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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第244页 > KTX311T
半导体
技术参数
一般工业用途。
超高速开关应用。
特点
其中包括两名（ TR ，二极管）的TSV设备。
（薄超级迷你型5针）
简化电路设计。
减少零件和制造工艺的数量。
A
F
G
1
KTX311T
外延平面PNP晶体管
硅外延平面型二极管
E
B
5
DIM毫米
_
A
2.9 + 0.2
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
1.6+0.2/-0.1
_
0.70 + 0.05
_
0.4 + 0.1
2.8+0.2/-0.3
_
1.9 + 0.2
0.95
_
0.16 + 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
2
3
4
G
等效电路（顶视图）
C
5
4
h
FE
秩
D1
Q1
5
4
J
LOT号
1. D
1
2. Q
1
3. Q
1
4. Q
1
5. D
1
阳极
辐射源
BASE
集热器
阴极
型号名称
C
1
2
3
1
2
3
MARK SPEC
KTX311T
TYPE
Q
1
h
FE
等级：Y
标志
CB
Q
1
h
FE
等级： GR
CC
KTX311T
最大额定值（ TA = 25
晶体管Q
1
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
*
T
j
T
英镑
0.8
)
等级
-30
-20
-5
-1
1
0.9
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
*封装安装在陶瓷基板（600
二极管D
1
特征
反向重复峰值电压
反向电压
平均正向电流
非重复性峰值浪涌电流
结温
储存温度
符号
V
RRM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
25
20
1.0
3
125
-55~125
2002. 8. 13
版本号： 2
I
记号
L
J
H
TSV
D
单位
V
V
A
1/4
KTX311T
电气特性（ TA = 25 ）
晶体管Q
1
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
注）H
FE
分类
Y:120~240,
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（1）（注）
h
FE
(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
GR ： 200 400 。
测试条件
V
CB
= -20V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -2V ，我
C
=-50
V
CE
= -2V ，我
C
= -1A （脉冲）
I
C
=-500
I
C
=-500
, I
B
=-50
, I
B
=-50
分钟。
-
-
120
30
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-0.15
-0.85
180
25
马克斯。
-0.1
-0.1
400
-
-0.3
-1.2
-
-
V
V
单元。
V
CE
= -10V ，我
C
=-50
V
CB
= -10V ，我
E
=0, f=1
二极管D
1
特征
正向电压
反向电流
符号
V
F
I
R
I
F
=1.0A
V
R
=20V
测试条件
分钟。
-
-
典型值。
0.4
-
马克斯。
0.45
200
单元。
V
2002. 8. 13
版本号： 2
2/4
KTX311T
D
1
（二极管）
1
正向电流I
F
(A)
I
F
- V
F
10
反向电流I
R
（MA ）
10
1
100
10
1
0.1
2
I
R
- V
R
Ta=125
Ta=75
C
100m
=
Ta
Ta
=7
5
10m
Ta
=-
25
Ta
=2
5
5
12
C
C
C
C
C
C
Ta=25
C
Ta=-25
1m
0.1m
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
10
20
30
40
正向电压V
F
(V)
反向电压V
R
(V)
Q
1
（ PNP晶体管）
I
C
- V
CE
-800
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=-10mA
I
B
=-8mA
I
B
=-6mA
I
C
- V
CE
-1000
=-5
0
A
m
20
mA
I
B
=
-10
-600
-800
-600
-400
-200
=-
I
B
I
B
0m
0mA
I
B
=-1
A
I
B
=-30mA
I
B
=-5mA
I
B
=-3mA
-400
I
B
=-4mA
I
B
=-2mA
I
B
=-1mA
-200
0
0
-1
-2
-3
-4
I
B
=0mA
I
B
=-1mA
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
-5
-6
-7
-8
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
I
C
- V
BE
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE
(V)
-1.4
集电极电流I
C
(A)
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
V
CE
=-2V
V
CE （ SAT ）
- I
C
-2.0
-1.0
-0.5
-0.3
-0.1
0.05
-0.03
-0.01
-10
I
C
/I
B
=10
-30
-100
-300
-1K
-3K
-10K
集电极电流I
C
（MA ）
2002. 8. 13
版本号： 2
3/4
KTX311T
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
2K
1K
500
300
100
50
30
10
-1
-3
-10
-30
-100
-300
-1K
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE
=-10V
h
FE
- I
C
-500
-300
直流电流增益
FE
-100
-50
-30
-10
-5
-3
-1
-1
V
CE
=-2V
-3
-10
-30
-100 -300
-1K
-3K
-10K
集电极电流I
C
（MA ）
2002. 8. 13
版本号： 2
4/4
半导体
技术参数
一般工业用途。
超高速开关应用。
特点
其中包括两名（ TR ，二极管）的TSV设备。
（薄超级迷你型5针）
简化电路设计。
减少零件和制造工艺的数量。
A
F
G
1
