HERMETIC硅光电晶体管
L14P1
包装尺寸
0.230 (5.84)
0.209 (5.31)
0.195 (4.95)
0.178 (4.52)
L14P2
0.030 (0.76)
喃
0.255 (6.47)
0.225 (5.71)
0.500 (12.7)
民
0.100 (2.54)
0.050 (1.27)
2
1
0.038 (0.97)
0.046 (1.16)
0.036 (0.92)
45°
0.020 (0.51) 3X
3
概要
（连接到CASE）
集热器
3
基地2
注意事项：
1，外形尺寸为所有的图纸都是以英寸（毫米） 。
在所有非标称尺寸2.公差± 0.010 （ 0.25 ）
除非另有规定ED 。
1
辐射源
描述
该L14P1 / L14P2是安装在窄角硅光电晶体管， TO-18封装。
特点
密封包装
窄接收角
设备可以通过连接的集电极和基极引线被用作光电二极管。
2001年仙童半导体公司
DS300309
6/01/01
1 4
www.fairchildsemi.com
HERMETIC硅光电晶体管
L14P1
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
焊接温度（铁）
（ 3,4,5和6）
焊接温度（流动）
（ 3,4和6）
集电极到发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
发射器基Breakdwon电压
功率耗散（T
A
= 25°C)
(1)
功率耗散（T
C
= 25°C)
(2)
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
D
P
D
等级
-65到+125
-65到+150
240 ，持续5秒
260 ，持续10秒
30
40
5
300
600
L14P2
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
V
mW
mW
注意：
1.减免功耗线性3.00毫瓦/ ° C以上25 ° C的环境。
2.减免功耗线性6.00毫瓦/ ℃，高于25 ℃的情况下。
3. RMA助焊剂，推荐。
4，甲醇，异丙醇醇推荐的清洁剂。
5.烙铁头
1/16”
（ 1.6毫米）从最低住房。
6.只要线索都没有在任何压力或弹簧张力。
7.光源是一个砷化镓发光二极管发射的光，在940纳米的峰值波长。
钨灯8。图1和图2中使用的光源，在2870 °K的色温。 3.0毫瓦/厘米的砷化镓源
2
大约
10毫瓦相当于钨源，在2870 °K时， /厘米
2
.
电/光特性
参数
(T
A
= 25 ℃）（脉冲条件下进行所有的测量）
符号
民
典型值
最大
单位
测试条件
集电极 - 发射极击穿
发射极 - 基极击穿
集电极 - 基极击穿
集电极 - 射极漏泄
接待角灵敏度1/2
通态集电极电流L14P1
通态集电极电流L14P2
在国家光电二极管电流
上升时间
下降时间
饱和电压L14P1
饱和电压L14P2
I
C
= 10毫安， EE = 0
I
E
= 100
A,
Ee = 0
I
C
= 100
A,
Ee = 0
V
CE
= 12 V ， EE = 0
Ee = 0.5
V
CE
= 5
2
, V = 5 V
(7,8)
ee值= 0.5毫瓦/平方厘米
CE
EE = 0.3毫瓦/平方厘米
2
, V
CB
= 5 V
I
C
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
=100
I
C
= 10 mA时， V
CC
= 5 V ，R
L
=100
I
C
= 0.8毫安， EE = 0.6毫瓦/平方厘米
2(7,8)
I
C
= 1.6毫安， EE = 0.6毫瓦/平方厘米
2(7,8)
毫瓦/平方厘米
2
,
V
(7,8)
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
I
首席执行官
θ
I
C（ ON）
I
C（ ON）
I
CB （ON）的
t
r
t
f
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
30
5.0
40
—
±8
6.5
13.0
6.0
10
12
—
—
—
—
—
100
—
0.40
0.40
V
V
V
nA
度
mA
mA
A
s
s
V
V
www.fairchildsemi.com
2 4
6/01/01
DS300309
HERMETIC硅光电晶体管
L14P1
图1.光电流与集电极到发射极电压
10
8
6
4
I
L
归一化光电流
2
1
.8
.6
