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首字符K的型号第186页
> KTX401U
半导体
技术参数
一般工业用途。
超高速开关应用。
特点
其中包括两名( TR ,二极管)在USV设备。
(超超级迷你型,5引线)
简化电路设计。
减少零件和制造工艺的数量。
KTX401U
外延平面NPN晶体管
硅外延平面型二极管
B
B1
1
5
2
3
4
D
暗淡
A
A1
B
B1
C
D
G
H
MILLIMETERS
_
2.00 + 0.20
_
+ 0.1
1.3
_
2.1 + 0.1
_
1.25 + 0.1
0.65
0.2+0.10/-0.05
0-0.1
_
0.9 + 0.1
0.15+0.1/-0.05
A1
C
等效电路(顶视图)
记号
5
4
型号名称
5
4
A
C
H
T
G
T
D1
Q1
CD
1
2
3
1
2
3
1. D
1
2. Q
1
3. Q
1
4. Q
1
5. D
1
阳极
辐射源
BASE
集热器
阴极
MARK SPEC
TYPE
标志
KTX401U
Q
1
h
FE
等级:Y
CD
KTX401U
Q
1
h
FE
等级: GR
CE
USV
最大额定值( TA = 25
晶体管Q
1
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
二极管D
1
特征
最大(峰值)反向电压
反向电压
最大(峰值)正向电流
平均正向电流
浪涌电流( 10毫秒)
功耗
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
150
30
100
150
-55~150
单位
V
V
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
D
T
j
T
英镑
等级
85
80
300
100
2
-
150
-55
150
单位
V
V
A
2002. 1. 24
版本号: 3
1/2
KTX401U
电气特性( TA = 25 )
晶体管Q
1
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
注)H
FE
分类Y( 4) : 120 240 ,
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
(注)
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
NF
GR : 200 400 。
测试条件
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 6V ,我
C
=2
I
C
=100 , I
B
=10
V
CE
= 10V ,我
C
=1
V
CB
= 10V ,我
E
=0, f=1
V
CE
= 6V ,我
C
=0.1
, f=1
, RG = 10
分钟。
-
-
120
-
80
-
-
典型值。
-
-
-
0.1
-
2.0
1.0
马克斯。
0.1
0.1
400
0.25
-
3.5
10
dB
V
单位
二极管D
1
特征
符号
V
F(1)
正向电压
V
F(2)
V
F(3)
反向电流
总电容
反向恢复时间
I
R
C
T
t
rr
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
V
R
=80V
V
R
=0, f=1
I
F
=10
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
0.60
0.72
0.90
-
0.9
1.6
马克斯。
-
-
1.20
0.5
3.0
4.0
V
单位
2002. 1. 24
版本号: 3
2/2
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KTX401U
PDF信息
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K6R1008C1D-TC10
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