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乐山无线电公司, LTD 。
小信号MOSFET
115毫安, 60伏
N沟道SOT- 88
铅?免费的封装。
L2N7002DW1T1G/T3G
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 1.0毫瓦)
漏电流
- 连续T
C
= 25 ° C(注1 )
- 连续
T
C
= 100 ° C(注1 )
- 脉冲(注2)
栅源电压
- 连续
- 不重复(T
p
50
女士)
符号
V
DSS
V
DGR
I
D
I
D
I
DM
价值
60
60
±
115
±
75
±
800
单位
VDC
VDC
MADC
3
2
1
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
VDC
VPK
热特性
特征
器件总功耗
每个器件
FR - 5委员会(注1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
结存储
温度范围
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
符号
P
D
最大
380
250
单位
mW
4
5
6
3.0
R
qJA
T
J
, T
英镑
328
-55到+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
订购信息
设备
L2N7002DW1T1G
L2N7002DW1T3G
记号
K2
K2
航运
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
1/4
乐山无线电公司, LTD 。
L2N7002DW1T1G/T3G
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
= 10
μAdc )
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0, V
DS
= 60 VDC )
门体漏电流,正向
(V
GS
= 20 V直流)
门体漏电流,反向
(V
GS
= -20伏直流)
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
60
1.0
500
100
–100
VDC
μAdc
NADC
NADC
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μAdc )
通态漏电流
(V
DS
2.0 V
DS ( ON)
, V
GS
= 10 VDC )
静态漏源通态电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 500 MADC )
(V
GS
= 5.0伏,我
D
= 50 MADC )
静态漏源导通电阻
T
C
= 25°C
(V
GS
= 10 V,I
D
= 500 MADC )
T
C
= 125°C
(V
GS
= 5.0伏,我
D
= 50 MADC )T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
正向跨导
(V
DS
2.0 V
DS ( ON)
, I
D
= 200 MADC )
V
GS ( TH)
I
D(上)
V
DS ( ON)
r
DS ( ON)
g
FS
80
7.5
13.5
7.5
13.5
毫姆欧
3.75
0.375
1.0
500
2.5
VDC
mA
VDC
动态特性
输入电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输出电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
反向传输电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
50
25
5.0
pF
pF
pF
开关特性
(注2 )
导通延迟时间
关断延迟时间
(V
DD
= 25伏直流,我
D
^
500 MADC ,
R
G
= 25
,
R
L
= 50
,
V
= 10 V)
t
D(上)
t
D(关闭)
20
40
ns
ns
体漏二极管额定值
二极管正向导通电压
(I
S
= 11.5 MADC ,V
GS
= 0 V)
源电流连续
(体二极管)
源电流脉冲
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%.
V
SD
I
S
I
SM
–1.5
–115
–800
VDC
MADC
MADC
2/4
乐山无线电公司, LTD 。
L2N7002DW1T1G/T3G
典型电气特性
2.0
1.8
I
D
,漏极电流( AMPS )
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0
6.0
7.0 8.0
V
DS ,
漏源极电压(伏)
T
A
= 25°C
V
GS
= 10 V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3V
9.0
10
I
D
,漏极电流( AMPS )
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0
V
DS
= 10 V
-55°C
125°C
25°C
0
1.0
2.0 3.0 4.0
5.0
6.0 7.0 8.0
V
GS ,
门源极电压(伏)
9.0
10
图1.欧姆区
图2.传输特性
r
DS ( ON) ,
静态漏源导通电阻
(归一化)
V
GS (TH )
阈值电压(归一化)
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-60
-20
+20
+60
T,温度( ° C)
+100
+140
V
GS
= 10 V
I
D
= 200毫安
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
-60
-20
+20
+60
T,温度( ° C)
+100
+140
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0毫安
图3.温度与静
漏源导通电阻
图4.温度与门
阈值电压
3/4
乐山无线电公司, LTD 。
L2N7002DW1T1G/T3G
SC- 88 ( SOT- 363 )
CASE 419B -02
ISSUE牛逼
A
G
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. 419B -01已过时,新标准419B -02 。
4
英寸
最大
0.071 0.087
0.045 0.053
0.031 0.043
0.004 0.012
0.026 BSC
0.004
0.004 0.010
0.004 0.012
0.008 REF
0.079 0.087
MILLIMETERS
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
0.80
1.10
0.10
0.30
0.65 BSC
0.10
0.10
0.25
0.10
0.30
0.20 REF
2.00
2.20
6
5
S
1
2
3
B
D
6 PL
0.2 (0.008)
M
B
N
M
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
N
S
J
C
风格1 :
PIN 1.发射器2
2. BASE 2
3.集热器1
4.发光体1
5.基地1
6.器2
H
K
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
4/4
乐山无线电公司, LTD 。
压纹带及卷数据
用于分立器件
T最大
外形尺寸
测量边缘
1.5毫米敏
(.06’’)
A
20.2毫米敏
(.795’’)
13.0mm ± 0.5mm
(.512 ±.002’’)
50毫米敏
(1.969’’)
FULL RADIUS
G
内部尺寸
测得的近中心
SIZE
8 mm
12mm
16mm
24 mm
一个MAX
330mm
(12.992’’)
330mm
(12.992’’)
360mm
(14.173’’)
360mm
(14.173’’)
G
8.4mm+1.5mm, -0.0
(.33’’+.059’’, -0.00)
12.4mm+2.0mm, -0.0
(.49 ’’+ .079’’, -0.00)
16.4mm+2.0mm, -0.0
(.646’’+.078’’, -0.00)
24.4mm+2.0mm, -0.0
(.961’’+.070’’, -0.00)
T最大
14.4mm
(.56’’)
18.4mm
(.72’’)
22.4mm
(.882’’)
30.4mm
(1.197’’)
卷轴尺寸
公制尺寸治理 - 英语在括号仅供参考
储存条件:
温度: 540 ℃保温( 20 30℃为宜)
湿度: 3080 RH ( 40 60是首选)
推荐期限:一年后制造
(此推荐周期仅是为了在焊接条件的
该产品的特性和可靠性并不限于
此限制)
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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