乐山无线电公司, LTD 。
小信号MOSFET
115毫安, 60伏
N沟道SOT- 88
铅?免费的封装。
L2N7002DW1T1G/T3G
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 1.0毫瓦)
漏电流
- 连续T
C
= 25 ° C(注1 )
- 连续
T
C
= 100 ° C(注1 )
- 脉冲(注2)
栅源电压
- 连续
- 不重复(T
p
≤
50
女士)
符号
V
DSS
V
DGR
I
D
I
D
I
DM
价值
60
60
±
115
±
75
±
800
单位
VDC
VDC
MADC
3
2
1
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
VDC
VPK
热特性
特征
器件总功耗
每个器件
FR - 5委员会(注1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
结存储
温度范围
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
符号
P
D
最大
380
250
单位
mW
4
5
6
3.0
R
qJA
T
J
, T
英镑
328
-55到+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
订购信息
设备
L2N7002DW1T1G
L2N7002DW1T3G
记号
K2
K2
航运
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
1/4
乐山无线电公司, LTD 。
L2N7002DW1T1G/T3G
SC- 88 ( SOT- 363 )
CASE 419B -02
ISSUE牛逼
A
G
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. 419B -01已过时,新标准419B -02 。
4
英寸
民
最大
0.071 0.087
0.045 0.053
0.031 0.043
0.004 0.012
0.026 BSC
0.004
0.004 0.010
0.004 0.012
0.008 REF
0.079 0.087
MILLIMETERS
民
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
0.80
1.10
0.10
0.30
0.65 BSC
0.10
0.10
0.25
0.10
0.30
0.20 REF
2.00
2.20
6
5
S
1
2
3
B
D
6 PL
0.2 (0.008)
M
B
N
M
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
N
S
J
C
风格1 :
PIN 1.发射器2
2. BASE 2
3.集热器1
4.发光体1
5.基地1
6.器2
H
K
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
4/4