KTX311T
外延平面PNP晶体管
硅外延平面型二极管
E
B
5
DIM毫米
_
A
2.9 + 0.2
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
1.6+0.2/-0.1
_
0.70 + 0.05
_
0.4 + 0.1
2.8+0.2/-0.3
_
1.9 + 0.2
0.95
_
0.16 + 0.05
0.00-0.10
0.25+0.25/-0.15
0.60
0.55
2
3
4
G
等效电路（顶视图）
C
5
4
h
FE
秩
D1
Q1
5
4
J
LOT号
1. D
1
2. Q
1
3. Q
1
4. Q
1
5. D
1
阳极
辐射源
BASE
集热器
阴极
型号名称
C
1
2
3
1
2
3
MARK SPEC
KTX311T
TYPE
Q
1
h
FE
等级：Y
标志
CB
Q
1
h
FE
等级： GR
CC
KTX311T
最大额定值（ TA = 25
晶体管Q
1
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
*
T
j
T
英镑
0.8
)
等级
-30
-20
-5
-1
1
0.9
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
*封装安装在陶瓷基板（600
二极管D
1
特征
反向重复峰值电压
反向电压
平均正向电流
非重复性峰值浪涌电流
结温
储存温度
符号
V
RRM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
T
英镑
等级
25
20
1.0
3
125
-55~125
2002. 8. 13
版本号： 2
I
记号
L
J
H
TSV
D
单位
V
V
A
1/4
KTX311T
电气特性（ TA = 25 ）
晶体管Q
1
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
注）H
FE
分类
Y:120~240,
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（1）（注）
h
FE
(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
GR ： 200 400 。
测试条件
V
CB
= -20V ，我
E
=0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
CE
= -2V ，我
C
=-50
V
CE
= -2V ，我
C
= -1A （脉冲）
I
C
=-500
I
C
=-500
, I
B
=-50
, I
B
=-50
分钟。
-
-
120
30
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-0.15
-0.85
180
25
马克斯。
-0.1
-0.1
400
-
-0.3
-1.2
-
-
V
V
单元。
V
CE
= -10V ，我
C
=-50
V
CB
= -10V ，我
E
=0, f=1
二极管D
1
特征
正向电压
反向电流
符号
V
F
I
R
I
F
=1.0A
V
R
=20V
测试条件
分钟。
-
-
典型值。
0.4
-
马克斯。
0.45
200
单元。
V
2002. 8. 13
版本号： 2
2/4
KTX311T
D
1
（二极管）
1
正向电流I
F
(A)
I
F
- V
F
10
反向电流I
R
（MA ）
10
1
100
10
1
0.1
2
I
R
- V
R
Ta=125
Ta=75
C
100m
=
Ta
Ta
=7
5
10m
Ta
=-
25
Ta
=2
5
5
12
C
C
C
C
C
C
Ta=25
C
Ta=-25
1m
0.1m
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
10
20
30
40
正向电压V
F
(V)
反向电压V
R
(V)
Q
1
（ PNP晶体管）
I
C
- V
CE
-800
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=-10mA
I
B
=-8mA
I
B
=-6mA
I
C
- V
CE
-1000
=-5
0
A
m
20
mA
I
B
=
-10
-600
-800
-600
-400
-200
=-
I
B
I
B
0m
0mA
I
B
=-1
A
I
B
=-30mA
I
B
=-5mA
I
B
=-3mA
-400
I
B
=-4mA
I
B
=-2mA
I
B
=-1mA
-200
0
0
-1
-2
-3
-4
I
B
=0mA
I
B
=-1mA
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
-5
-6
-7
-8
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
I
C
- V
BE
集电极 - 发射极饱和
电压V
CE
(V)
-1.4
集电极电流I
C
(A)
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
V
CE
=-2V
V
CE （ SAT ）
- I
C
-2.0
-1.0
-0.5
-0.3
-0.1
0.05
-0.03
-0.01
-10
I
C
/I
B
=10
-30
-100
-300
-1K
-3K
-10K
集电极电流I
C
（MA ）
2002. 8. 13
版本号： 2
3/4
KTX311T
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
2K
1K
500
300
100
50
30
10
-1
-3
-10
-30
-100
-300
-1K
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE
=-10V
h
FE
- I
C
-500
-300
直流电流增益
FE
-100
-50
-30
-10
-5
-3
-1
-1
V
CE
=-2V
-3
-10
-30
-100 -300
-1K
-3K
-10K
集电极电流I
C
（MA ）
2002. 8. 13
版本号： 2
4/4
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KHAU-11D12H-6
KF80N08F
KZ243-00
KIA2431S
K50420Y1EN1S
KIA3845AP
K4S56163PF
KA-79-165-M06
KM432S2030CT-F7
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    KTX311T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
KTX311T
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