内存模块规格
KVR8X72V84-50EG
EDO内存模块
描述：
本文档介绍的ValueRAM的8M X 72位（ 64MB ） 168针DIMM （双
IN- LINE
内存模块）。
该模块上的组件包括9 EDO （扩展
数据输出）
8M
在TSOP封装×8位的DRAM（ 4K刷新）和SSOP封装2个16位的驱动程序。这为50ns
DIMM是一个3.3伏的设计与黄金接触的手指。电气和机械规格
如下：
产品特点：
时序参数
RAS访问时间（t
RAC
)
列地址访问时间（t
AA
)
周期时间（t
RC
)
超页面周期时间（t
HPC
)
脉冲宽度（T
RAS
)
单电源
低功耗
UL等级
0.078 2 PLCS
0.040 2 PLCS
168
85
50ns
50ns
25ns
84ns
20ns
为50ns （分钟）
10,000ns （最大）
+3.3V (+/- 0.3V)
4.110 W（工作）
31.5毫瓦（最大待机）
94 V - 0
注意：
所有的测量都在小数英寸。
1.150
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
0.700
0.000
1
8M ×8 TSOJ
84
0.000
0.040
0.925
2.625
图1： KVR8X72V84-50EG
产品型号VALUERAM0101-001.A00
01/18/01
5.250
内存模块规格
KVR8X72V84-50EG
EDO内存模块
描述：
本文档介绍的ValueRAM的8M X 72位（ 64MB ） 168针DIMM （双
IN- LINE
内存模块）。
该模块上的组件包括9 EDO （扩展
数据输出）
8M
在TSOP封装×8位的DRAM（ 4K刷新）和SSOP封装2个16位的驱动程序。这为50ns
DIMM是一个3.3伏的设计与黄金接触的手指。电气和机械规格
如下：
产品特点：
时序参数
RAS访问时间（t
RAC
)
列地址访问时间（t
AA
)
周期时间（t
RC
)
超页面周期时间（t
HPC
)
脉冲宽度（T
RAS
)
单电源
低功耗
UL等级
0.078 2 PLCS
0.040 2 PLCS
168
85
50ns
50ns
25ns
84ns
20ns
为50ns （分钟）
10,000ns （最大）
+3.3V (+/- 0.3V)
4.110 W（工作）
31.5毫瓦（最大待机）
94 V - 0
注意：
所有的测量都在小数英寸。
1.150
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
8M ×8 TSOJ
0.700
0.000
1
8M ×8 TSOJ
84
0.000
0.040
0.925
2.625
图1： KVR8X72V84-50EG
产品型号VALUERAM0101-001.A00
01/18/01
5.250
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