TECCOR
品牌晶闸管
EV系列1安培敏感的双向可控硅
L01系列
描述
新的1安培双向固态开关系列产品
直接接口到经济的微处理器驱动程序
TO- 92和表面贴装封装。模电压
堵结玻璃钝化，以确保长期的
可靠性和参数的稳定性。
特点
微秒
贴装封装
10Amps
主要特点
符号
I
T（ RMS ）
V
DRM
/V
RRM
I
GT
价值
1
400至800
3至10个
单位
A
V
mA
)
能力 - 高达800V
DRM
应用
在L01 EV系列是专门为白色家电设计
应用，例如在洗衣机中的阀门控制
以及更换机械和混合继电器哪里
长寿命是必需的。
原理图符号
MT2
G
MT1
绝对最大额定值
符号
I
T（ RMS ）
RMS通态电流
（全正弦波）
不重复浪涌峰值通态电流
（单周期，T
J
初始= 25 ° C）
参数
TO-92
SOT-223
TO-92
SOT-223
t
p
= 10毫秒
t
p
= 8.3毫秒
TO-92
SOT-223
t
p
= 10 μs
T
C
= 50°C
T
L
= 90°C
F = 50赫兹
F = 60赫兹
F = 50赫兹
F = 60赫兹
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
价值
1.0A
10
A
12
0.50
0.59
20
1
0.1
-40至150
-40至125
43
修订日期： 2008年7月9日
单位
A
I
TSM
I
2
t
I
2
为融合吨价
A
2
s
的di / dt
I
GTM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
J
2008 Littelfuse公司
通态电流I的临界上升率
G
= 2×我
GT
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
A / μs的
A
W
°C
°C
L01系列
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
请参考http://www.littelfuse.com的最新信息。
EV 1.0双向可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
EV系列1安培敏感的双向可控硅
电气特性
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
符号
I
GT
V
GT
I
H
dv / dt的
描述
直流门极触发电流
直流门极触发电压
保持电流
爆击率-OF-崛起
断态电压
危急
率的-崛起
整流电压
开启时间
TEST
条件
V
D
= 12V
R
L
= 60 Ω
象限
I – II – III
IV
所有
极限
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
价值
L0103xy
3
5
—
7
10
L0107xy
5
7
1.3
10
20
L0109xy
10
10
—
10
50
单位
mA
V
mA
V / μs的
门打开
T
J
= 110°C
V
D
= V
DRM
指数波形
门打开
（ di / dt的）C = 0.54A / MS
T
J
= 110°C
I
G
= 25毫安
PW =为15μs
I
T
= 1.2A （ PK）
（ dv / dt的）C
分钟。
0.5
1.0
2.0
V / μs的
T
gt
马克斯。
2.0
2.0
2.0
μs
注：X =电压， Y =包
静态特性
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
符号
V
TM
I
DRM
描述
峰值通态电压
断态电流，峰值重复
测试条件
I
TM
= 1.4A （ PK）
V
D
= V
DRM
T
J
= 25°C
V
D
= V
DRM
T
J
= 125°C
极限
最大
最大
价值
1.60
5
500
单位
V
μA
μA
热阻
符号
R
日（J -C ）
描述
结到外壳（ AC）
测试条件
I
T
= 1.0A
(RMS)1
TO-92
SOT-223
TO-92
SOT-223
价值
50
23
100
55
单位
° C / W
R
号（j -a）的
1
结到环境
I
T
= 1.0A
(RMS)1
° C / W
60Hz的交流电阻性负载条件下， 100％的导通。
L01系列
44
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2008 Littelfuse公司
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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TECCOR
品牌晶闸管
EV系列1安培敏感的双向可控硅
图1 ：象限德网络nition
图2 ：归直流栅极触发电流为
所有象限 - 结温
3.0
