*
L
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Se
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ck
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G
ED
IZ
N
63
9
s
#
1
E7
E1
TO-92
*TO-220
隔离
3-lead
COMPAK
TO-252
D- PAK
TO-202
TO-251
V-白
MT2
MT1
G
敏感的双向可控硅
（ 0.8 A至8 A）
E1
RoHS指令
概述
TECCOR的线条敏感栅三端双向可控硅包括与当前设备
经过8 A.电压范围的能力可以从200伏
600五，此线路特点具有保证门控制设备
在象限II和IV以及在通常控制中使用
象限I和III 。四象限控制设备要求
敏感栅三端双向可控硅。它们可以通过数字电路来控制
其中正只或负仅脉冲必须控制交流
电流在通过该装置的两个方向。需要注意的是与双向晶闸管
我低
GT
在象限II和IV值将具有低dv / dt的
的特点。
敏感的门双向可控硅是一种双向交流开关，是门
控制主端子电压的任一极性。它被用来
主要用于交流开关和相位控制的应用，如
电动机速度控制，温度调制控制，并
照明控制。
环氧TO-92和TO-220的配置功能的Teccor的
电气隔离结构，其中的情况下，或安装标签
在内部从所述半导体芯片和引线分离
附件。非隔离环氧TO- 202封装可
以及TO- 251和表面安装的TO- 252 （D-白） 。条状
盘式能力和管包装也都可用。看
本产品目录中的“包装选项”部分。
所有的Teccor三端双向可控硅具有玻璃钝化路口。这种玻璃卷
过程可以防止污染物的迁移，并确保长期
带参数的稳定长期器件的可靠性。
2004 Littelfuse公司
晶闸管产品目录
E1 - 1
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+1 972-580-7777
可用于覆盖该数据表的设备的变化
定制设计的应用程序。有关更多信息，请咨询厂家。
特点
符合RoHS
电气隔离的封装
玻璃钝化路口确保装置长
可靠性和稳定性的参数
电压能力 - 高达600 V
浪涌能力 - 高达80 A
四象限门保证
COMPAK敏感栅三端双向可控硅
表面贴装封装 - 0.8 A和1系列
新的小尺寸三含铅COMPAK包
包装在2500压纹载带
设备每卷
可以替代SOT- 223
敏感的双向可控硅
数据表
产品型号
I
T（ RMS ）
(11)
MT2
MT2
隔离
非隔离
V
DRM
(1)
I
GT
(3) (6) (9)
I
DRM
(1) (14)
G
MT2
G
MT2
MT1
MT1
G
MT2
MT1
MT2
MT1
MT2
G
MT1
G
MT2
MT1
G
MT2
毫安
伏
民
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
QI
3
3
3
5
5
5
5
5
5
10
10
10
3
3
3
5
5
5
5
5
5
10
10
10
3
3
3
5
5
5
5
5
5
10
10
10
QII QIII
最大
3
3
3
3
3
3
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
3
3
3
3
3
3
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
3
3
3
3
3
3
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
QIV
3
3
3
5
5
5
10
10
10
20
20
20
3
3
3
5
5
5
10
10
10
20
20
20
3
3
3
5
5
5
10
10
10
20
20
20
TO-92
最大
L2X8E3
L4X8E3
L6X8E3
L2X8E5
L4X8E5
L6X8E5
L2X8E6
L4X8E6
L6X8E6
L2X8E8
L4X8E8
L6X8E8
L201E3
L401E3
L601E3
L201E5
L401E5
L601E5
L201E6
L401E6
L601E6
L201E8
L401E8
L601E8
COMPAK
TO-220
TO-252
D- PAK
TO-202
TO-251
V-白
0.8 A
请参阅“封装尺寸”部分的变化。 （12）
L2X3
L4X3
L6X3
L2X5
L4X5
L6X5
1A
L2N3
L4N3
L6N3
L2N5
L4N5
L6N5
4A
L2004L3
L4004L3
L6004L3
L2004L5
L4004L5
L6004L5
L2004L6
L4004L6
L6004L6
L2004L8
L4004L8
L6004L8
L2004D3
L4004D3
L6004D3
L2004D5
L4004D5
L6004D5
L2004D6
L4004D6
L6004D6
L2004D8
L4004D8
L6004D8
L2004F31
L4004F31
L6004F31
L2004F51
L4004F51
L6004F51
L2004F61
L4004F61
L6004F61
L2004F81
L4004F81
L6004F81
L2004V3
L4004V3
L6004V3
L2004V5
L4004V5
L6004V5
L2004V6
L4004V6
L6004V6
L2004V8
L4004V8
L6004V8
毫安
T
C
=
T
C
=
25
°C
110
°C
最大
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
