KV1913A通GC1310
微波产品划分
增强性能
表面安装"EPSM"封装器件
产品预览
描述
主要特点
！ "
频率范围VHF至6
GHz的
！ "
更低的寄生效应
！ "
高档陶瓷/环氧树脂
米尔
齐建设
！ "
致密的SiO2结
钝化
！ "
优
一致性/可重复性
！ "
可用于足迹
SOT-23/SOD-323/SOD-123
！ "
售价为商业
制品
！ "
磁带&卷轴卷
挑&广场
应用/优势
应用/ BENEFIT S
！ "
高性能无线
表面安装，包括：
！ "
GSM
！ "
标签
！ "
WANS
！ "
个
！ "
安培
！ "
DECT
！ "
CELLULAR
W W W .
Microsemi的
.COM
我们EPSM封装器件是专为要求最苛刻的
商用和军用需求，其中的不一致性
性能固有的塑料表面贴装封装不能
耐受性。这些封装形式延伸的表面贴装结构
格式到6GHz的高性能无线应用，包括
VCO的，限幅器，PIN开关和衰减器引脚。从选择变容二极管
三个家庭的C / V曲线到6 GHz的设计。它们可用
在多芯片配置以及轮廓直接替换
SOT -23和SOD- 323设备。其他设备和值始终
可用 - 联系我们的应用工程部门更
详细信息。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
KV1913A通GC1310
KV1913A通GC1310
版权
2000
MSC1375.PDF 2000年11月6日
Microsemi的
微波产品划分
75技术驱动，洛厄尔，MA 。 01851 ， 978-442-5600 ，传真： 978-937-3748
第1页
KV1913A通GC1310
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增强性能
表面安装"EPSM"封装器件
产品预览
增强性能
表面安装"EPSM"变容二极管
KV1900A SUPER超突变可变电抗器1 - 8 VOLT高灵敏度VCO的
W W W .
Microsemi的
.COM
模型
KV1913A
KV1953A
KV1923A
KV1933A
KV1943A
KV1963A
KV1973A
KV1983A
KV1993A
C
T1
> 36 pF的
> 26 pF的
> 17 pF的
> 13 pF的
> 9 pF的
> 4 pF的
> 1.8 pF的
> 1.2 pF的
> 0.6 pF的
C
T2.5
18 - 27 pF的
13 - 20 pF的
8.5 - 13 pF的
6.5 - 10 pF的
4.5 - 6.5 pF的
2.0 - 3.0 pF的
1.1 - 1.5 pF的
0.8 - 1.1 pF的
0.5 - 0.8 pF的
C
T4
< 12.0 pF的
< 9.0 pF的
< 6.0 pF的
< 4.5 pF的
< 3.0 pF的
< 1.5 pF的
< 0.8 pF的
< 0.6 pF的
< 0.4 pF的
C
T8
< 6.20 pF的
< 4.70 pF的
< 3.20 pF的
< 2.70 pF的
< 1.70 pF的
< 1.00 pF的
< 0.55 pF的
< 0.45 pF的
< 0.35 pF的
Q（ 4V / 50MHZ ）
400
500
600
750
900
1200
1400
1600
1800
°
额定值： V
B
@ 10μA>12V我
R
@ 10V <50 nA的25°C
KV2100微波超突变可变电抗器2 - 15伏宽的带宽VCO的
模型
KV2163
KV2153
KV2143
KV2133
KV2123
KV2113
C
T0最大
26 pF的
13.5 pF的
7 pF的
5 pF的
3 pF的
2 pF的
C
T4
8.75 - 10.80 pF的
4.45 - 5.50 pF的
2.65 - 3.30 pF的
1.75 - 2.20 pF的
1.30 - 1.65 pF的
0.85 - 1.10 pF的
C
T20 MAX
2.50 pF的
1.30 pF的
0.90 pF的
0.70 pF的
0.55 pF的
0.45 pF的
Q（ 4V / 50MHZ ）
＆ GT ; 400
> 600
> 700
> 850
＆ GT ; 1000
> 1200
额定值： V
B
@ 10μA>22V我
R
@ 20V <50 nA的25°C
°
GC1300微波突发性的变容二极管
0-30 VOLT中等带宽的低噪声VCO的
