【乐山无线电公司， LTD 。小信号MOSFET115毫安， 60伏N沟道SOT- 23铅？免费的封装】,IC型号L2N7002LT1,L2N7002LT1 PDF资料,L2N7002LT1经销商,ic,电子元器件-51电子网

乐山无线电公司， LTD 。

小信号MOSFET

115毫安， 60伏

N沟道SOT- 23

铅？免费的封装。

L2N7002LT1

最大额定值

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 1.0 M)

漏电流

- 连续T

= 25 ° C（注1 ）

- 连续

= 100 ° C（注1 ）

- 脉冲（注2 ）

栅源电压

- 连续

- 不重复（ TP

≤

符号

DSS

DGR

价值

±115

±75

±800

单位

MADC

CASE 318风格21

SOT- 23 （ TO- 236AB ）

115毫安

60伏特

DS （ ON）

= 7.5

N - 通道

GSM

±20

±40

VDC

VPK

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注3 ）T

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗

氧化铝基板，（注4 ） TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

最大

225

1.8

556

300

2.4

θJA

英镑

417

-55

+150

° C / W

°C

单位

毫瓦/°C的

θJA

° C / W

毫瓦/°C的

标记图

＆放大器;引脚分配

漏

702

1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极

电流。

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2.0%.

3， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸

4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 ％的氧化铝。

门

702

来源

=器件代码

=工作周

订购信息

设备

L2N7002LT1

L2N7002LT1G

记号

702

（无铅）

航运

3000磁带&卷轴

L2N7002LT1–1/3

乐山无线电公司， LTD 。

L2N7002LT1

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

漏源击穿电压

= 0, I

= 10

μAdc ）

零栅极电压漏极电流

= 0, V

= 60 VDC ）

门体漏电流，正向

= 20 V直流）

门体漏电流，反向

= -20伏直流）

= 25°C

= 125°C

（ BR ） DSS

DSS

GSSF

GSSR

–

1.0

500

100

–100

VDC

μAdc

NADC

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

= V

, I

= 250

μAdc ）

通态漏电流

≥

2.0 V

DS （ ON）

, V

= 10 VDC ）

静态漏源通态电压

= 10 VDC ，我

= 500 MADC ）

= 5.0伏，我

= 50 MADC ）

静态漏源导通电阻

= 10 V，I

= 500 MADC ）

= 25°C

= 125°C

= 5.0伏，我

= 50 MADC ）T

= 25°C

= 125°C

正向跨导

≥

2.0 V

DS （ ON）

, I

= 200 MADC ）

GS （ TH）

D（上）

DS （ ON）

–

DS （ ON）

–

1.4

–

1.8

–

7.5

13.5

7.5

13.5

–

毫姆欧

–

3.75

0.375

欧

1.0

500

1.6

–

2.5

–

VDC

动态特性

输入电容

= 25伏，V

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输出电容

= 25伏，V

= 0中，f = 1.0 MHz）的

反向传输电容

= 25伏，V

= 0中，f = 1.0 MHz）的

国际空间站

OSS

RSS

–

2.5

5.0

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

关断延迟时间

= 25伏直流，我

500 MADC ，

= 25

= 50

根

= 10 V)

D（上）

D（关闭）

–

体漏二极管额定值

二极管正向导通电压

= 11.5 MADC ，V

= 0 V)

源电流连续

（体二极管）

源电流脉冲

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2.0%.

–

–1.5

–115

–800

VDC

MADC

L2N7002LT1–2/3

乐山无线电公司， LTD 。

L2N7002LT1

典型电气特性

2.0

1.8

，漏极电流（ AMPS ）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

2.0 3.0 4.0 5.0

6.0

7.0 8.0

DS ，

漏源极电压（伏）

= 25°C

= 10 V

9.0

，漏极电流（ AMPS ）

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

= 10 V

-55°C

125°C

25°C

1.0

2.0 3.0 4.0

5.0

6.0 7.0 8.0

GS ，

门源极电压（伏）

9.0

图1.欧姆区

图2.传输特性

DS （ ON），

静态漏源导通电阻

（归一化）

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

= 10 V

= 200毫安

GS （TH ）

阈值电压（归一化）

2.4

1.2

1.05

1.1

1.10

1.0

0.95

0.9

0.85

0.8

0.75

0.7

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

= V

= 1.0毫安

图3.温度与静

漏源导通电阻

图4.温度与门

阈值电压

L2N7002LT1–3/3

乐山无线电公司， LTD 。

小信号MOSFET

115毫安， 60伏

N沟道SOT- 23

铅？免费的封装。

L2N7002LT1

最大额定值

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 1.0 M)