请参阅“一般注意事项”第E1 - 4和“电气规范注意事项”页E1 - 5 。
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E1 - 2
2004 Littelfuse公司
晶闸管产品目录
数据表
敏感的双向可控硅
V
TM
(1) (4)
V
GT
(2) (5) (15)
I
H
(1) (7)
I
GTM
(13)
P
GM
(13)
P
G（ AV ）
I
TSM
(8) (10)
dv / dt的（C ）
(1) (10)
dv / dt的
(1)
t
gt
(9)
I
2
t
的di / dt
伏
T
C
=
25
°C
最大
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
伏
T
C
=
25
°C
最大
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
安培
毫安
最大
5
5
5
10
10
10
10
10
10
15
15
15
5
5
5
10
10
10
10
10
10
15
15
15
5
5
5
10
10
10
10
10
10
15
15
15
安培
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
瓦
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
瓦
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
60/50赫兹
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
伏/微秒
典型值
0.5
0.5
0.5
1
1
1
1
1
1
2
2
2
0.5
0.5
0.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
1
1
1
1
1
1
2
2
2
伏/微秒
T
C
=
100 °C
典型值
20
15
10
20
15
10
30
25
20
35
30
25
20
20
10
20
20
10
30
30
20
35
35
25
25
25
15
25
25
15
30
30
20
35
35
25
微秒
典型值
2.8
2.8
2.8
3
3
3
3
3
3
3.2
3.2
3.2
2.8
2.8
2.8
3
3
3
3
3
3
3.2
3.2
3.2
2.8
2.8
2.8
3
3
3
3
3
3
3.2
3.2
3.2
安培
2
美国证券交易委员会
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
安/微秒
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
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50
请参阅“一般注意事项”第E1 - 4和“电气规范注意事项”页E1 - 5 。
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敏感的双向可控硅
数据表
产品型号
I
T（ RMS ）
(11)
MT2
MT2
隔离
非隔离
V
DRM
(1)
I
GT
(3) (6)
I
DRM
(1) (14)
G
MT2
MT1
MT1
MT2
G
MT1
G
MT2
TO-220
最大
TO-252
D- PAK
TO-251
V-白
伏
民
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
QI
5
5
5
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
10
10
6A
8A
请参阅“封装尺寸”部分的变化。 （12）
L2006L5
L2006D5
L2006V5
L4006L5
L4006D5
L4006V5
L6006L5
L6006D5
L6006V5
L2006L6
L2006D6
L2006V6
L4006L6
L4006D6
L4006V6
L6006L6
L6006D6
L6006V6
L2006L8
L2006D8
L2006V8
L4006L8
L4006D8
L4006V8
L6006L8
L6006D8
L6006V8
L2008L6
L2008D6
L2008V6
L4008L6
L4008D6
L4008V6
L6008L6
L6008D6
L6008V6
L2008L8
L2008D8
L2008V8
L4008L8
L4008D8
L4008V8
L6008L8
L6008D8
L6008V8
毫安
QII
QIII
最大
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
QIV
5
5
5
10
10
10
20
20
20
10
10
10
20
20
20
毫安
T
C
= 25 ° （C T）
C
= 110 °C
最大
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
规定的试验条件
的di / dt
- 最大速率的变化的通态电流;我
GT
= 50 mA，带
0.1
崛起的时间
dv / dt的
- 关键断态电压上升率在额定V
DRM
门打开
dv / dt的（C ）
- 关键整流电压的上升率在额定V
DRM
我
T（ RMS ）
整流的di / dt = 0.54额定我
T（ RMS ）
/女士;门
未通电
I
2
t
- RMS浪涌（非重复）通态电流为8.3 ms周期
对于融合
I
DRM
- 峰值断态电流，门打开; V
DRM
=最大额定值
