内存模块规格
KVR266X72C2/256
CL2 DDR266 SDRAM 184针ECC
双列直插式内存模块（DIMM ）
描述：
本文档介绍的ValueRAM的32M X 72位（ 256MB ） ， CAS延迟时间2 （ CL2 ）
SDRAM （同步DRAM） DDR266 ECC内存模块。这个组件
模块包括18 16M ×8位（ 4M ×8位×4行/ 133MHz的， 7.5ns ， CL2
组件） DDR SDRAM的TSOP封装。这184针DIMM采用金触点
手指和要求+ 2.5V 。电气和机械规格如下：
产品特点：
时钟周期（ TCK ）
行周期时间（t
RC
)
刷新行周期时间（ tRFC ）
行活动时间（ tRAS的）
单电源
功率（ IDD1 ）
UL等级
7.5ns （分钟） /为12ns （最大）
65ns （分钟）
75ns （分钟）
为45nS （分钟） / 120Kns （最大）
+2.5V (+/- .25V)
3.937 W（工作）
94 V - 0
注意：
本数据表中定义的模块是根据这部分数量的可用几种配置之一。而
所有的配置是兼容的，在DRAM的组合和/或所述模块的高度可从所描述变化
这里。然而，在没有配置将模块高度超过1.250" （ 31.75毫米） 。
1.250
(31.75)
(17.80)
0.700
0.393
(10.00)
0.000
(00.00)
1
单位：英寸（毫米）
(2.50 )
0.26
(6.62)
0.100
0.250
(6.350)
0.157
(4.00)
0.1496
(3.80)
0.039
±
0.002
(1.000
±
0.050)
0.0787
(2.00)
0.0078 ±0.006
(0.20
±0.15)
0.050
(1.270)
0.1575
(4.00)
0.118
(3.00)
2.175
0.071
(1.80)
图1 ： KVR266X72C2 / 256 184针DDR SDRAM模块
文档编号VALUERAM0235-001.A00
03/12/02
5.250
(133.35)
0.000
(00.00)
2.886
(73.30)
QQ：2881677436 复制
