乐山无线电公司， LTD 。
600V N沟道增强型MOSFET
V
DS
= 600V
R
DS （ON ） ，
V GS @ 10V ， IDS @ 1A = 3.8Ω
我们声明该产品的材料
符合RoHS要求。
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乐山无线电公司， LTD 。
L2N600
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
静态漏源
导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
b
c
c
b
TC = 25℃ ，除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
g
V
SD
V
GS
= 0V时，我
S
= 2A
h
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A
V
DS
= 50V ，我
D
= 1A
民
600
典型值
最大
单位
V
25
100
-100
2
3.8
1.2
250
50
30
18
35
35
90
40
25
4
5.0
A
nA
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
栅极阈值电压
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 300V ，我
D
= 2A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 18
18
50
16
20
2
12
V
DS
= 480V ，我
D
= 2A,
V
GS
= 10V
漏源二极管特性及最大额定值
2
1.5
A
V
注意事项：
a.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最高结温。
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
D.L = 60mH ，我
AS
= 2.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
= 25 C .
e.Limited只有最高温度允许的。
F .Pulse宽度有限的安全工作区。
g.Full包我
S（ MAX）的
= 1.5A .
h.Full套餐五
SD
测试条件我
S
= 1.5A .
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