【半导体技术参数一般工业用途。超高速开关应用。特点其中包括两名（ TR ，二极管）的TSV设备。（薄超】,IC型号KTX411T,KTX411T PDF资料,KTX411T经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

一般工业用途。

超高速开关应用。

特点

其中包括两名（ TR ，二极管）的TSV设备。

（薄超级迷你型5针）

简化电路设计。

减少零件和制造工艺的数量。

A

F

G

1

KTX411T

外延平面NPN晶体管

硅外延平面型二极管

E

B

5

DIM毫米

_

A

2.9 + 0.2

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

1.6+0.2/-0.1

_

0.70 + 0.05

_

0.4 + 0.1

2.8+0.2/-0.3

_

1.9 + 0.2

0.95

_

0.16 + 0.05

0.00-0.10

0.25+0.25/-0.15

0.60

0.55

2

3

4

G

等效电路（顶视图）

C

J

I

5

4

记号

h

FE

秩

5

4

L

J

H

LOT号

1. D

1

2. Q

1

3. Q

1

4. Q

1

5. D

1

阳极

辐射源

BASE

集热器

阴极

D1

Q1

型号名称

C

1

2

3

1

2

3

TSV

MARK SPEC

KTX411T

TYPE

Q

1

h

FE

等级：Y

标志

CE

Q

1

h

FE

等级： GR

CF

KTX411T

最大额定值（ TA = 25

晶体管Q

1

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

发射极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

E

P

C

*

T

j

T

英镑

0.8

)

等级

30

20

5

1

-1

0.9

150

-55~150

单位

V

V

V

A

A

*封装安装在陶瓷基板（600

二极管D

1

特征

反向重复峰值电压

反向电压

平均正向电流

非重复性峰值浪涌电流

结温

储存温度

符号

V

RRM

V

R

I

O

I

FSM

T

j

T

英镑

等级

25

20

1.0

3

125

-55~125

D

单位

V

V

A

2002. 8. 13

版本号： 2

1/4

KTX411T

电气特性（ TA = 25 ）

晶体管Q

1

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

注）H

FE

分类

Y:120~240,

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

（1）（注）

h

FE

(2)

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

C

ob

GR ： 200 400 。

测试条件

V

CB

= 20V ，我

E

=0

V

EB

= 5V ，我

C

=0

V

CE

= 2V ，我

C

=50

V

CE

= 2V ，我

C

= 1A （脉冲）

I

C

=500 , I

B

=50

I

C

=500 , I

B

=50

V

CE

= 10V ，我

C

=50

V

CB

= 10V ，我

E

=0, f=1

分钟。

-

-

120

30

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

0.1

0.85

180

15

马克斯。

0.1

0.1

400

-

0.3

1.2

-

-

V

V

单元。

二极管D

1

特征

正向电压

反向电流

符号

V

F

I

R

I

F

=1.0A

V

R

=20V

测试条件

分钟。

-

-

典型值。

0.4

-

马克斯。

0.45

200

单元。

V

2002. 8. 13

版本号： 2

2/4

KTX411T

D

1

（二极管）

1

正向电流I

F

(A)

反向电流I

R

（MA ）

I

F

- V

F

10

10

1

100

10

1

0.1

2

I

R

- V

R

C

Ta=125

Ta=75

C

100m

=

Ta

Ta

=7

5

10m

Ta

=-

25

Ta

=2

5

12

C

C

C

5

C

C

Ta=25

C

Ta=-25

1m

0.1m

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0

10

20

30

40

正向电压V

F

(V)

反向电压V

R

(V)

Q

1

（ NPN晶体管）

800

集电极电流I

C

（MA ）

I

B

=10mA

I

B

=8mA

I

B

=6mA

I

C

- V

CE

1000

集电极电流I

C

（MA ）

50m

A

I

C

- V

CE

I

B

=30mA

I

B

=20mA

I

B

=15mA

I

B

=10mA

I

B

=8mA

I

B

=5mA

I

B

=3mA

600

I

B

=4mA

600

400

200

0

0

0.1

0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7

400

I

B

=2mA

200

I

B

=1mA

I

B

=0mA

I

B

=

800

I

B

=1mA

I

B

=0mA

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

0.8 0.9 1.0

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

I

C

- V

BE

集电极 - 发射极饱和

电压V

CE

(V)

1.4

集电极电流I

C

(A)

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

基极 - 发射极电压V

BE

(V)

V

CE

=2V

V

CE （ SAT ）

- I

C

2.0

1.0

0.5

0.3

0.1

0.05

0.03

0.01

10

I

C

/I

B

=10

30

100

300

1k

3k

10k

集电极电流I

C

（MA ）

2002. 8. 13

版本号： 2

3/4

KTX411T

f

T

- I

C

过渡频率f

T

（兆赫）

2K

1K

500

300

100

50

30

10

1

3

10

30

100

300

1k

集电极电流I

C

（MA ）

V

CE

=10V

h

FE

- I

C

500

300

直流电流增益

FE

100

50

30

10

5

3

1

1

3

10

30

100

300

1k

3k

10k

集电极电流I

C

（MA ）

V

CE

=2V

2002. 8. 13

版本号： 2

4/4

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