所有的极性是MT1 REFERENCED
MT2正
（正半周）
MT2
(
-
)
+
MT2
MT1
MT1
I
GT
I
GT
门
(+)
I
GT
门
I
GT
(T
J
= 25°C)
2.0
I
GT
+
MT2
I
GT
门
I
GT
比
-
(
-
)
REF
MT2
I
GT
门
MT1
REF
QII齐
QIII QIV
(+)
REF
1.0
0.0
MT2负
（负半周）
-
MT1
REF
-40
-15
+25
+65
+105
+125
结温（T
J
)- C
图3 ：归DC控股电流
- 结温
3.0
图4 ：归直流栅极触发电压
所有象限 - 结温
2.00
初始通态电流=百毫安（ DC ）
2.5
1.75
V
GT
(T
J
= 25°C)
I
H
(T
J
= 25°C)
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
2.0
1.5
比
1.0
0.5
0.0
-55
-40
-15
+5
+25
+45
+65
+85
+105
+125
比
V
GT
I
H
0.0
-55
-40
-15
+5
+25
+45
+65
+85
+105
+125
结温（T
J
)- C
结温（T
J
)- °C
图5 ：功耗（典型值）
VS. RMS通态电流
2.00
图6 ：最大允许外壳温度
与通态电流
最大允许外壳温度（T
C
) - C
130
125
120
110
100
90
80
70
60
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
TO-92
SOT-223
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
外壳温度：测量
在三维图中所示
通态平均功耗
[P
D（ DAV ）
] - 沃茨
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.0
0.0
0.1
0.2
0.3
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
2008 Littelfuse公司
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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修订日期： 2008年7月9日
L01系列
EV 1.0双向可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
EV系列1安培敏感的双向可控硅
图7 ：浪涌峰值通态电流与周期数
20
峰值浪涌（不重复）通态电流
(I
TSM
） - 安培。
15
12
10
9
8
7
6
5
4
3
电源频率： 60Hz的正弦
负载：阻性
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] ：最大额定值，在特定网络
外壳温度
注意事项：
1.门控制可以在立即丢失
以下浪涌电流的时间间隔。
2.超载，不得重复进行，直到结
温度恢复到稳态额定值。
1A
开发
冰
2
1
1
2
3
4
5
6 7 8 9 10
20
30
40
60 80 100
200
300 400 60 0
1 00 0
浪涌电流持续时间 - 完整周期
焊接参数
再溢流条件
- 最低温度（T
秒（分钟）
)
前热火
- 最高温度（T
S（ MAX）的
)
- 时间（最小至最大） （T
s
)
平均倾斜上升率（液相线温度）
(T
L
）峰
T
S（ MAX）的
给T
L
- 升温速率
再溢流
- 温度（T
L
） （液相）
- 时间（最小至最大） （T
s
)
铅 - 免费装配
T
P
温度
150°C
200°C
60 - 180秒
5 ° C /秒
5 ° C /秒
217°C
60 - 150秒
260
+0/-5
t
P
斜升
T
L
T
S（ MAX）的
预热
t
L
斜坡-DO
减速
T
秒（分钟）
t
S
25
时间到峰值温度
时间
峰值温度（T
P
)
在5 ℃，实际峰值的时间
温度（T
p
)
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度（T
P
)
不超过
°C
20 - 40秒
5 ° C /秒
最多8分钟。
280°C
L01系列
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2008 Littelfuse公司
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品牌晶闸管
EV系列1安培敏感的双向可控硅
身体特定网络阳离子
终端完成
机身材质
铅材料
100 ％雾锡电镀。
UL认可的环氧会议FL可燃性
分类科幻阳离子94V- 0 。
铜合金
环境特定网络阳离子
TEST
AC阻塞
说明和条件
MIL -STD - 750 ， M- 1040 ，电导率一个应用
