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SMD型
晶体管
表面贴装型PNP硅晶体管
KXT5401
(CXT5401)
SOT-89
+0.1
4.50
-0.1
+0.1
1.50
-0.1
单位：mm
1.80
+0.1
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
+0.1
0.48
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
大电流（最大500mA电流） 。
低电压（最大150V） 。
+0.1
4.00
-0.1
特点
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
3.00
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
2.收集
3. Emiitter
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
功耗
热电阻Junction-到环境
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
R
JA
等级
-160
-150
-5
-500
1.2
104
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
W
/W
T
j
T
英镑
电气特性TA = 25
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
C
=-100
A
Testconditons
民
-160
-150
-5.0
-50
-50
50
60
50
-0.2
-0.5
-1.0
-1.0
6.0
100
300
V
V
V
V
pF
兆赫
240
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
A
I
C
=-1.0mA
I
E
=-10
A
V
CB
= - 120 V，I
E
= 0
V
CB
= - 120 V ，T
A
=100
I
C
= -1.0毫安; V
CE
= -5.0 V
直流电流增益
h
FE
I
C
= -10mA ; V
CE
=- 5.0V
I
C
= -50毫安; V
CE
= -5.0V
集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= - 10毫安;我
B
= -1.0mA
I
C
= -50毫安;我
B
= -5.0mA
基地发射极饱和电压
输出电容
跃迁频率
V
BE （ SAT ）
C
ob
f
T
I
C
= -10毫安;我
B
= -1.0mA
I
C
= -50毫安;我
B
= - 5.0毫安
V
CB
= -10 V，I
E
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
C
= -10毫安; V
CE
= -10V ; F = 100 MHz的
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K6F2016R4G-F
KT86X
KHC250E685M43N0T00
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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