模型
GC1300
GC1301
GC1302
GC1303
GC1304
GC1305
GC1306
GC1307
GC1308
GC1309
GC1310
C
T0/CT4
＆ GT ; 1.5
> 1.6
> 1.7
> 1.8
> 1.9
> 2.0
> 2.0
> 2.1
> 2.1
> 2.1
> 2.1
C
T4 ± 10%
0.8 pF的
1.0 pF的
1.2 pF的
1.5 pF的
1.8 pF的
2.2 pF的
2.7 pF的
3.3 pF的
3.9 pF的
4.7 pF的
5.6 pF的
C
T4/
C
T30
> 1.45
> 1.55
> 1.60
> 1.65
> 1.70
> 1.75
> 1.80
> 1.85
> 1.85
> 1.85
> 1.85
Q（ 4V / 50MHZ ）
> 3900
> 3800
> 3700
> 3600
> 3500
> 3400
> 3300
> 3100
> 2700
> 2600
> 2500
ELECTRICALS
ELECTRICALS
额定值： V
B
@ 10μA>30V我
R
@ 25V <50 nA的25°C
°
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2000
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微波产品划分
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增强性能
表面安装"EPSM"封装器件
产品预览
EPSM可用的配置
图1外形风格150 （ X）
图2外形风格154
W W W .
Microsemi的
.COM
图3外形风格250 （ X）
图4外形风格254
图5外形风格350 （ X）
图6外形风格252A
包数据
包数据
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2000
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微波产品划分
增强性能
表面安装"EPSM"封装器件
产品预览
W W W .
Microsemi的
.COM
笔记
笔记
版权
2000
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KV1913A - GC1310
TM
增强性能表面贴装
EPSM 超突变变容二极管
符合RoHS
描述
我们EPSM封装器件是专为要求最苛刻的
商用和军用要求的地方不一致
性能固有的塑料表面贴装封装不能
耐受性。这些封装形式延伸表面贴装
建筑形式到6 GHz的高性能无线
应用程序。从C / V曲线，三个家庭的选择变容二极管
设计至6 GHz的。它们在多个芯片提供
配置以及轮廓直接取代SOT23和
SOD323设备。其他设备和值始终可用。
联系我们的应用工程部门了解详细信息。
主要特点
电容范围宽
值
对于频率从VHF到6
GHz的
更低的寄生效应
卓越的一致性/可重复性
足迹可用于SOT23 /
SOD323/SOD123
可用配置的几十个
军用级陶瓷/环氧树脂
汞合金
磁带&卷轴可供挑选和
地方议会
符合RoHS
1
www.Microsemi.com
应用
指定EPSM包款式450A或454。对于3终端款式454 ，
请参阅配置页。例如： GC1503-454-4是一种常见的
阴极双突变结变容二极管具有1.5 pF的电容
@ 4V （每台设备） ;为2终端样式450A ，参阅概要
维度表。例如： GC1503-450A是单突变结
变容二极管具有1.5 pF的电容4V在0604足迹。
应用/优势
高性能无线
表面贴装选项
GSM ，标签，广域网， PCS
宽带VCO的应用
电压调谐滤波器
压控石英振荡器
绝对最大额定值在25°
（除非另有规定编）
等级
最大漏电流
@ 80 ％的最低额定V
B
储存温度
工作温度
符号
I
R
T
英镑
T
OP
价值
50
-55到+125
-55到+125
单位
nA
EPSM变容二极管
EPSM变容二极管
C
C
重要提示：
有关最新资料，请咨询我们的网站：
www.Microsemi.com
规格如有变更。咨询工厂的最新信息
.
这些设备ESD敏感，必须使用防静电措施进行处理。
1
的EPSM产品与供给
符合RoHS标准黄金光洁度
.