峰值AC电压在125 ℃下1008小时
MIL -STD - 750 ， M- 1051 ，
100次; -40 ° C至+ 150°C ; 15分钟
停留时间
温度循环
设计注意事项
仔细选择正确的设备的应用程序的
运行参数和环境将很长的路要走
向延伸的所述晶闸管的运行寿命。良好
设计实践中应限制的最大连续
当前通过主终端设备的75％
投资评级。其他的方式来确保长寿命的功率分立
半导体是适当的散热和选择
额定电压为最坏的情况下。过热，
过电压（包括的dv / dt ） ，和浪涌电流
半导体的主要杀手。正确的安装，
焊接和引线的形成也有助于保护
对组件损坏。
高温存储
低温度贮藏
MIL -STD - 750 ， M- 1031 ，
1008小时; 150℃
1008小时; -40°C
MIL -STD - 750 ， M- 1056
10个循环; 0 ℃至100 ℃; 5分钟dwell-
时间在各温度下10秒（最大）
温度之间传输的时间
EIA / JEDEC ， JESD22- A102
168小时（ 121 ℃下以2的自动取款机），并
100 ％R / H
MIL- STD- 750方法2031
ANSI / J- STD- 002 ，类别3 ，试验A
MIL -STD - 750 ， M- 2036电导率é
热冲击
高压灭菌器
耐
焊锡热
可焊性
引脚弯曲
尺寸 - TO- 92 （E封装）
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
英寸
民
0.175
0.170
0.500
0.135
0.125
0.080
0.016
0.045
0.095
0.015
典型值
—
—
—
0.165
—
0.095
—
0.050
0.100
—
最大
0.205
0.210
—
—
0.165
0.105
0.021
0.055
0.105
0.020
民
4.450
4.320
12.700
3.430
3.180
2.040
0.407
1.150
2.420
0.380
MILLIMETERS
典型值
—
—
—
4.190
—
2.400
—
1.270
2.540
—
最大
5.200
5.330
—
—
4.190
2.660
0.533
1.390
2.660
0.500
2008 Littelfuse公司
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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修订日期： 2008年7月9日
L01系列
EV 1.0双向可控硅
温度/
湿度
EIA / JEDEC ， JESD22- A101
1008小时; 320V - 直流： 85°C ; 85 ％
相对湿度
TECCOR
品牌晶闸管
EV系列1安培敏感的双向可控硅
HF
L01系列
描述
新的1安培双向固态开关系列产品
直接接口到经济的微处理器驱动程序
TO- 92和表面贴装封装。模电压
堵结玻璃钝化，以确保长期的
可靠性和参数的稳定性。
特点
符合RoHS标准，
无卤
阻断电压（V
DRM
)
能力 - 高达800V
静态dv / dt的> 20伏/
微秒
通孔和表面
贴装封装
主要特点
符号
I
T（ RMS ）
V
DRM
/V
RRM
I
GT
价值
1
400至800
3至10个
单位
A
V
mA
浪涌能力>
10Amps
应用
在L01 EV系列是专门为白色家电设计
应用，例如在洗衣机中的阀门控制
以及更换机械和混合继电器哪里
长寿命是必需的。
原理图符号
MT2
G
MT1
绝对最大额定值
符号
I
T（ RMS ）
RMS通态电流
（全正弦波）
不重复浪涌峰值通态电流
（单周期，T
J
初始= 25 ° C）
I
2
为融合吨价
参数
TO-92
SOT-223
TO-92
SOT-223
t
p
= 10毫秒
t
p
= 8.3毫秒
TO-92
SOT-223
t
p
= 10 μs
T
C
= 50°C
T
L
= 90°C
F = 50赫兹
F = 60赫兹
F = 50赫兹
F = 60赫兹
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
价值
1.0A
10
A
12
0.50
0.59
20
1
0.1
-40至150
-40至125
2011 Littelfuse的，公司
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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单位
A
I
TSM
I
2
t
A
2
s
的di / dt
I
GTM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
J
L01系列
通态电流I的临界上升率
G
= 2×我
GT
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