漏电流

- 连续T

= 25 ° C（注1 ）

- 连续

= 100 ° C（注1 ）

- 脉冲（注2 ）

栅源电压

- 连续

- 不重复（ TP

≤

符号

DSS

DGR

价值

±115

±75

±800

单位

MADC

CASE 318风格21

SOT- 23 （ TO- 236AB ）

115毫安

60伏特

DS （ ON）

= 7.5

N - 通道

GSM

±20

±40

VDC

VPK

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注3 ）T

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗

氧化铝基板，（注4 ） TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

最大

225

1.8

556

300

2.4

θJA

英镑

417

-55

+150

° C / W

°C

单位

毫瓦/°C的

θJA

° C / W

毫瓦/°C的

标记图

＆放大器;引脚分配

漏

702

1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极

电流。

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2.0%.

3， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸

4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 ％的氧化铝。

门

702

来源

=器件代码

=工作周

订购信息

设备

L2N7002LT1

L2N7002LT1G

记号

702

（无铅）

航运

3000磁带&卷轴

L2N7002LT1–1/3

乐山无线电公司， LTD 。

L2N7002LT1

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

漏源击穿电压

= 0, I

= 10

μAdc ）

零栅极电压漏极电流

= 0, V

= 60 VDC ）

门体漏电流，正向

= 20 V直流）

门体漏电流，反向

= -20伏直流）

= 25°C

= 125°C

（ BR ） DSS

DSS

GSSF

GSSR

–

1.0

500

100

–100

VDC

μAdc

NADC

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

= V

, I

= 250

μAdc ）

通态漏电流

≥

2.0 V

DS （ ON）

, V

= 10 VDC ）

静态漏源通态电压

= 10 VDC ，我

= 500 MADC ）

= 5.0伏，我

= 50 MADC ）

静态漏源导通电阻

= 10 V，I

= 500 MADC ）

= 25°C

= 125°C

= 5.0伏，我

= 50 MADC ）T

= 25°C

= 125°C

正向跨导

≥

2.0 V

DS （ ON）

, I

= 200 MADC ）

GS （ TH）

D（上）

DS （ ON）

–

DS （ ON）

–

1.4

–

1.8

–

7.5

13.5

7.5

13.5

–

毫姆欧

–

3.75

0.375

欧

1.0

500

1.6

–

2.5

–

VDC

动态特性

输入电容

= 25伏，V

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输出电容

= 25伏，V

= 0中，f = 1.0 MHz）的

反向传输电容

= 25伏，V

= 0中，f = 1.0 MHz）的

国际空间站

OSS

RSS

–

2.5

5.0

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

关断延迟时间

= 25伏直流，我

500 MADC ，

= 25

= 50

根

= 10 V)

D（上）

D（关闭）

–

体漏二极管额定值

二极管正向导通电压

= 11.5 MADC ，V

= 0 V)

源电流连续

（体二极管）

源电流脉冲

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2.0%.

–

–1.5

–115

–800

VDC

MADC

L2N7002LT1–2/3

乐山无线电公司， LTD 。

L2N7002LT1

典型电气特性

2.0

1.8

，漏极电流（ AMPS ）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

2.0 3.0 4.0 5.0

6.0

7.0 8.0

DS ，

漏源极电压（伏）

= 25°C

= 10 V

9.0

，漏极电流（ AMPS ）

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

= 10 V

-55°C

125°C

25°C

1.0

2.0 3.0 4.0

5.0

6.0 7.0 8.0

GS ，

门源极电压（伏）

9.0

图1.欧姆区

图2.传输特性

DS （ ON），

静态漏源导通电阻

（归一化）

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

= 10 V

= 200毫安

GS （TH ）

阈值电压（归一化）

2.4

1.2

1.05

1.1

1.10

1.0

0.95

0.9

0.85

0.8

0.75

0.7

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

= V

= 1.0毫安

图3.温度与静

漏源导通电阻

图4.温度与门

阈值电压

L2N7002LT1–3/3