.4
.2
.1
.08
.06
.04
.02
.01
.01
.02
.04 .06 .08 .1
.2
.4 .6 .8 1
2
4
6 8 10
20
ee值= 0.2毫瓦/平方厘米
2
ee值= 0.1毫瓦/平方厘米
2
标准化为：
ee值= 1毫瓦/厘米
2
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
脉冲
t
p
= 300
微秒
ee值= 10毫瓦/平方厘米
2
ee值= 2毫瓦/平方厘米
2
ee值= 1毫瓦/厘米
2
ee值= 20毫瓦/平方厘米
2
I
L
归一化光电流
4
2
1
.8
.6
.4
.2
.1
.08
.06
.04
.02
.01
.1
.2
.4
.6 .8 1
2
L14P2
图2.光电流与温度的关系
ee值= 5毫瓦/平方厘米
2
ee值= 0.5毫瓦/平方厘米
2
标准化为：
V
CE
= 5 V
ee值= 1毫瓦/厘米
2
T
A
= 25°C
脉冲
t
p
= 300
微秒
4
6 8 10
20
E
e
- 总辐射量在毫瓦/平方厘米
2
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图4.光电流与温度的关系
4
IF = 50毫安
图3.暗电流与温度的关系
10
5
I
L
归一化光电流
10
4
10
3
10
2
2
20毫安
10毫安
5毫安
I
首席执行官
， NORMLIZED暗电流
标准化为：
T
A
= 25°C
V
CE
= 10 V
1
.8
.6
.4
2毫安
.2
1毫安
.1
.08
.06
.04
.02
10
1
0.5毫安
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
.01
标准化为： IF = 5毫安， V
CE
= 5 V ，T
A
= 25°C
脉冲：
A
A
S
SOURCE （ 1N6265 ） ， TP = 300
微秒，
T
J
= T
A
-50
-26
0
26
50
75
100
T
A
，温度（° C）
T
A
，温度（° C）
图5角和光谱响应
110
100
90
相对输出（％）
80
60
60
50
40
30
20
10
-40
-20
0
20
1
.9
相对响应
.8
.7
.6
.5
.4
.3
.2
.1
40 500 600 700 800 900 1000 1100
λ,
波长
（纳米）
TR和TF归一化开关光速
100
80
60
40
20
10
8
6
4
2
1
.8
.6
.4
.2
.1
.1
R
L
= 100
图6.开关速度与偏见
R
L
= 1000
R
L
= 500
R
L
= 250
R
L
= 1000
R
L
= 500
R
L
= 250
R
L
= 100
θ,
角位移
从光轴方向
（度）
标准化为：
V
CC
= 5 V
I
C
= 10毫安
R
L
= 100
T
A
= 25°C
.2
.4 .6 .8 1
R
L
= 50
标准化为：
V
CC
= 5 V
I
C
= 10毫安
R
L
= 100
T
A
= 25°C
8 10 .1
.2
.4 .6 .8 1
R
L
= 50
2
4
2
4
6 8 10
上升时间
I
CE
，输出电流（mA ）
下降时间
DS300309
6/01/01
3 4
www.fairchildsemi.com
HERMETIC硅光电晶体管
L14P1
L14P2
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知的权利
以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担
因任何产品或电路的应用或使用任何责任DESCRIBED
此处;它也没有传达任何许可根据其专利权，也没有权利
其他人。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可， FAIRCHILD总统
半导体公司版权所有。如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
其中， （ a）打算通过外科手术系统
植入到体内，或（b ）支持或维持生命，
（三）未能履行其在正确
用于按照提供的使用说明
在标签，可以合理预期导致
显著伤害用户。
在生命支持任何组件2.关键部件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
有效性。
DS300309
6/01/01
4 4
www.fairchildsemi.com
QQ：2880707522 复制
