ° C)
+o60
+o100
+o140
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0毫安
0.7
+o140
图3.温度与静
漏源导通电阻
图4.温度与门
阈值电压
冯.O 3/4
乐山无线电公司, LTD 。
L2N7002LT1G
SOT-23
注意事项:
A
L
3
1
V
G
2
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
C
D
H
K
J
J
K
L
S
V
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M,1982
2.控制尺寸:英寸。
英寸
最大
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0140
0.0350
0.0830
0.0177
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0285
0.0401
0.1039
0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.35
0.89
2.10
0.45
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.69
1.02
2.64
0.60
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
冯.O 4/4
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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