I
GT
- 在具体操作象限直流门极触发电流;
V
D
= 12 V直流;
L
= 60
I
GTM
- 峰值门极触发电流
I
H
- 保持电流门打开;最初的通态电流为100 mA dc直流电
I
T（ RMS ）
- RMS通态电流导通的360 °角
I
TSM
- 峰值单周期浪涌
P
G（ AV ）
- 门平均功耗
P
GM
- 栅极峰值功耗;
I
GT
≤
I
GTM
t
gt
- 门控导通时间;我
GT
= 50 mA的0.1微秒上升时间
V
DRM
- 重复峰值断态/阻断电压
V
GT
- 直流栅极触发电压; V
D
= 12 V直流;
L
= 60
V
TM
- 峰值通态电压最大额定电流有效值
一般注意事项
所有测量都是以60Hz电阻性负载，并在一个
+25环境温度
°C
除非另有规定ED 。
工作温度范围（T
J
）为-65
°C
到+110
°C
为TO-92
设备和-40
°C
到+110
°C
对于所有的其它设备。
存储温度范围（T
S
）为-65
°C
+150
°C
为TO-92
设备， -40
°C
+150
°C
对于TO- 202器件，以及-40
°C
to
+125
°C
为TO-220的设备。
无铅焊锡温度最大为230
°C
10秒
最大值在从情况下的最低限度的1/16“ （1.59毫米）。
此案或铅温度（T
C
或T
L
）被测量为示出上
外形尺寸图纸。请参阅“封装尺寸”部分
这个目录。
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数据表
敏感的双向可控硅
V
TM
(1) (4)
V
GT
(2) (5) (15)
I
H
(1) (7)
I
GTM
(13)
P
GM
(13)
P
G（ AV ）
I
TSM
(8) (10)
dv / dt的（C ）
(1) (10)
dv / dt的
(1)
t
gt
(9)
I
2
t
的di / dt
伏
T
C
= 25 °C
最大
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
伏
T
C
= 25 °C
最大
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
毫安
最大
10
10
10
10
10
10
20
20
20
10
10
10
20
20
20
安培
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
瓦
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
瓦
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
安培
60/50赫兹
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
80/65
80/65
80/65
80/65
80/65
80/65
伏/微秒
典型值
1
1
1
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
伏/微秒
T
C
= 100 °C
典型值
40
30
20
40
30
20
45
40
30
40
30
20
45
40
30
微秒
典型值
3
3
3
3
3
3
3.2
3.2
3.2
3
3
3
3.2
3.2
3.2
安培
2
美国证券交易委员会
15
15
15
15
15
15
15
15
15
26.5
26.5
26.5
26.5
26.5
26.5
安/微秒
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
电气规格说明
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
对任一极性MT2的参考MT1终端
对于栅电压V任一极性
GT
参照MT1
终奌站
见门特点和象限的定义。
参见图E1.4的我
T
与V
T
.
参见图E1.6的V
GT
与牛逼
C
.
参见图E1.7 ，因为我
GT
与牛逼
C
.
参见图E1.5 ，因为我
H
与牛逼
C
.
参见图E1.9的浪涌额定值和具体时间。
参见图E1.8对于T
gt
与我
GT
.
GATE特性
的Teccor端双向可控硅开关可以导通的栅极和MT1端子之间
在以下方面：
同相的信号（与标准AC线），使用象限我
和III
单极性脉冲的应用（门始终为正或负面
略去） ，用象限II和III与负栅脉冲和
象限I和IV与正栅极脉冲
当最大浪涌能力是必需的，脉冲应该是一个
最小的一个数量级以上的我
GT
评价一个陡峭上升
波形（
≤
1微秒上升时间） 。
所有的极性是MT1 REFERENCED
MT2正
（正半周）
（ 10 ）参见图E1.2和E1.3图的最大允许的情况下
温度在最大额定电流。
（ 11 ）参见图E1.1 ， E1.2图，图E1.3对于T
A
或T
C
与
I
T（ RMS ）
.
（ 12 ）参见包概述了铅的形式配置。订货时
特殊的引线成形，加上型号为后缀的零件编号。
（13）的脉冲宽度
≤10
s
(14) T
C
或T
L
= T
J
在关机状态下的测试条件
（ 15 ）最小的非触发V
GT
在110℃下是0.2V。
I
GT
(
-
)
MT2
I
GT
门
+
MT2
(+)
I
GT
门
MT1
MT1
-
(
-
)
REF
MT2
I
GT
门
MT1
REF
QII齐
QIII QIV
(+)
REF
+
MT2
I
GT
门
MT1
REF
I
GT
MT2负
（负半周）
-
象限的定义
2004 Littelfuse公司
晶闸管产品目录
E1 - 5
http://www.littelfuse.com
+1 972-580-7777
*
L
U.