43
修订日期： 2011年6月21日下午4时14分
A / μs的
A
W
°C
°C
TECCOR
品牌晶闸管
EV系列1安培敏感的双向可控硅
电气特性
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
符号
I
GT
V
GT
I
H
dv / dt的
描述
直流门极触发电流
直流门极触发电压
保持电流
爆击率-OF-崛起
断态电压
危急
率的-崛起
整流电压
开启时间
TEST
条件
V
D
= 12V
R
L
= 60 Ω
象限
I – II – III
IV
所有
极限
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
价值
L0103xy
3
5
—
7
10
L0107xy
5
7
1.3
10
20
L0109xy
10
10
—
10
50
单位
mA
V
mA
V / μs的
门打开
T
J
= 110°C
V
D
= V
DRM
指数波形
门打开
（ di / dt的）C = 0.54A / MS
T
J
= 110°C
I
G
= 25毫安
PW =为15μs
I
T
= 1.2A （ PK）
（ dv / dt的）C
分钟。
0.5
1.0
2.0
V / μs的
T
gt
马克斯。
2.0
2.0
2.0
μs
注：X =电压， Y =包
静态特性
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
符号
V
TM
I
DRM
描述
峰值通态电压
断态电流，峰值重复
测试条件
I
TM
= 1.4A （ PK）
V
D
= V
DRM
T
J
= 25°C
V
D
= V
DRM
T
J
= 125°C
极限
最大
最大
价值
1.60
5
500
单位
V
μA
μA
热阻
符号
R
日（J -C ）
描述
结到外壳（ AC）
测试条件
I
T
= 1.0A
(RMS)1
TO-92
SOT-223
TO-92
SOT-223
价值
50
23
100
55
单位
° C / W
R
号（j -a）的
1
结到环境
I
T
= 1.0A
(RMS)1
° C / W
60Hz的交流电阻性负载条件下， 100％的导通。
L01系列
44
修订日期： 2011年6月21日下午4时14分
2011 Littelfuse的，公司
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
请参考http://www.littelfuse.com的最新信息。
TECCOR
品牌晶闸管
EV系列1安培敏感的双向可控硅
图1 ：象限德网络nition
图2 ：归直流栅极触发电流为
所有象限 - 结温
3.0
所有的极性是MT1 REFERENCED
MT2
(
-
)
MT2正
（正半周）
+
MT2
MT1
MT1
I
GT
+
MT2
(
-
)
I
GT
比
-
I
GT
门
REF
QII齐
QIII QIV
(+)
REF
MT2
I
GT
门
MT1
REF
I
GT
I
GT
门
(+)
I
GT
门
I
GT
(T
J
= 25°C)
2.0
1.0
MT1
REF
0.0
-40
-15
+25
+65
+105
+125
MT2负
（负半周）
-
结温（T
J
)- C
图3 ：归DC控股电流
- 结温
3.0
图4 ：归直流栅极触发电压
所有象限 - 结温
2.00
初始通态电流=百毫安（ DC ）
2.5
1.75
2.0
V
GT
(T
J
= 25°C)
I
H
(T
J
= 25°C)
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
1.5
比
1.0
0.5
0.0
-55
-40
-15
+5
+25
+45
+65
+85
+105
+125
比
V
GT
I
H
0.0
-55
-40
-15
+5
+25
+45
+65
+85
+105
+125
结温（T
J
)- C
结温（T
J
)- °C
图5 ：功耗（典型值）
VS. RMS通态电流
2.00
图6 ：最大允许外壳温度
与通态电流
最大允许外壳温度（T
C
) - C
130
125
120
110
100
90
80
70
60
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
TO-92
SOT-223
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
外壳温度：测量
在三维图中所示
通态平均功耗
[P
D（ DAV ）
] - 沃茨
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.0
0.0
0.1
0.2
0.3
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 360
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] - 安培