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2007
冯： 2009-01-19
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微波产品
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TM
增强性能表面贴装
EPSM 超突变变容二极管
符合RoHS
KV1900 SUPER超突变变容二极管
1-8 VOLT高灵敏度VCO的
.
电气参数@ 25 ° C（除非另有说明）
型号
KV1913A
KV1953A
KV1923A
KV1933A
KV1943A
KV1963A
KV1973A
KV1983A
KV1993A
V
B
(V)
IR=10μA
（分钟）
12
12
12
12
12
12
12
12
12
C
T
（PF ）
@1V
（分钟）
36.0
26.0
17.0
13.0
9.0
4.0
1.8
1.2
0.6
C
T
（PF ）
@2.5V
18 – 27
13 – 20
8.5 – 13
6.5 – 10
4.5 – 6.5
2.0 – 3.0
1.1 – 1.5
0.8 – 1.1
0.5 – 0.8
C
T
（PF ）
@4V
（最大）
12.0
9.0
6.0
4.5
3.0
1.5
0.8
0.6
0.4
C
T
（PF ）
@8V
（最大）
6.20
4.70
3.20
2.70
1.70
1.00
0.55
0.45
0.35
Q
@ 4V ， 50兆赫
（分钟）
400
500
600
750
900
1200
1400
1600
1800
www.Microsemi.com
KV2100微波超突变变容二极管
2-15伏宽的带宽VCO的
电气参数@ 25 ° C（除非另有说明）
型号
KV2163
KV2153
KV2143
KV2133
KV2123
KV2113
V
B
(V)
IR=10μA
（分钟）
22
22
22
22
22
22
C
T
（PF ）
@0V
（典型值）
26.0
14.0
7.0
5.0
3.0
2.0
C
T
（PF ）
@4V
8.75 – 10.80
4.45 – 5.50
2.65 – 3.30
1.75 – 2.20
1.30 – 1.65
0.85 – 1.10
C
T
（PF ）
@20V
1.85 – 2.50
0.85 – 1.30
0.65 – 0.90
0.50 – 0.70
0.40 – 0.55
0.30 – 0.45
Q
@ 4V ， 50兆赫
（分钟）
400
600
700
850
1000
1200
GC1300微波突发性的变容二极管
0-30 VOLT中等带宽的低噪声VCO的
电气参数@ 25 ° C（除非另有说明）
型号
GC1300
GC1301
GC1302
GC1303
GC1304
GC1305
GC1306
GC1307
GC1308
GC1309
GC1310
V
B
(V)
IR=10μA
（分钟）
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
C
T
（PF ）
@4V
(+/-10%)
0.8
1.0
1.2
1.5
1.8
2.2
2.7
3.3
3.9
4.7
5.6
比
C
T 0
/ C
T 4
（分钟）
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.0
2.1
2.1
2.2
2.2
比
C
T 4
/ C
T30
（分钟）
1.45
1.55
1.60
1.65
1.70
1.75
1.80
1.85
1.90
1.95
2.00
Q
@ 4V ， 50兆赫
（分钟）
3900
3800
3700
3600
3500
3400
3300
3100
2700
2600
2500
ELECTRICALS
ELECTRICALS
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2007
冯： 2009-01-19
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微波产品
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增强性能表面贴装
EPSM 超突变变容二极管
符合RoHS
机械选项
EPSM产品是在广泛的机械配置。标准的封装形式是450
系列。这个系列有多种尺寸可供选择，以适应内部芯片配置。的450A是最
常见的配置单二极管应用。 454系列包装风格是一个三端配置
设计容纳2芯片的“ T”型和共阳极/阴极的设计。有了统一的“平顶”建设，
450系列EPSM产品非常适合用于磁带和卷轴/自动装配。
150系列EPSM产品有一个'圆顶封装体的建设，并在更小的体积通常用来
应用程序。
www.Microsemi.com
包装样式150X
包装STYE 450X
封装类型154
包装STYPE 454
机械
机械
包设计有环绕式金属化堞优越的组装结果。
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