Se
c
le
te
d
Pa
a
ck
ge
.R
O
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Fi
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G
ED
IZ
N
63
9
s
#
1
E7
E1
TO-92
*TO-220
隔离
3-lead
COMPAK
TO-252
D- PAK
TO-202
TO-251
V-白
MT2
MT1
G
敏感的双向可控硅
（ 0.8 A至8 A）
E1
概述
TECCOR的线条敏感栅三端双向可控硅包括与当前设备
经过8 A.电压范围的能力可以从200伏
600五，此线路特点具有保证门控制设备
在象限II和IV以及在通常控制中使用
象限I和III 。四象限控制设备要求
敏感栅三端双向可控硅。它们可以通过数字电路来控制
其中正只或负仅脉冲必须控制交流
电流在通过该装置的两个方向。需要注意的是与双向晶闸管
我低
GT
在象限II和IV值将具有低dv / dt的
的特点。
敏感的门双向可控硅是一种双向交流开关，是门
控制主端子电压的任一极性。它被用来
主要用于交流开关和相位控制的应用，如
电动机速度控制，温度调制控制，并
照明控制。
环氧TO-92和TO-220的配置功能的Teccor的
电气隔离结构，其中的情况下，或安装标签
在内部从所述半导体芯片和引线分离
附件。非隔离环氧TO- 202封装可
以及TO- 251和表面安装的TO- 252 （D-白） 。条状
盘式能力和管包装也都可用。看
本产品目录中的“包装选项”部分。
所有的Teccor三端双向可控硅具有玻璃钝化路口。这种玻璃卷
过程可以防止污染物的迁移，并确保长期
带参数的稳定长期器件的可靠性。
可用于覆盖该数据表的设备的变化
定制设计的应用程序。有关更多信息，请咨询厂家。
特点
电气隔离的封装
玻璃钝化路口确保装置长
可靠性和稳定性的参数
电压能力 - 高达600 V
浪涌能力 - 高达80 A
四象限门保证
COMPAK敏感栅三端双向可控硅
表面贴装封装 - 0.8 A和1系列
新的小尺寸三含铅COMPAK包
包装在2500压纹载带
设备每卷
可以替代SOT- 223
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2004 Littelfuse的LP
晶闸管产品目录
E1 - 1
敏感的双向可控硅
数据表
产品型号
I
T（ RMS ）
(11)
MT2
MT2
隔离
非隔离
V
DRM
(1)
I
GT
(3) (6) (9)
I
DRM
(1) (14)
G
MT2
G
MT2
MT1
MT1
G
MT2
MT1
MT2
MT1
MT2
G
MT1
G
MT2
MT1
G
MT2
毫安
伏
民
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
QI
3
3
3
5
5
5
5
5
5
10
10
10
3
3
3
5
5
5
5
5
5
10
10
10
3
3
3
5
5
5
5
5
5
10
10
10
QII QIII
最大
3
3
3
3
3
3
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
3
3
3
3
3
3
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
3
3
3
3
3
3
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
QIV
3
3
3
5
5
5
10
10
10
20
20
20
3
3
3
5
5
5
10
10
10
20
20
20
3
3
3
5
5
5
10
10
10
20
20
20
TO-92
最大
L2X8E3
L4X8E3
L6X8E3
L2X8E5
L4X8E5
L6X8E5
L2X8E6
L4X8E6
L6X8E6
L2X8E8
L4X8E8
L6X8E8
L201E3
L401E3
L601E3
L201E5
L401E5
L601E5
L201E6
L401E6
L601E6
L201E8
L401E8
L601E8
COMPAK
TO-220
TO-252
D- PAK
TO-202
TO-251
V-白
0.8 A
请参阅“封装尺寸”部分的变化。 （12）
L2X3
L4X3
L6X3
L2X5
L4X5
L6X5
1A
L2N3
L4N3
L6N3
L2N5
L4N5
L6N5
4A
L2004L3
L4004L3
L6004L3
L2004L5
L4004L5
L6004L5
L2004L6
L4004L6
L6004L6
L2004L8
L4004L8
L6004L8
L2004D3
L4004D3
L6004D3
L2004D5
L4004D5
L6004D5
L2004D6
L4004D6
L6004D6
L2004D8
L4004D8
L6004D8
L2004F31
L4004F31
L6004F31
L2004F51
L4004F51
L6004F51
L2004F61
L4004F61
L6004F61
L2004F81
L4004F81
L6004F81
L2004V3
L4004V3
L6004V3
L2004V5
L4004V5
L6004V5
L2004V6
L4004V6
L6004V6
L2004V8
L4004V8
L6004V8
毫安
T
C
=
T
C
=
25
°C
110
°C
最大
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.1
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
0.01
0.2
请参阅“一般注意事项”第E1 - 4和“电气规范注意事项”页E1 - 5 。
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+1 972-580-7777