L01系列
45
修订日期： 2011年6月21日下午4时14分
2011 Littelfuse的，公司
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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TECCOR
品牌晶闸管
EV系列1安培敏感的双向可控硅
图7 ：浪涌峰值通态电流与周期数
20
峰值浪涌（不重复）通态电流
(I
TSM
） - 安培。
15
12
10
9
8
7
6
5
4
3
电源频率： 60Hz的正弦
负载：阻性
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] ：最大额定值，在特定网络
外壳温度
注意事项：
1.门控制可以在立即丢失
以下浪涌电流的时间间隔。
2.超载，不得重复进行，直到结
温度恢复到稳态额定值。
1A
开发
冰
2
1
1
2
3
4
5
6 7 8 9 10
20
30
40
60 80 100
200
300 400 60 0
1 00 0
浪涌电流持续时间 - 完整周期
焊接参数
再溢流条件
- 最低温度（T
秒（分钟）
)
前热火
- 最高温度（T
S（ MAX）的
)
- 时间（最小至最大） （T
s
)
平均倾斜上升率（液相线温度）
(T
L
）峰
T
S（ MAX）的
给T
L
- 升温速率
回流
- 温度（T
L
） （液相）
- 时间（最小至最大） （T
s
)
铅 - 免费装配
T
P
温度
t
P
斜升
150°C
200°C
60 - 180秒
5 ° C /秒
5 ° C /秒
217°C
60 - 150秒
260
+0/-5
T
L
T
S（ MAX）的
t
L
预热
斜坡-DO
减速
T
秒（分钟）
t
S
时间到峰值温度
25
时间
峰值温度（T
P
)
在5 ℃，实际峰值的时间
温度（T
p
)
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度（T
P
)
不超过
°C
20 - 40秒
5 ° C /秒
最多8分钟。
280°C
L01系列
46
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物理规格
终端完成
机身材质
铅材料
100 ％雾锡电镀。
UL认证的环氧树脂阻燃会议
分类科幻阳离子94V- 0 。
铜合金
环境特定网络阳离子
TEST
AC阻塞
温度循环
温度/
湿度
规格和条件
MIL -STD - 750 ， M- 1040 ，电导率一个应用
峰值AC电压在125 ℃下1008小时
MIL -STD - 750 ， M- 1051 ，
100次; -40 ° C至+ 150°C ; 15分钟
停留时间
EIA / JEDEC ， JESD22- A101
1008小时; 320V - 直流： 85°C ; 85 ％
相对湿度
MIL -STD - 750 ， M- 1031 ，
1008小时; 150℃
1008小时; -40°C
MIL -STD - 750 ， M- 1056
10个循环; 0 ℃至100 ℃; 5分钟dwell-
时间在各温度下10秒（最大）
温度之间传输的时间
EIA / JEDEC ， JESD22- A102
168小时（ 121 ℃下以2的自动取款机），并
100 ％R / H
MIL- STD- 750方法2031
ANSI / J- STD- 002 ，类别3 ，试验A
MIL -STD - 750 ， M- 2036电导率é
设计注意事项
仔细选择正确的设备的应用程序的
运行参数和环境将很长的路要走
向延伸的所述晶闸管的运行寿命。良好
设计实践中应限制的最大连续
当前通过主终端设备的75％
投资评级。其他的方式来确保长寿命的功率分立
半导体是适当的散热和选择
额定电压为最坏的情况下。过热，
过电压（包括的dv / dt ） ，和浪涌电流
半导体的主要杀手。正确的安装，
焊接和引线的形成也有助于保护
对组件损坏。
高温存储
低温度贮藏
热冲击
高压灭菌器
耐
焊锡热
可焊性
引脚弯曲
尺寸 - TO- 92 （E封装）
A
T
C
测量点
尺寸
A
B
英寸
民
0.175
0.170
0.500
0.135
0.125
0.080
0.016
0.045
0.095
0.015
0.165
0.105
0.021
0.055
0.105
0.020
最大
0.205
0.210
MILLIMETERS
民
4.450
4.320
12.70
3.430
3.180
2.040
0.407
1.150
2.420
0.380
4.190
2.660
0.533
1.390
2.660
0.500
最大
5.200
5.330
B
座位
飞机
C
D
C
门
E
F
G
G
MT1
H
I
D
MT2
H
I
J
J
F
F
E
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