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HERMETIC硅光电晶体管
L14C1
包装尺寸
0.230 (5.84)
0.209 (5.31)
0.195 (4.96)
0.178 (4.52)
L14C2
0.030 (0.76)
最大
0.210 (5.34)
最大
0.500 (12.7)
0.100 (2.54)
0.100 ( 2.54 )直径。
2
1
0.038 ( 0.97 ) NOM
0.046 (1.16)
0.036 (0.92)
45°
0.021 (0.53) 3X
3
0.050 (1.27)
概要
(连接到CASE)
集热器
3
基地2
注意事项:
1,外形尺寸为所有的图纸都是以英寸(毫米) 。
在所有非标称尺寸2.公差± 0.010 ( 0.25 )
除非另有规定ED 。
1
辐射源
描述
该L14C1 / L14C2是安装在广角, TO-18封装的硅光敏晶体管。
特点
密封包装
宽接收角
2001年仙童半导体公司
DS300305
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HERMETIC硅光电晶体管
L14C1
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
焊接温度(铁)
( 3,4,5和6)
焊接温度(流动)
( 3,4和6)
集电极到发射极击穿电压
集电极基极击穿电压
发射器基Breakdwon电压
功率耗散(T
A
= 25°C)
(1)
功率耗散(T
C
= 25°C)
(2)
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
D
P
D
等级
-65到+125
-65到+150
240 ,持续5秒
260 ,持续10秒
50
50
7
300
600
L14C2
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
V
mW
mW
注意:
1.减免功耗线性3.00毫瓦/ ° C以上25 ° C的环境。
2.减免功耗线性6.00毫瓦/ ℃,高于25 ℃的情况下。
3. RMA助焊剂,推荐。
4,甲醇,异丙醇醇推荐的清洁剂。
5.烙铁头
1/16”
( 1.6毫米)从最低住房。
6.只要线索都没有在任何压力或弹簧张力。
7.光源是一个砷化镓发光二极管发射的光,在940纳米的峰值波长。
钨灯8。图1和图2中使用的光源,在2870 °K的色温。 3.0毫瓦/厘米的砷化镓源
2
大约
10毫瓦相当于钨源,在2870 °K时, /厘米
2
.
电/光特性
参数
(T
A
= 25 ℃)(脉冲条件下进行所有的测量)
符号
典型值
最大
单位
测试条件
集电极 - 发射极击穿
发射极 - 基极击穿
集电极 - 基极击穿
集电极 - 射极漏泄
接待角灵敏度1/2
通态集电极电流L14C1
通态集电极电流L14C2
通态集电极电流L14C2
开启时间
打开-O FF时间
饱和电压
I
C
= 10毫安, EE = 0
I
E
= 100
A,
Ee = 0
I
C
= 100
A,
Ee = 0
V
CE
= 20V时, EE = 0
Ee = 0.5
V
CE
= 5
2
, V = 5 V
(7,8)
ee值= 0.5毫瓦/平方厘米
CE
ee值= 1.0毫瓦/平方厘米
2
, V
CE
= 5 V
(7,8)
I
C
= 2毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
=100
I
C
= 2毫安, V
CC
= 10 V ,R
L
=100
I
C
= 0.40毫安, EE = 6.0毫瓦/平方厘米
2(7,8)
毫瓦/平方厘米
2
,
V
(7,8)
BV
首席执行官
BV
EBO
BV
CBO
I
首席执行官
θ
I
C( ON)
I
C( ON)
I
C( ON)
t
on
t
关闭
V
CE ( SAT )
50
7.0
50
±40
.16
.08
.16
5
5
100
0.40
V
V
V
nA
mA
mA
mA
s
s
V
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HERMETIC硅光电晶体管
L14C1
图1.光电流与集电极到发射极电压
10
I
L
归一化光电流
ee值= 20毫瓦/平方厘米
2
ee值= 10毫瓦/平方厘米
2
1.0
ee值= 5毫瓦/平方厘米
2
ee值= 2毫瓦/平方厘米
2
0.1
标准化为:
V
CE
= 5 V
ee值= 10毫瓦/平方厘米
2
1.0
10
100
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
10
L14C2
图2.归光电流与辐射
I
I
归一化光电流
1.0
标准化为:
V
CE
= 5 V
ee值= 10毫瓦/平方厘米
2
0.1
.01
0.1
.01
.01
1.0
10
100
E
e
- 总辐射量在毫瓦/平方厘米
2
t
on
和T
关闭
归一导通和关断时间
图3.暗电流与温度的关系
1000
100
I
D
,暗电流( μA )
10
1.0
0.1
.01
.001
V
CE
= 20 V
ee值= 0毫瓦/平方厘米
2
图4.开关速度与输出电流
10
R
L
= 1K
1.0
标准化为:
V
CE
= 10 V
I
C
= 2毫安
t
on
= t
关闭
= 5
微秒
R
L
= 100
.01
1
1.0
I
C
,输出电流(mA )
10
R
L
= 100
R
L
= 10
0
25
50
75
100
125
150
100
T,温度( ° C)
图5.光谱响应
1.0
0.9
0.8
相对响应
0.7
相对输出(%)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
500
600
700
800
900
1000
1100
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
-60
图6.角响应曲线
-40
-20
0
20
40
60
λ,
波长(纳米)的
θ,
角位移从光轴(度)
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HERMETIC硅光电晶体管
L14C1
L14C2
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改,恕不另行通知的权利
以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担
因任何产品或电路的应用或使用任何责任DESCRIBED
此处;它也没有传达任何许可根据其专利权,也没有权利
其他人。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可, FAIRCHILD总统
半导体公司版权所有。如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或
其中, ( a)打算通过外科手术系统
植入到体内,或(b )支持或维持生命,
(三)未能履行其在正确
用于按照提供的使用说明
在标签,可以合理预期导致
显著伤害用户。
在生命支持任何组件2.关键部件
设备或系统,其未能履行可
合理预期造成生命的失败
支持设备或系统,或影响其安全性或
有效性。
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HERMETIC硅
PHOTOTRANSISTOR
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改,恕不另行通知的权利
以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担
不承担任何责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备中的关键部件
或系统未经明确的书面许可, FAIRCHILD SEMICONDUCTOR总统
株式会社。如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,
或(b )支持或维持生命,和(c) ,其不
执行时按照正确使用
在标签规定的使用说明,可以
合理预期导致的一个显著的伤害
用户。
在生命支持任何组件2.关键部件
设备或系统,其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统,或影响其安全性或有效性。
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2000仙童半导体公司
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