E1 - 2
2004 Littelfuse的LP
晶闸管产品目录
数据表
敏感的双向可控硅
V
TM
(1) (4)
V
GT
(2) (5) (15)
I
H
(1) (7)
I
GTM
(13)
P
GM
(13)
P
G（ AV ）
I
TSM
(8) (10)
dv / dt的（C ）
(1) (10)
dv / dt的
(1)
t
gt
(9)
I
2
t
的di / dt
伏
T
C
=
25
°C
最大
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
伏
T
C
=
25
°C
最大
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
安培
毫安
最大
5
5
5
10
10
10
10
10
10
15
15
15
5
5
5
10
10
10
10
10
10
15
15
15
5
5
5
10
10
10
10
10
10
15
15
15
安培
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
瓦
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
瓦
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
60/50赫兹
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
10/8.3
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
20/16.7
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
40/33
伏/微秒
典型值
0.5
0.5
0.5
1
1
1
1
1
1
2
2
2
0.5
0.5
0.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
1
1
1
1
1
1
2
2
2
伏/微秒
T
C
=
100 °C
典型值
20
15
10
20
15
10
30
25
20
35
30
25
20
20
10
20
20
10
30
30
20
35
35
25
25
25
15
25
25
15
30
30
20
35
35
25
微秒
典型值
2.8
2.8
2.8
3
3
3
3
3
3
3.2
3.2
3.2
2.8
2.8
2.8
3
3
3
3
3
3
3.2
3.2
3.2
2.8
2.8
2.8
3
3
3
3
3
3
3.2
3.2
3.2
安培
2
美国证券交易委员会
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
0.41
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
安/微秒
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
请参阅“一般注意事项”第E1 - 4和“电气规范注意事项”页E1 - 5 。
2004 Littelfuse的LP
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敏感的双向可控硅
数据表
产品型号
I
T（ RMS ）
(11)
MT2
MT2
隔离
非隔离
V
DRM
(1)
I
GT
(3) (6)
I
DRM
(1) (14)
G
MT2
MT1
MT1
MT2
G
MT1
G
MT2
TO-220
最大
TO-252
D- PAK
TO-251
V-白
伏
民
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
200
400
600
QI
5
5
5
5
5
5
10
10
10
5
5
5
10
10
10
6A
8A
请参阅“封装尺寸”部分的变化。 （12）
L2006L5
L2006D5
L2006V5
L4006L5
L4006D5
L4006V5
L6006L5
L6006D5
L6006V5
L2006L6
L2006D6
L2006V6
L4006L6
L4006D6
L4006V6
L6006L6
L6006D6
L6006V6
L2006L8
L2006D8
L2006V8
L4006L8
L4006D8
L4006V8
L6006L8
L6006D8
L6006V8
L2008L6
L2008D6
L2008V6
L4008L6
L4008D6
L4008V6
L6008L6
L6008D6
L6008V6
L2008L8
L2008D8
L2008V8
L4008L8
L4008D8
L4008V8
L6008L8
L6008D8
L6008V8
毫安
QII
QIII
最大
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
5
5
5
5
5
5
10
10
10
10
10
10
QIV
5
5
5
10
10
10
20
20
20
10
10
10
20
20
20
毫安
T
C
= 25 ° （C T）
C
= 110 °C
最大
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
0.02
0.5
规定的试验条件
的di / dt
- 最大速率的变化的通态电流;我
GT
= 50 mA，带
0.1
崛起的时间
dv / dt的
- 关键断态电压上升率在额定V
DRM
门打开
dv / dt的（C ）
- 关键整流电压的上升率在额定V
DRM
我
T（ RMS ）
整流的di / dt = 0.54额定我
T（ RMS ）
/女士;门
未通电
I
2
t
- RMS浪涌（非重复）通态电流为8.3 ms周期
对于融合
