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polyfet射频器件

L2701

概述

硅VDMOS和LDMOS

晶体管专

宽带RF应用。

适用于军用无线通信设备，

移动和寻呼放大器基地

站，广播FM / AM ， MRI ，

激光驱动器等。

"Polyfet"

工艺特点

较低的反馈和输出电容，

导致高F音

晶体管高

输入阻抗和高效率。

硅栅增强型

RF功率LDMOS晶体管

30.0瓦单端

包装样式S02

高效率，线性

高增益，低噪声

绝对最大额定值（T = 25℃ ）

总

设备

耗散

80瓦

结到

热病例

阻力

1.80 C / W

最大

连接点

温度

200 C

存储

温度

-65 ℃150℃

直流漏

当前

漏

门

电压

70 V

漏

来源

电压

70 V

大门

来源

电压

20 V

4.5 A

射频特性（

符号

全球定位系统

参数

共源功率增益

漏EF网络效率

负载不匹配公差

民

典型值

30.0瓦的输出）

最大

单位

5:1

相对的

测试条件

IDQ = 0.40 ， VDS =

28.0

V，F =

IDQ = 0.40 ， VDS =

28.0

V，F =

500

兆赫

500

兆赫

VSWR

IDQ = 0.40 ， VDS =

28.0

V，F =

500

兆赫

电气特性（每边）

符号

BVDSS

IDSS

IGSS

VGS

RDSON

Idsat

西塞

CRSS

科斯

参数

漏极耐压

零偏置漏电流

栅极漏电流

栅极偏置的漏电流

正向跨导

饱和电阻

饱和电流

共源输入电容

共源反馈电容

共源输出电容

1.6

0.65

10.00

60.0

1.6

30.0

民

2.0

典型值

最大

单位

姆欧

欧姆

AMP

测试条件

IDS =

0.20毫安， VGS = 0V

VDS = 28.0 V， VGS = 0V

VDS = 0V VGS = 30V

IDS = 0.20 A， VGS = Vds的

VDS = 10V ， VGS = 5V

VGS = 20V ， IDS = 8.00

VGS = 20V ， VDS = 10V

VDS = 28.0 VGS = 0V ， F = 1兆赫

polyfet射频器件

修订2003年7月17日

1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话：（ 805 ） 484-4210传真：（ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com

L2701

POUT VS PIN GRAPH

L 2 7 0 1 P在VS P输出F REQ = 5 0 0 MH Z，

V·D S = 2 8 V D C ， ID为q = 0.4

100

电容VS电压

L1B 1DIE C A PACITANCE

西塞

科斯

噘

收益

FFIC ienc @ 3 0瓦特一吨吨S = 5 ％

0 .5

1 .5

在P I N W上的TTS

2 .5

CRSS

以伏VDS

IV曲线

L1B 1 DIE四

ID & GM VS VGS

L1B 1 DIE

ID ，通用VS VG

ID为安培

以伏VDS

Vg=6v

vg=8v

0.1

VGS的电压

vg=2v

Vg=4v

vg=10v

vg=12v

寻ZOUT

IN吋包装尺寸

公差.XX +/- 0.01

.XXX +/- 。 005英寸

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修订2003年7月17日

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