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Am29LV200B
数据表
该Am29LV200B不提供用于新设计。请联系Spansion公司代表替代方案
纳茨。
下面的文档包含Spansion存储产品的信息。虽然文件
标有最初开发的规范的公司的名称,飞索将
继续提供这些产品的现有客户。
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。未来将会发生日常的产品更新时, Appro公司和
更改将被记录在修订摘要。
订购零件编号的连续性
Spansion公司继续支持以“ AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购这些
产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处有关Spansion闪存解决方案的更多信息。
公开号
21521
调整
D
修订
6
发行日期
2006年10月10日
这页有意留为空白。
数据表
Am29LV200B
2兆位( 256千×8位/ 128的K× 16位)
CMOS 3.0伏只引导扇区闪存
该Am29LV200B不提供用于新设计。请联系Spansion公司代表候补。
特色鲜明
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取和写入操作
电池供电应用
在0.32微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29LV200设备
高性能
- 全电压范围:存取时间快70纳秒
- 稳压电压范围:存取时间快
55纳秒
超低功耗(在典型值
5兆赫)
- 200 nA的自动睡眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读出电流
- 15毫安编程/擦除电流
灵活的部门架构
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节,而
3个64字节扇区(字节模式)
- 一个8千字,两个4千字, 1个16千字,并
3个32千字部门(字模式)
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能:
锁定一个部门,以防止硬件方法
该部门内的任何程序或擦除操作
扇区可被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址的数据验证
每次最少百万擦除周期保证
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
封装选项
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
- 48球FBGA
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除操作完成
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21521
启:
D
修订:
6
发行日期:
2006年10月10日
数据表
概述
该Am29LV200B是2兆, 3.0伏,仅限于Flash
内存组织为262,144字节或131,072字。
该器件采用44引脚SO ,48引脚TSOP ,并提供48-
球FBGA封装。字级数据( X16 )出现
在DQ15 - DQ0 ;字节宽的(x8)数据出现在
DQ7 - DQ0 。本设备被设计为被编程
在系统仅使用一个3.0伏V
CC
供应量。没有
V
PP
是在用于写或擦除操作。该装置
也可以在标准EPROM编程
程序员。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术,并提供所有的功能和苯并
在Am29LV200 ,这是用制造的efits
0 。 5 μ M·P ,R 0权证S S小T E C H N 0 1 GY 。我N A D D I T I O N,T ^ h ê
Am29LV200B功能解锁绕道程序
而在系统部门保护/解除保护。
该标准的设备提供的55 ,70, 90的存取时间
和120纳秒,使高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线争
该设备有独立的芯片使能( CE # ),写
使能( WE# )和输出使能( OE # )控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法,自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据,而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的内部算法,可以自动
preprograms阵列(如果它尚未被编程)
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过观察RY / BY #
销,或通过阅读DQ7 (数据#投票)和DQ6
(切换)
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后,该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据,
或不选择程序数据,任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止任何操作
在进行中,内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET #引脚可连接到
系统复位电路。因此,一个系统复位也会
复位装置,使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术,结合多年的闪光
内存制造经验,生产的
的质量,可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV200B
2006年21521D6 10月10日,
数据表
目录
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
特殊处理的说明............................................... 6 ....
引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
表1. Am29LV200B设备总线操作................................ 9
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 21
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 21
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 22
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 22
图6.切换位算法............................................ ............ 22
表6.写操作状态............................................ ......... 23
字/字节配置.............................................. ............ 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列.............................. 9
编程和擦除操作状态.................................... 10
待机模式................................................ ........................ 10
自动休眠模式............................................... ................. 10
RESET # :硬件复位引脚............................................ ....... 10
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2. Am29LV200BT热门引导块扇区地址表..... 11
表3. Am29LV200BB底部引导块,扇区地址表11
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
扩展( E)设备............................................. ................ 24
V
CC
电源电压................................................ .............. 24
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ............................... 26
图10.典型I
CC1
与频率........................................... 26
图11.测试设置............................................. ........................ 27
表7.测试规范............................................. .............. 27
自选模式................................................ ..................... 11
表4. Am29LV200B自选代码(高压法) .. 12
关键开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
图12.输入波形和测量水平................. 27
扇区保护/ unprotection的.............................................. 12
临时机构撤消............................................... ... 12
图1.在系统部门保护/撤消算法............... 13
图2.临时机构撤消操作........................... 14
读操作................................................ .................... 28
图13.读操作时序............................................ 28
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 29
图14. RESET #时序............................................ .............. 29
硬件数据保护............................................... ....... 14
低V
CC
写禁止................................................ .............. 14
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 14
逻辑禁止................................................ .......................... 14
上电写禁止............................................. ............... 14
读阵列数据............................................... ................. 15
复位命令................................................ ..................... 15
自选命令序列............................................ 15
字/字节编程命令序列............................. 15
解锁绕道命令序列..................................... 16
图3.程序操作............................................. ............. 16
字/字节配置( BYTE # ) ........................................ 30
图15. BYTE #时序进行读操作............................ 30
图16. BYTE #时序写操作............................ 30
擦除/编程操作.............................................. ....... 31
图17.编程操作时序.......................................... 32
图18.芯片/扇区擦除操作时序.......................... 33
图19.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。 34
图20.触发位计时(在嵌入式算法) ...... 34
图21. DQ2与DQ6 ........................................... ...................... 35
临时机构撤消............................................... ... 35
图22.临时机构撤消时序图.............. 35
图23.部门保护/撤消时序图.................... 36
芯片擦除命令序列........................................... 16
扇区擦除命令序列........................................ 17
擦除暂停/删除恢复命令........................... 17
图4.擦除操作............................................. .................. 18
备用CE #控制的擦除/编程操作............ 37
图24.备用CE #控制的写操作时序...... 38
命令定义................................................ ............. 19
表5. Am29LV200B命令定义................................. 19
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 20
图5.数据#轮询算法........................................... ........ 20
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .................. 21
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 21
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
TSOP和SO引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 39
TS 048-48针标准TSOP .......................................... 40 ..
SO 044-44引脚小外形封装................................ 41
FBA048-48球细间距球栅阵列,0.80 mm间距,
6 ×8 mm封装............................................. ..................... 42
2006年10月10日21521D6
Am29LV200B
3
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