I
DRM
- 峰值断态电流，门打开; V
DRM
=最大额定值
I
GT
- 在具体操作象限直流门极触发电流;
V
D
= 12 V直流;
L
= 60
I
GTM
- 峰值门极触发电流
I
H
- 保持电流门打开;最初的通态电流为100 mA dc直流电
I
T（ RMS ）
- RMS通态电流导通的360 °角
I
TSM
- 峰值单周期浪涌
P
G（ AV ）
- 门平均功耗
P
GM
- 栅极峰值功耗;
I
GT
≤
I
GTM
t
gt
- 门控导通时间;我
GT
= 50 mA的0.1微秒上升时间
V
DRM
- 重复峰值断态/阻断电压
V
GT
- 直流栅极触发电压; V
D
= 12 V直流;
L
= 60
V
TM
- 峰值通态电压最大额定电流有效值
一般注意事项
所有测量都是以60Hz电阻性负载，并在一个
+25环境温度
°C
除非另有规定ED 。
工作温度范围（T
J
）为-65
°C
到+110
°C
为TO-92
设备和-40
°C
到+110
°C
对于所有的其它设备。
存储温度范围（T
S
）为-65
°C
+150
°C
为TO-92
设备， -40
°C
+150
°C
对于TO- 202器件，以及-40
°C
to
+125
°C
为TO-220的设备。
无铅焊锡温度最大为230
°C
10秒
最大值在从情况下的最低限度的1/16“ （1.59毫米）。
此案或铅温度（T
C
或T
L
）被测量为示出上
外形尺寸图纸。请参阅“封装尺寸”部分
这个目录。
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
E1 - 4
2004 Littelfuse的LP
晶闸管产品目录
数据表
敏感的双向可控硅
V
TM
(1) (4)
V
GT
(2) (5) (15)
I
H
(1) (7)
I
GTM
(13)
P
GM
(13)
P
G（ AV ）
I
TSM
(8) (10)
dv / dt的（C ）
(1) (10)
dv / dt的
(1)
t
gt
(9)
I
2
t
的di / dt
伏
T
C
= 25 °C
最大
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
伏
T
C
= 25 °C
最大
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
毫安
最大
10
10
10
10
10
10
20
20
20
10
10
10
20
20
20
安培
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
瓦
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
瓦
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
安培
60/50赫兹
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
60/50
80/65
80/65
80/65
80/65
80/65
80/65
伏/微秒
典型值
1
1
1
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
伏/微秒
T
C
= 100 °C
典型值
40
30
20
40
30
20
45
40
30
40
30
20
45
40
30
微秒
典型值
3
3
3
3
3
3
3.2
3.2
3.2
3
3
3
3.2
3.2
3.2
安培
2
美国证券交易委员会
15
15
15
15
15
15
15
15
15
26.5
26.5
26.5
26.5
26.5
26.5
安/微秒
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
电气规格说明
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
对任一极性MT2的参考MT1终端
对于栅电压V任一极性
GT
参照MT1
终奌站
见门特点和象限的定义。
参见图E1.4的我
T
与V
T
.
参见图E1.6的V
GT
与牛逼
C
.
参见图E1.7 ，因为我
GT
与牛逼
C
.
参见图E1.5 ，因为我
H
与牛逼
C
.
参见图E1.9的浪涌额定值和具体时间。
参见图E1.8对于T
gt
与我
GT
.
GATE特性
的Teccor端双向可控硅开关可以导通的栅极和MT1端子之间
在以下方面：
同相的信号（与标准AC线），使用象限我
和III
单极性脉冲的应用（门始终为正或负面
略去） ，用象限II和III与负栅脉冲和
象限I和IV与正栅极脉冲
当最大浪涌能力是必需的，脉冲应该是一个
最小的一个数量级以上的我
GT
评价一个陡峭上升
波形（
≤
1微秒上升时间） 。
所有的极性是MT1 REFERENCED
MT2正
（正半周）
（ 10 ）参见图E1.2和E1.3图的最大允许的情况下
温度在最大额定电流。
（ 11 ）参见图E1.1 ， E1.2图，图E1.3对于T
A
或T
C
与
I
T（ RMS ）
.
（ 12 ）参见包概述了铅的形式配置。订货时
特殊的引线成形，加上型号为后缀的零件编号。
（13）的脉冲宽度
≤10
s
(14) T
C
或T
L
= T
J
在关机状态下的测试条件
（ 15 ）最小的非触发V
GT
在110℃下是0.2V。
I
GT
(
-
)
MT2
I
GT
门
+
MT2
(+)
I
GT
门
MT1
MT1
-
(
-
)
REF
MT2
I
GT
门
MT1
REF
QII齐
QIII QIV
(+)
REF
+
MT2
I
GT
门
MT1
REF
I
GT
MT2负
（负半周）
-
象限的定义
2004 Littelfuse的LP
晶闸管产品目录
E1 - 5
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